The invention discloses a polysilicon ingot furnace, which comprises a crucible for carrying ingot silicon material, a DS block for supporting the crucible, a heat preservation block and a heat dissipation block which are detachably arranged on the surface of the DS block away from the bottom of the crucible and used for adjusting the heat field distribution at the bottom of the crucible, wherein the distribution position of the heat preservation block and the heat dissipation block on the surface of the DS block is adjustable. In the application, a heat preservation block and a heat dissipation block are arranged on the DS block used to support the crucible inside the ingot furnace, which can not only insulate the position where the heat dissipation is too fast, but also accelerate the heat dissipation of the position where the heat dissipation is too slow; compared with the prior art, which only adjusts the temperature of the heat field through the heat insulation layer, the heat dissipation block and the heat preservation block are used in the application for temperature regulation, which has better regulation effect; and In addition, the heat preservation block and the heat dissipation block in the application are connected in a detachable way, so as to change the layout of the heat preservation block and the heat dissipation block and improve the adjustment ability of the heat field of the ingot furnace based on the different needs of the ingot casting process.
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅铸锭炉
本专利技术涉及多晶铸锭
,特别是涉及一种多晶硅铸锭炉。
技术介绍
多晶硅铸锭工艺是获得纯净硅料的主要工艺方法之一,所获得的硅料可用于光伏电池的制作以及其他半导体器件的生产制造。在多晶硅铸锭过程中,温度是影响硅锭生长的重要因素之一。目前在各种多晶硅铸锭工艺中,为了保证铸锭炉中温度符合硅锭的生长要求,会根据铸锭炉的加热器分布位置,以及铸锭炉本身结构对散热的影响,在铸锭炉上设置隔热层。但是,在多晶硅铸锭过程中,不同类型的晶硅产品需匹配不同的工艺,对铸锭炉内热场分布的要求也不相同,因此,现有技术中设置铸锭炉上的隔热层的方式,难以满足目前的铸锭工艺的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种多晶硅铸锭炉,解决了现有技术中对铸锭炉内的热场调节性能差的问题,提高了对热场调节的性能。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种多晶硅铸锭炉,包括:用于承载铸锭硅料的坩埚;用于支撑坩埚的DS块;可拆卸地设于所述DS块背离所述坩埚底部的表面,用于调节所述坩埚底部热场分布的保温块和散热块;其中,所述保温块和所述散热块在所述DS块表面分布位置可调。其中,所述散热块为石墨块。其中,所述散热块长为5cm~30cm,宽为5cm~30cm,厚度为1.5cm~6cm;且设置在所述DS块上的多个散热块的厚度不完全相同。其中,所述散热块背离所述DS块的表面分布有多条相互交错的凹槽,所述凹槽的宽度为4mm~20mm,深度为5mm~40mm。其中 ...
【技术保护点】
1.一种多晶硅铸锭炉,其特征在于,包括:/n用于承载铸锭硅料的坩埚;/n用于支撑坩埚的DS块;/n可拆卸地设于所述DS块背离所述坩埚底部的表面,用于调节所述坩埚底部热场分布的保温块和散热块;/n其中,所述保温块和所述散热块在所述DS块表面分布位置可调。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种多晶硅铸锭炉,其特征在于,包括:
用于承载铸锭硅料的坩埚;
用于支撑坩埚的DS块;
可拆卸地设于所述DS块背离所述坩埚底部的表面,用于调节所述坩埚底部热场分布的保温块和散热块;
其中,所述保温块和所述散热块在所述DS块表面分布位置可调。
2.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉,其特征在于,所述散热块为石墨块。
3.如权利要求2所述的多晶硅铸锭炉,其特征在于,所述散热块长为5cm~30cm,宽为5cm~30cm,厚度为1.5cm~6cm;且设置在所述DS块上的多个散热块的厚度不完全相同。
4.如权利要求2所述的多晶硅铸锭炉,其特征在于,所述散热块背离所述DS块的表面分布有多条相互交错的凹槽,所述凹槽的宽度为4mm~20mm,深度为5mm~40mm。
5.如权利要求1所述的多晶硅铸锭炉,其特征在于,所述保温块包括碳纤维板和设于两个所述碳纤维板之间的碳纤维毡。
技术研发人员:吴君立,黄纪德,曹瑞宏,龚宇琦,夏志鹏,朱惠君,张昕宇,金浩,
申请(专利权)人:浙江晶科能源有限公司,晶科能源有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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