生片形成用剥离膜制造技术

本发明专利技术的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜(1)，其中，该剥离膜(1)具备基材(11)和设置于上述基材(11)的一面的剥离剂层(12)，上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)能量线固化性化合物、(B)疏水化硅溶胶、及(C)剥离赋予成分。

Peeling film for raw film formation

The peeling film for sheet forming of the invention is a peeling film (1) for sheet forming, wherein the peeling film (1) is provided with a base material (11) and a peeling agent layer (12) arranged on one side of the base material (11), the peeling agent layer is formed by the solidified substance of the material for sheet forming, the peeling agent forming material comprises (a) energy line curing compound, (b) hydrophobic silica sol, and\uff08 C) peel off the assigned ingredients.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】生片形成用剥离膜
本专利技术涉及生片形成用剥离膜。
技术介绍
剥离膜通常由基材和剥离剂层构成。生片可通过在这样的剥离膜上涂敷将陶瓷粒子与粘合剂树脂分散并溶解于有机溶剂而得到的陶瓷浆料并进行干燥而制造。另外，所制造的生片在从剥离膜剥离后可用于陶瓷电容器的制造。另外，在使用剥离膜制造生片的情况下，由于剥离膜的表面的凹凸会被转印至生片，因而存在在生片的表面产生针孔等问题。因此，对于剥离膜，要求表面的凹凸少这样的平滑性。另一方面，随着近年来陶瓷电容器的小型化、高密度化，要求生片的进一步薄膜化。进而，由于生片的进一步薄膜化，对于剥离膜，要求平滑性的进一步提高。然而，存在越提高剥离膜的平滑性则剥离膜越容易发生粘连的问题。即，剥离膜通常在被卷成卷状的状态下保管、运输，在形成生片时，从卷状的状态陆续放出而使用。因此，将该卷取的剥离膜陆续放出时，存在容易发生脱模膜表面的剥离剂层与剥离膜背面的基材之间的粘连(粘附)的问题。像这样，对于平滑性优异的剥离膜，要求防止粘连的性能(抗粘连性)。作为提高剥离膜的抗粘连性的技术，例如在专利文献1中记载了在聚酯膜的至少一面设置有含有非活性微粒的脱模层的脱模膜。该脱模膜中，脱模层表面的十点平均粗糙度(Rz)为20～500nm。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-255704号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1中记载的剥离膜中，未得到可兼顾平滑性和抗粘连性的剥离膜。因此，本专利技术的目的在于提供一种平滑性优异、且具有充分的抗粘连性的生片形成用剥离膜。解决问题的方法本专利技术的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜是用于形成生片的生片形成用剥离膜，其中，该剥离膜具备基材和设置于上述基材的一面的剥离剂层，上述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)能量线固化性化合物、(B)疏水化硅溶胶、以及(C)剥离赋予成分。在本专利技术的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中，上述(B)疏水化硅溶胶的平均粒径优选为10nm以上且100nm以下。在本专利技术的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中，优选在形成了上述(B)疏水化硅溶胶的涂膜的情况下，水对上述涂膜的接触角优选为100°以上。在本专利技术的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中，上述剥离剂层的平均厚度优选为0.2μm以上且2μm以下。在本专利技术的一个实施方式涉及的生片形成用剥离膜中，优选上述剥离剂层的外表面的算术平均粗糙度Ra为8nm以下，且上述剥离剂层的外表面的最大突起高度Rp为50nm以下。根据本专利技术，可提供平滑性优异、且具有充分的抗粘连性的生片形成用剥离膜。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式涉及的生片形成用剥离膜的剖面示意图。图2是用于对本专利技术的实施方式涉及的生片形成用剥离膜中、疏水化硅溶胶的偏析状态进行概念性说明的模式图。符号说明1…剥离膜、11…基材、12…剥离剂层、12A…剥离剂层的外表面。具体实施方式以下，举出实施方式为例对本专利技术进行说明。本专利技术不限定于实施方式的内容。本实施方式的生片形成用剥离膜1(以下“剥离膜1”)如图1所示，具备基材11、和设置于基材11的第1面11A的剥离剂层12。(基材)本实施方式的基材11具有第1面11A和第2面11B。作为构成基材11的材料，没有特殊限定，可列举例如：由聚酯树脂(聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂及聚萘二甲酸乙二醇酯树脂等)、聚烯烃树脂(聚丙烯树脂及聚甲基戊烯树脂等)、及聚碳酸酯等塑料形成的膜等。基材11可以为单层膜，也可以为同种或不同种的2层以上的多层膜。这些中，从在加工时或使用时等不易产生灰尘等的观点考虑，优选聚酯膜，更优选双向拉伸聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。在利用使用聚酯膜制造的剥离膜1来制造生片的情况下，可有效防止由灰尘等导致的陶瓷浆料的涂敷不良等。在基材11中，除上述这样的材料以外，也可以含有填料等。作为填料，可列举二氧化硅、氧化钛、碳酸钙、高岭土、及氧化铝等。它们可单独使用1种，或组合使用2种以上。通过含有这样的填料，可以赋予基材11的机械强度，并提高表背面的光滑性，抑制粘连。对于基材11的第1面11A及第2面11B的表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra1及Ra2、以及最大突起高度Rp1及Rp2)而言，可以是两面为通用等级的粗糙度范围，也可以是两面为高平滑等级的粗糙度范围。此外，还可以是第1面11A及第2面11B中的一面为高平滑等级的粗糙度范围、另一面为通用等级的粗糙度范围。未涂布剥离剂层12的基材11的第2面11B为高平滑等级的粗糙度范围时，通常，剥离膜10的卷取会产生粘连，但本实施方式的剥离膜1不容易发生粘连。在为高平滑等级的情况下，基材11的第1面11A的算术平均粗糙度Ra(Ra1)优选为1nm以上且40nm以下，更优选为2nm以上且20nm以下。由此，如后所述，在基材11的第1面11A上会填补第1面11A的凹凸而形成经过了平滑化的剥离剂层12。因此，算术平均粗糙度Ra1在上述范围内时，剥离剂层的外表面12A的平滑化作用变得特别显著。在为高平滑等级的情况下，基材11的第1面11A的最大突起高度Rp(Rp1)优选为10nm以上且500nm以下，更优选为15nm以上且350nm以下。由此，如后所述，在基材11的第1面11A上会填补第1面11A的凹凸而形成经过了平滑化的剥离剂层12。因此，最大突起高度Rp1在上述范围内时，剥离剂层的外表面12A的平滑化作用变得特别显著。在为高平滑等级的情况下，基材11的第2面11B的算术平均粗糙度Ra(Ra2)优选为1nm以上且40nm以下，更优选为2nm以上且20nm以下。另外，在为高平滑等级的情况下，基材11的第2面11B的最大突起高度Rp(Rp2)优选为10nm以上且500nm以下，更优选为15nm以上且350nm以下，特别优选为20nm以上且300nm以下。通过使用这样的高平滑等级的基材，即使剥离膜1和在其上制膜而成的陶瓷生片经过了卷取，由于与涂布表面接触的剥离膜1的背面侧(第2面11B侧)是平滑的，因此，陶瓷生片被挤压而受到的损伤消失，陶瓷电容器的品质提高。需要说明的是，在为通用等级的情况下，基材11的第1面11A的算术平均粗糙度Ra(Ra1)通常为5nm以上且80nm以下，基材11的第1面11A的最大突起高度Rp(Rp1)通常为100nm以上且700nm以下。另外，在为通用等级的情况下，基材11的第2面11B的算术平均粗糙度Ra(Ra2)通常为5nm以上且80nm以下，基材11的第2面11B的最大突起高度Rp(Rp2)通常为100以上且700nm以下。需要说明的是，在本说明书中，基材11的第1面11A及第2面11B的算术平均粗糙度Ra及最大突起高度Rp是按照JISB0601-1994并通过三丰株式会社制造的表面粗糙度测量仪SV3000S4(触针式)测定而求出的值。而且，在本说明书中，除非另有说明，“算术平均粗糙度及最大突起高度”是指如上所述地测定而得到的值。基材11的平均膜厚没有特别限定，优选为10μm以上且300μm以下，更优选为15μm以上且200μm以下。由此，可以使剥离膜1的柔软性适度、同时使得相对于撕裂或断裂等的耐性也特别优异。(剥离剂层)本实施方式的剥离剂层12设置于基材11的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种生片形成用剥离膜，其用于形成生片，该生片形成用剥离膜具备：基材、和设置于所述基材的一面的剥离剂层，所述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)能量线固化性化合物、(B)疏水化硅溶胶、以及(C)剥离赋予成分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.03.09 JP 2017-0447071.一种生片形成用剥离膜，其用于形成生片，该生片形成用剥离膜具备：基材、和设置于所述基材的一面的剥离剂层，所述剥离剂层由剥离剂形成用材料的固化物形成，该剥离剂形成用材料含有(A)能量线固化性化合物、(B)疏水化硅溶胶、以及(C)剥离赋予成分。2.根据权利要求1所述的生片形成用剥离膜，其中，所述(B)疏水化硅溶胶的平均粒径为10nm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤庆一，深谷知巳，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP