一种DCB衬板的制作方法及IGBT模块技术

本发明专利技术涉及一种DCB衬板的制作方法，包括以下步骤：S10：在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽；S20：将第二金属布置在所述凹槽内部；S30：将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。通过该方法制作的IGBT模块，克服了不同材质之间键合所导致的CTE值不匹配等问题，不但使键合更加牢固，还减少了模块在工作过程中产生的微裂纹等问题。

A method of making DCB liner and IGBT module

【技术实现步骤摘要】
一种DCB衬板的制作方法及IGBT模块
本专利技术涉及半导体
，特别地涉及一种DCB衬板的制作方法及IGBT模块。
技术介绍
IGBT模块是由绝缘栅双极型晶体管芯片(IGBT)和续流二极管芯片(FWD)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，主要由芯片、塑料框架、电极端子、DCB衬底、基板、金属底板、键合丝和焊料等材料构成。IGBT模块的焊接方式一般是采用电极端子底部平面和DCB衬底表面金属作为键合区域，用铜丝、金丝或铝丝键合的工艺实现端子与模块内部的电气连接，由此可实现模块结构薄型化、部件轻量化、封装工艺和组装模具简易化，同时由于模块高度较低，缩短端子通流距离，使得封装电感减小。在键合工艺中，所使用的金属丝一般为铝丝。因为与铜丝、金丝相比，铝丝具有较软，应力较小，成本低，导电性能良好等特点，因而在模块的键合工艺中得到广泛应用。而DCB衬底表面的金属布线层一般为铜布线层，所以DCB衬底表面的键合方式一般为铝-铜键合。但是，由于铜的CTE(热膨胀系数)值为17×10-6/℃,铝的CTE值为25×10-6/℃，两种金属的CTE值存在差异，所以铝-铜键合方式将会由于CTE值的不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DCB衬板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽；S20：将第二金属布置在所述凹槽内部；S30：将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。

【技术特征摘要】
1.一种DCB衬板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：在DCB基底表面的第一金属布线层上开设凹槽；S20：将第二金属布置在所述凹槽内部；S30：将与所述第二金属相同材质的丝线与所述第二金属进行连接。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述凹槽的纵截面构造成正立的锥形。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述凹槽设置在所述第一金属布线层的中间位置。4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述锥形的高度小于等于第一金属布线层厚度的1/2。5.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于：所述凹槽上表面的圆形的直径小于等于第一金属布线层宽度的1/4，所述凹槽下表面的圆形的直径小于等于第一金属布线层宽度的1/2。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：在步骤S20和步骤S30之间还包括：将第二金属的上表面进行抛光打磨处理。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述第一金属为铜，相应地，第一金属布线层为铜布线层，所述第二金属为铝材，相应地，与第二金属相同材质的丝线为铝丝线。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：铜布线层与铝之间采用挤压成型的方式结合在一起。9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏强，史波，敖利波，曹俊，马浩华，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44