一种IGBT温度检测电路及方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种IGBT温度检测电路及方法，该电路包括：充放电模块、热敏电阻采集模块、比较模块、开关模块和处理模块。充放电模块与比较模块的第一端连接，热敏电阻采集模块与比较模块的第二端连接，比较模块的输出端与开关模块连接，处理模块与比较模块的输出端连接。各个模块均与外部电源连接。比较模块的一端获取充放电电压，另一端获取热敏电阻的分压值，从而输出开关信号。根据开关信号控制开关模块与充放电模块状态，开关模块与充放电模块连续两次导通或断开的时间差为充放电周期。处理模块根据充放电周期确定IGBT的当前温度。本发明专利技术实施例提出的IGBT温度检测电路及方法，无需额外的模拟信号转换元件，电路简单，成本低廉。

IGBT temperature detection circuit and method

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT温度检测电路及方法
本实专利技术实施例涉及晶体管温度检测领域，尤其涉及一种IGBT温度检测电路及方法。
技术介绍
现有技术中，主要采用以下三种方式来采样绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)的温度：1.利用隔离光耦放大电路检测热敏电阻两端的电压值，将电压模拟信号转换成数字信号发送给微控制单元(MicrocontrollerUnit，简称MCU)进行处理。2.利用模数转换(Analog-to-DigitalConverter，简称ADC)采样芯片检测热敏电阻两端的电压值，再通过串行外设接口(SerialPeripheralInterface，简称SPI)隔离芯片将模拟信号转化成数字信号并发送给MCU。3.利用模拟信号转换脉冲频率信号(简称VF)转换芯片将模拟信号转化成频率信号，再通过隔离收发器发送转换好的频率信号给MCU。现有技术方案中，驱动芯片是用来发送控制信号驱动IGBT工作的芯片，但因为传统的驱动芯片本身无法传递模拟信号，也没有隔离数字IO的通道，所以方案1需要额外的模拟信号转换器，并且需要隔离光耦进行隔离；相本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT温度检测电路，其特征在于，包括：充放电模块、热敏电阻采集模块、比较模块、开关模块和处理模块；所述充放电模块与所述比较模块的第一端连接；所述热敏电阻采集模块与所述比较模块的第二端连接；所述比较模块的输出端与所述开关模块连接；所述处理模块与所述比较模块的输出端连接；所述充放电模块、所述热敏电阻采集模块、所述比较模块和所述开关模块均与外部电源连接；所述比较模块的第一端用于获取所述充放电模块的实时充放电电压；所述比较模块的第二端用于获取所述热敏电阻采集模块的热敏电阻的分压值；所述比较模块根据所述充放电模块的实时充放电电压以及所述热敏电阻的分压值通过所述比较模块的输出端输出开关信号；所述...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT温度检测电路，其特征在于，包括：充放电模块、热敏电阻采集模块、比较模块、开关模块和处理模块；所述充放电模块与所述比较模块的第一端连接；所述热敏电阻采集模块与所述比较模块的第二端连接；所述比较模块的输出端与所述开关模块连接；所述处理模块与所述比较模块的输出端连接；所述充放电模块、所述热敏电阻采集模块、所述比较模块和所述开关模块均与外部电源连接；所述比较模块的第一端用于获取所述充放电模块的实时充放电电压；所述比较模块的第二端用于获取所述热敏电阻采集模块的热敏电阻的分压值；所述比较模块根据所述充放电模块的实时充放电电压以及所述热敏电阻的分压值通过所述比较模块的输出端输出开关信号；所述开关模块根据所述开关信号控制所述开关模块与所述充放电模块导通或关断；所述开关模块与所述充放电模块连续两次导通时刻对应的时间差或所述开关模块与所述充放电模块导通连续两次关断时刻对应的时间差为一充放电周期；所述处理模块根据所述充放电周期确定IGBT的当前温度。2.根据权利要求1所述的IGBT温度检测电路，其特征在于，所述充放电模块包括：第一电阻、第二电阻和第一电容；所述第一电阻的第一端与外部电源连接；所述第一电阻的所述第二端与第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端接地；所述第一电容的第一电极与所述第一电阻的第二端连接；所述第一电容的第二电极接地；所述热敏电阻采集模块包括第三电阻和所述热敏电阻；所述第三电阻的第一端与外部电源连接；所述第三电阻的第二端与所述热敏电阻的第一端连接；所述热敏电阻的第二端接地；所述比较模块包括比较器和第四电阻；所述第一电阻的第二端与所述比较器的反向输入端连接；所述热敏电阻的第一端与所述比较器的正向输入端连接；所述比较器的电源端与所述外部电源连接；所述比较器的输出端与所述第四电阻的第二端连接；所述第四电阻的第一端与所述外部电源连接；所述开关模块包括PMOS和NMOS；所述PMOS的栅极与所述第四电阻的第二端连接；所述PMOS的源极与所述外部电源连接；所述PMOS的漏极与所述NMOS的栅极连接；所述NMOS的源极接地；所述NMOS的漏极与所述第一电阻的第二端连接。3.根据权利要求2所述的IGBT温度检测电路，其特征在于，所述比较模块还包括第二电容，所述第二电容的第一电极与所述第四电阻的第二端连接；所述第二电容的第二电极接地。4.根据权利要求1所述的IGBT温度检测电路，其特征在于，所述充放电模块包括：第一电阻、第二电阻和第一电容；所述第一电阻的第一端与外部电源连接；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端接地；所述第一电容的第一电极与所述第一电阻的第二端连接；所述第一电容的第二电极接地；所述热敏电阻采集模块包括第三电阻和所述热敏电阻；所述第三电阻的第一端与外部电源连接；所述第三电阻的第二端与所述热敏电阻的第一端连接；所述热敏电阻的第二端接地；所述比较模块包括比较器、第四电阻、第五电阻和第二电容；所述第一电阻的第二端与所述比较器的反向输入端连接；所述热敏电阻的第一端与所述比较器的正向输入端连接；所述比较器的电源端与所述外部电源连接；所述比较器的输出端与所述第四电阻的第二端连接；所述第四电阻的第一端与所述外部电源连接；所述第五电阻的第一端和所述第四电阻的第一端连接；所述第二电容的第一电极与所述第四电阻的第二端连接；所述第二电容的第二电极接地；所述开关模块包括第一NMOS和第二NMOS；所述第一NMOS的漏极与所述第一电阻的第二端连接；所述第一NMOS的源极接地；所述第一NMOS的栅极与所述第二NMOS的源极连接；所述第二NMOS的漏极与所述第五电阻的第二端连接；所述第二NMOS的栅极与所述第四电阻的第二端连接。5.根据权利要求1所述的IGBT温度检测电路，其特征在于，所述充放电模块包括：第一电阻、第二电阻和第一电容；所述第一电阻的第一端与外部电源连接；所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接；所述第二电阻的第二端接地；所述第一电容的第一电极与所述第一电阻的第二端连接；所述第一电容的第二电极接地；所述热敏电阻采集模块包括第三电阻和所述热敏电阻；所述第三电阻的第一端与外部电源连接；所述第三电阻的第二端与所述热敏...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦晨，徐忠宇，段立卿，陈文杰，周东东，
申请(专利权)人：上海英恒电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31