一种在刚性件的两个接合部之间形成的高压密封,它包括一个覆盖在至少一个接合部上的贵金属涂层和用于将这两个接合部压合在一起的机构。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高压密封。本专利技术尤其但并非仅仅涉及当在两个刚性件之间形成这种密封时的密封结构。在许多场合中需要在被压合在一起的两个接合金属面之间形成密封,而这些金属面承受着在某种意义上使其分离的可观的流体压力。通常希望这些密封被制成或翻新成可经过许多循环。原来的密封采用油脂如硅酮基真空油脂来润滑磨损面。当设置O形圈时,也采用了这样的油脂。在某些情况下,油脂是不理想的,这是因为可能需要定期清洗和重新用油脂润滑的缘故,而这造成了装置停机。这种密封布局的一个例子在欧洲专利申请No.9292023.4中公开了,其中采用了一个高压腔来处理半导体晶片。这种布局的一个特殊要求是必须将颗粒材料的级别保持到最小。根据一个方面,本专利技术的要点在于一种成型于两个刚性件的接合部之间的可重复使用的真空密封或高压密封,它包括一个覆盖在至少一个接合部上的软金属涂层和将这两个部件推压在一起的机构。刚性件可以是由钢或铝制成的。密封可以包括一个底层,而所述底层可以例如是镍。该底层可以约厚2μm。涂层的厚度可以是15μm~20μm。涂层可以是金、银、铂、钯、铜、铅或铟,或这些元素的组合物。但是,象金、铜这样的材料相当快速地扩散到象硅或砷化镓这样的半导体材料中,并且如果在一台处理这些材料的装置中采用上述密封,则这些金属可能是不合适的。一种特别优选的涂层是银且这种涂层适用于半导体材料。本专利技术还包括一种由两个可闭合的部分和一种如上所述的密封构成的高压腔。尽管如上所述地限定了本专利技术,但应该理解的是本专利技术包括由上述特征或下述描述组成的任何有创见的组合方案。可以通过各种方式实施本专利技术。现在,参见附图来举例描述本专利技术的具体实施例,其中附图说明图1是欧洲专利申请No.9292023.4所述那种装置的垂直横截面;图2是在该装置密封的A处的细节;图3是采用本专利技术密封的密封部的相应视图。在这里将不具体描述该装置,但是可以为此参见欧洲专利申请No.9292023.4的公开内容。然而,实质上迫使两个外壳件10、11连在一起而在其间形成了一个腔室12,在此腔室中处理半导体晶片。如可以从图2中看到的那样,五个密封界面出现在外壳件10和外壳件11之间。第一密封成型于上外壳件10和垫圈16之间。刚性环13与垫圈16形成密封结构并且刚性环在15处与基座14形成密封结构。基座14被固定在下外壳件11上并采用一个O形圈以便在基座和外壳件11之间形成密封结构。参见图3,可以看到刚性环13现在被做成有曲面17、19,所述曲面与基座14和外壳件10接合。基座14具有一个代替O形圈的相似的弯曲突起18。已经发现,如果至少一个接合面涂覆有软金属(如贵金属),则这样的接合形状是可行的,这是因为这样的金属用于润滑磨损面且它不需要使用油脂。如早已指出的半导体晶片用途中的情形那样,特别优先选用银,而且必须要注意涂层金属扩散到正在处理的材料中的扩散速率。如果金属涂层是通过电镀法积附上的,则提供一个镍底层是理想的,但是也可以采用其它的涂层形成方法。为了改进涂层的整体性,涂覆整个刚性环13或基座14可能是理想的。尽管目前的试验表明单个涂覆面是非常有效的,但在某些情况下涂覆两个接合面可能是合适的。采用不同形状的接合面而不是线接触可具有广阔的适用范围。权利要求1.一种在刚性件的两个接合部之间形成的高压密封,它包括一个覆盖在至少一个接合部上的贵金属涂层和用于将这两个接合部压合在一起的机构。2.如权利要求1所述的密封,其特征在于,所述刚性件是由钢或铝制成的。3.如权利要求1或2所述的密封,其特征在于,所述密封包括一个底层。4.如权利要求3所述的密封,其特征在于,所述底层是镍。5.如权利要求3或4所述的密封,其特征在于,所述底层厚约2mm。6.如前述权利要求之一所述的密封,其特征在于,所述涂层的厚度为15mm~20mm。7.如前述权利要求之一所述的密封,其特征在于,所述涂层是金、银、铂、钯、铜或这些元素的组合物。8.如权利要求5所述的密封,其特征在于,所述涂层是由银形成的。9.一种基本上参见附图在此所述的密封。10.一种由两个可闭合的部分和一种如前述权利要求之一所述的密封构成的高压腔。11.一种如权利要求8所述的且用于加工半导体材料的腔室,其特征在于,所述涂层由银构成。全文摘要一种密封通过刚性环(13)成型于一个高压腔的两个部件之间,所述刚性环设有与一个基座(14)和一个外壳体(10)接合的曲面(17),所述基座(14)具有一个相似的弯曲突起(18)。至少一个接合面涂覆有一种软金属如银。文档编号F16J15/08GK1226956SQ9719690公开日1999年8月25日 申请日期1997年7月18日 优先权日1996年8月1日专利技术者安德鲁·I·杰弗里斯, 罗伯特·K·特威尔 申请人:特利康设备有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:安德鲁·I·杰弗里斯,罗伯特·K·特威尔,
申请(专利权)人:特利康设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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