显示基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素设置有包括多个薄膜晶体管和存储电容的像素驱动电路，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容设置在两个子像素的共用电容区，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容叠层设置。本发明专利技术将相邻两个子像素的电容区结合起来一起作为两个子像素的共用电容区，构成每个子像素存储电容的电极板均设置在该共用电容区，使两个子像素的存储电容形成叠层结构，大幅度减小了每个子像素电容区的面积，减小了驱动电路区占用像素面积的比例，有效提高了像素开口率。

Display base plate, preparation method and display device

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDiode，OLED)具有超薄、大视角、主动发光、高亮度、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、低功耗、工作温度范围宽及可柔性显示等优点，已逐渐成为极具发展前景的下一代显示技术。依据驱动方式的不同，OLED可分为无源矩阵驱动(PassiveMatrix，PM)型和有源矩阵驱动(ActiveMatrix，AM)型两种，其中AMOLED是电流驱动器件，采用独立的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)控制每个子像素，每个子像素皆可以连续且独立的驱动发光。OLED设计中，像素开口率是重要参数之一，也是提高显示装置分辨率的决定因素，尤其对于底发射型OLED。目前，现有底发射型OLED是在每个子像素设置发光区和驱动电路区，发光结构设置在发光区，多个TFT和存储电容(CST)并列设置在驱动电路区，为了保证存储电容的容量，存储电容的电极板通常占用面积较大。随着高分辨率(PPI)显示技术的发展，子像素尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素设置有包括多个薄膜晶体管和存储电容的像素驱动电路，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容设置在两个子像素的共用电容区，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容叠层设置。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括矩阵排布的多个子像素，每个子像素设置有包括多个薄膜晶体管和存储电容的像素驱动电路，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容设置在两个子像素的共用电容区，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容叠层设置。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，本子像素的存储电容包括：与遮光层同层设置的第一电极，覆盖所述第一电极的绝缘层，与薄膜晶体管的栅电极同层设置的第二电极，所述第一电极和第二电极均设置在两个子像素的共用电容区。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相邻子像素的存储电容包括：与薄膜晶体管的源漏电极同层设置的第三电极，覆盖所述第三电极的绝缘层，与像素电极同层设置的第四电极，所述第三电极和第四电极均设置在两个子像素的共用电容区。4.根据权利要求1～3任一所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路包括：基底；设置在所述基底上的遮光层和第一电极，所述第一电极设置在两个子像素的共用电容区；覆盖所述遮光层和第一电极的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；设置在所述第二绝缘层上的栅电极和第二电极，所述第二电极设置在两个子像素的共用电容区，所述第一电极和第二电极形成本子像素的存储电容。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：覆盖所述栅电极和第二电极的第三绝缘层；设置在所述第三绝缘层上的源电极、漏电极和第三电极，所述第三电极设置在两个子像素的共用电容区；覆盖所述源电极、漏电极和第三电极的第四绝缘层和第五绝缘层；设置在所述第五绝缘层上的像素电极和第四电极，所述第四电极设置在两个子像素的共用电容区，所述第三电极和第四电极形成相邻子像素的存储电容。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述多个薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，所述第三薄膜晶体管包括第三有源层、第三栅电极、第三源电极和第三漏电极；本子像素中，所述第一电极与遮光层为一体结构，所述第一电极通过过孔连接第一漏电极和第三漏电极；所述第二电极与第一栅电极为一体结构，所述第二电极通过过孔连接第二漏电极；相邻子像素中，所述第三电极通过过孔连接第一栅电极和第二漏电极，所述第四电极与像素电极为一体结构，所述第四电极通过过孔连接第一漏电极和第三漏电极。7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括彩膜层，所述彩膜层设置在第四绝缘层与第五绝缘层之间，所述第五绝缘层上开设有暴露出第四绝缘层的过孔，所述第四电极设置在所述过孔内。8.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述像素驱动电路还包括开关扫描线、补偿扫描线和数据线，在水平方向上，所述两个子像素的共用电容区设置在两条数据线之间，在垂直方向上，所述两个子像素的共用电容区设置在开关扫描线和补偿扫描线之间。9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～8任一所述的显示基板。10.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：形成矩阵排布的多个子像素，每个子像素形成有包括多个薄膜晶体管和存储电容的像素驱动电路，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容形成在两个子像素的共用电容区，本子像素的存储电容和相邻子像素的存储电容叠层设置。11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，本子像素的存储电容形成在两个子像素的共用...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋振，王国英，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11