The invention provides a process for controlling the temperature of the thermal field. In the process of pulling a single crystal, the temperature of the thermal field is adjusted according to the weight of the leftover material in the crucible, so as to keep the growth of the single crystal consistent. The beneficial effect of the invention is to ensure that the temperature in the later stage of single crystal drawing is consistent without adjustment, and to facilitate the use of the same set of parameters in the whole process of single crystal drawing, greatly improving the consistency of the temperature in the process of single crystal drawing.
【技术实现步骤摘要】
一种控制热场温度工艺
本专利技术属于光伏
，尤其是涉及一种控制热场温度工艺。
技术介绍
目前行业内竞争日益激烈，单晶生产企业不约而同的增加投料量，以提高产出，传统拉制硅单晶参数以单晶拉制长度对热场温度进行控制。随着太阳能级单晶硅片品质要求逐年提高，单晶品质的不良中，很大一部分是因为温度不适导致。保证热历史的一致性至关重要，热场温度的精确度也随着大投料量的推广更加严格、苛刻。目前行业中普遍使用的是根据拉制长度对热场温度进行调节，降低单晶工艺参数适用性。目前行业中一套工艺参数均适用于较大范围的初始剩料量，如剩料在300kg-360kg时，均使用同一套工艺参数。不同初始剩料重量会导致各炉次拉制单晶长度相同的情况下，单晶炉内的剩料重量相差甚远，这一问题，随着剩料重量的降低，会更加明显。单晶拉制过程中，剩料小于100kg后对于炉内热场温度的需求非常高，温度的不稳定往往会造成不同的异常，例如单晶扭曲，单晶直径细，晶线断苞等。传统参数根据拉制长度进行热场温度的调节最终会导致初始剩料量不同的炉台，在拉制后期(剩料小于100kg尤为明显)的温度不能完全匹配，最终导致异常。专利...
【技术保护点】
1.一种控制热场温度工艺，其特征在于：在直拉单晶过程中，根据坩埚内剩料的重量进行热场温度的调节，以使得单晶生长保持一致性。
【技术特征摘要】
1.一种控制热场温度工艺，其特征在于：在直拉单晶过程中，根据坩埚内剩料的重量进行热场温度的调节，以使得单晶生长保持一致性。2.根据权利要求1所述的控制热场温度工艺，其特征在于：所述根据坩埚内的剩料的重量进行热场温度的调节具体为：根据单晶的重量进行坩埚内剩料的重量的计算；根据剩料的重量进行加热器功率的预置。3.根据权利要求2所述的控制热场温度工艺，其特征在于：在进行坩埚内剩料的重量的计算同时，检测单晶的直径的波动趋势，进行加热器功率的设置。4.根据权利要求1-3任一项所述的控制热场温度工艺，其特征在于：所述坩埚内剩料的重量与所述加热器的功率的关系为：所述坩埚内的重量由投料量减少至所述投料量的一半时，所述加热器的功率降低；所述坩埚内的剩料的重...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵国伟，王建平，周泽，王鑫，皇甫亚楠，杨志，刘学，吴树飞，刘振宇，郭志荣，王林，徐强，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15
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