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本发明涉及光催化产氢半导体材料技术领域，且公开了一种有机盐掺杂的Ir负载g‑C3N4合TiO2光催化半导体材料，包括以下原料，吡喃四氟化硼盐、伊红、络合物、三聚氰胺、钛酸四丁酯、纳米TiO2、钛酸酯偶联剂。该有机盐掺杂的Ir负载g‑C3N4...
该专利属于王世扬所有，仅供学习研究参考，未经过王世扬授权不得商用。

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