The invention provides a DDI IR voltage drop compensation circuit for digital operation, which includes a reference voltage generator (1) and a digital power voltage regulator (2), the digital power voltage regulator (2) comprises a first switch tube (mos_a), a second switch tube (mos_b) and a controller (21). Through the first switch (MOS a) and the second switch (MOS b), the connection position of the ground terminal of the gain stage resistor is switched, so as to realize the purpose of compensating the voltage applied to the digital domain. The invention can effectively solve the problem of DDI \uffe3 IR pressure drop, and is particularly suitable for DDI with fine processing.
【技术实现步骤摘要】
一种用于数字操作的DDIIR压降补偿电路
本专利技术涉及显示驱动器芯片(DDI),具体是一种用于数字操作的DDIIR压降补偿电路。
技术介绍
随着芯片制造工艺向微加工发展,线宽减小,电源电压也随之降低。这种方法的优点是能够在较小的区域实现更快的设计。但是,随着线宽减小,供电线路的电阻值随之上升,由于供电线路电阻和逻辑单元功耗,出现了无法为逻辑单元提供足够电压的IR压降问题。这一问题在移动设备上尤为重要。DDI中的逻辑门的数量因分辨率(如FHD、WQHD)和逻辑函数的增加而增加。因此,由于数字域的运行而造成的电流消耗正在增加。由于电源线的金属电阻分量、电流消耗的增加会导致压降传输到数字区域,这些因素导致所述逻辑函数由于逻辑单元延迟偏差而失效。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于数字操作的DDIIR压降补偿电路,以解决现有技术存在的上述缺陷。为达上述目的,本专利技术采用的技术方案如下:一种用于数字操作的DDIIR压降补偿电路,包括参考电压发生器(1)和数字电源电压调节器(2),所述参考电压发生器(1)的地端连接第一地(VSS1),所述参考电压发生器(1)的输出端通过第一电阻(R1)连接数字域的电源端(A),所述数字域的地端(B)通过第二电阻(R2)连接第二地(VSS2),所述数字电源电压调节器(2)包括第一开关管(MOS_A)、第二开关管(MOS_B)和控制器(21),所述第一开关管(MOS_A)跨接在所述第一地(VSS1)和所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端之间,所述第二开关管(MOS_B)跨接在所述数字域的地端(B) ...
【技术保护点】
1.一种用于数字操作的DDIIR压降补偿电路,其特征在于,包括参考电压发生器(1)和数字电源电压调节器(2),所述参考电压发生器(1)的地端连接第一地(VSS1),所述参考电压发生器(1)的输出端通过第一电阻(R1)连接数字域的电源端(A),所述数字域的地端(B)通过第二电阻(R2)连接第二地(VSS2),所述数字电源电压调节器(2)包括第一开关管(MOS_A)、第二开关管(MOS_B)和控制器(21),所述第一开关管(MOS_A)跨接在所述第一地(VSS1)和所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端之间,所述第二开关管(MOS_B)跨接在所述数字域的地端(B)和所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端之间,所述控制器(21)分别连接所述第一开关管(MOS_A)的控制端和所述第二开关管(MOS_B)的控制端、用于选择所述第一开关管(MOS_A)导通或所述第二开关管(MOS_B)导通。
【技术特征摘要】
1.一种用于数字操作的DDIIR压降补偿电路,其特征在于,包括参考电压发生器(1)和数字电源电压调节器(2),所述参考电压发生器(1)的地端连接第一地(VSS1),所述参考电压发生器(1)的输出端通过第一电阻(R1)连接数字域的电源端(A),所述数字域的地端(B)通过第二电阻(R2)连接第二地(VSS2),所述数字电源电压调节器(2)包括第一开关管(MOS_A)、第二开关管(MOS_B)和控制器(21),所述第一开关管(MOS_A)跨接在所述第一地(VSS1)和所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端之间,所述第二开关管(MOS_B)跨接在所述数字域的地端(B)和所述参考电压发生器(1)的增益级电阻(R_Up和R_Down)的地端之间,所述控制器(21)分别连接所述第一开关管(MOS_A)的控制端和所述第二开关管(MOS_B)的控制端、用于选择所述第一开关管(MOS_A)导通或所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:郑丞弼,王东,
申请(专利权)人:广东晟合技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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