一种用于植物根系X射线成像的水培装置制造方法及图纸

技术编号:22472979 阅读:36 留言:0更新日期:2019-11-06 13:30
本实用新型专利技术公开了一种用于植物根系X射线成像的水培装置,包括支架、营养液水槽、水管、水泵、滴管和培养皿;支架包括底部隔架,底部隔架的底面分别设有第一立柱,底部隔架的顶面的两侧分别设有第二立柱,两根第二立柱之间远离底部隔架的一端设有第一横梁,第一横梁上沿第一横梁的长度方向等间距设置有多根垂直第一横梁的第二横梁,底部隔架的顶面沿第一横梁的长度方向等间距设置有多根垂直第一横梁的第三横梁,多根第二横梁与多根第三横梁一一对应设置;多个培养皿分别设置在底部隔架上,且位于相邻的两根第二横梁之间,以及相邻的两根第三横梁之间。本实用新型专利技术的水培装置,不仅不会使植物根系缺氧烂根,而且方便观察培养皿中的植物的生长情况。

【技术实现步骤摘要】
一种用于植物根系X射线成像的水培装置
本技术涉及水培装置
,特别涉及一种用于植物根系X射线成像的水培装置。
技术介绍
水培作为一种新型的室内植物无土栽培方式,其通过培养液代替自然土壤向植物提供水分、养分等生长因子,使植物能够正常生长并完成其整个生命周期。采用这种无土栽培技术培育出来的水培植物更是以其产品质量好、无污染、生产环境洁净卫生,病虫害少等诸多优点而备受青睐。现有的水培装置如专利申请号为201220549230.X的中国技术专利,其水培装置包括培养架、电机、LED灯、加氧泵、水培箱、定植板、定植篮、蓄水槽、潜水泵、滤材、挡板、绳、胶塞和无妨布,该水培装置中的根系是浸泡在营养液水槽中,会使得根生长时容易生成青苔或使得病菌大量繁育且根系缺氧导致根系生长不良或烂根,影响根系发育,且根系不能无损成像。再如专利申请号为201420212756.8的中国技术专利,其包括控制线侧柱、上水侧柱、隔板、培养箱、下水管、箱内布水管、控制面板、营养液箱,所述培养箱中放置带孔泡沫。该专利中的水培装置虽然植物根系未浸泡在营养液水槽中,但是培养箱层叠设置,使得层叠的数量有限,进而使得水培装置上放置的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于植物根系X射线成像的水培装置,其特征在于,包括支架、营养液水槽、水管、水泵、多个滴管和多个培养皿;所述支架包括底部隔架,所述底部隔架的底面的四个角落上分别设有第一立柱,所述底部隔架的顶面的两侧分别设有一根第二立柱,两根所述第二立柱之间远离所述底部隔架的一端设有第一横梁,所述第一横梁上沿所述第一横梁的长度方向等间距设置有多根垂直所述第一横梁的第二横梁,所述底部隔架的顶面沿所述第一横梁的长度方向等间距设置有多根垂直所述第一横梁的第三横梁,多根所述第二横梁与多根所述第三横梁一一对应设置;多个所述培养皿分别设置在所述底部隔架上,且位于相邻的两根所述第二横梁之间,以及相邻的两根所述第三横梁之...

【技术特征摘要】
1.一种用于植物根系X射线成像的水培装置,其特征在于,包括支架、营养液水槽、水管、水泵、多个滴管和多个培养皿;所述支架包括底部隔架,所述底部隔架的底面的四个角落上分别设有第一立柱,所述底部隔架的顶面的两侧分别设有一根第二立柱,两根所述第二立柱之间远离所述底部隔架的一端设有第一横梁,所述第一横梁上沿所述第一横梁的长度方向等间距设置有多根垂直所述第一横梁的第二横梁,所述底部隔架的顶面沿所述第一横梁的长度方向等间距设置有多根垂直所述第一横梁的第三横梁,多根所述第二横梁与多根所述第三横梁一一对应设置;多个所述培养皿分别设置在所述底部隔架上,且位于相邻的两根所述第二横梁之间,以及相邻的两根所述第三横梁之间,所述培养皿的材质为聚苯乙烯泡沫;所述营养液水槽设置在所述底部隔架的下方,所述水管的一端与所述营养液水槽连通设置,所述水管的另一端沿所述第一横梁的长度方向设置在所述第一横梁上,所述水泵设置在所述水管上;多个所述滴管的一端分别与所述水管连通设置,所述滴管位于所述培养皿的上方,且多个所述滴管与多个所述培养皿一一对应设置。2.根据权利要求1所述的一种用于植物根系X射线成像的水培装置,其特征在于,所述培养皿为中空的长方...

【专利技术属性】
技术研发人员:何红梅顾群
申请(专利权)人:上海乾菲诺农业科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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