【技术实现步骤摘要】
一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料
本专利技术涉及光催化产氢半导体材料
,具体为一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料。
技术介绍
近几十年来,随着全球能源需求的持续增长,寻找新能源的研究越来越受到人们的关注,氢能作为二次能源,具有清洁、高效、安全、可贮存、可运输等诸多优点,是一种最理想的新世纪无污染的绿色能源,光催化技术是将太阳能直接或间接转换为人类可利用能源的理想生产技术,光催化技术应用的核心在于光催化材料的研制但是,目前报道的光催化材料普遍存在光响应波长窄,稳定性差、效率低等问题,严重制约着光催化剂的大规模使用。目前,g-C3N4-TiO2光催化半导体材料具有廉价、无毒、物理和化学稳定性好等优点,被广泛应用于光催化产氢研究中,但是现有的g-C3N4-TiO2半导体材料氧化能力弱、传质作用差、禁带宽度偏大,光生载流子结合能高和量子效率低而不能有效利用太阳光能等缺点。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,既解决了 ...
【技术保护点】
1.一种有机盐掺杂的Ir负载g‑C3N4合TiO2光催化半导体材料,包括以下重量份数配比的原料,其特征在于:3‑5份吡喃四氟化硼盐、4‑8份伊红、1‑5份Ir络合物、55‑75份三聚氰胺、13‑18份钛酸四丁酯、3‑6份纳米TiO2、1‑3份钛酸酯偶联剂。
【技术特征摘要】
1.一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,包括以下重量份数配比的原料,其特征在于:3-5份吡喃四氟化硼盐、4-8份伊红、1-5份Ir络合物、55-75份三聚氰胺、13-18份钛酸四丁酯、3-6份纳米TiO2、1-3份钛酸酯偶联剂。2.根据权利要求1所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,其特征在于:所述吡喃四氟化硼盐为2,4,6-三苯基吡喃四氟化硼盐,紫外可见吸收光谱波长为335-540nm,分子式为C23H17OBF4,结构式为3.根据权利要求1所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,其特征在于:所述伊红为酸性红87,紫外可见吸收光谱波长为305-630nm,分子式为C20H6Br4Na2O5,结构式为4.根据权利要求1所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,其特征在于:所述Ir络合物为(Ir[dF(F)ppy]2(dCF3))PF6,紫外可见吸收光谱波长为365-615nm分子式为C36H16F22IrN4P,结构式为5.根据权利要求1所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,其特征在于:所述纳米TiO2锐钛型纳米二氧化钛,平均粒径为35-40nm,紫外可见吸收光谱波长为200-760nm。6.根据权利要求1所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,其特征在于:所述三聚氰胺为分子式C3N3(NH2)3,结构式为三聚氰胺中C3N3(NH2)3含量为95-97%。7.根据权利要求1所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,其特征在于:所述钛酸酯偶联剂为TMC-114焦磷酸型单烷氧基类钛酸酯。8.根据权利要求1所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,其特征在于:所述一种有机盐掺杂的Ir负载g-C3N4合TiO2光催化半导体材料,制备方法包括以下步骤:(1)制备TiO2纳米花:依次称取13-18份钛酸四丁酯、3-6份纳米TiO2和于500mL烧杯中,再加入100mL去离子水和150mL异丙醇,将烧杯置于超声波处理器中,超声并搅拌1-1.5h,使物料充分混合均匀,超声搅拌结束后将烧杯中的溶液转移到水热高压反应釜,将反应釜再置于高温加热箱中加热至170-175℃,反应12-15h,反应完全后将水热高压反应釜冷却至室温,将反应釜中的溶液置于离心清洗机,通过1500-2000mL蒸馏水进行离心清洗多次,再将物料通过300-500mL无水...