一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法技术

一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法，涉及一种剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法。本发明专利技术是要解决现有的化学气相沉积方法制备的二硫化铼薄膜在后继处理过程中出现的有机杂质吸附和氢氟酸污染的技术问题。本发明专利技术：一、多层ReS2薄膜的制备；二、无水乙醇表面预处理；三、剥离转移。本发明专利技术利用外延生长ReS2和云母基地的晶格失配残余应力和无水乙醇在ReS2表面润湿力，无水乙醇可以在ReS2膜层表面和层间充分润湿，从而产生润湿切应力，使得不同ReS2层分离，实现了大面积单层ReS2薄膜的制备和转移。

A method of preparing rhenium disulfide nano tablets by liquid phase stripping and transfer

【技术实现步骤摘要】
一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法
本专利技术涉及一种剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法。
技术介绍
在众多的类石墨烯的二维过渡族金属硫属化合物(TMDs)中，二硫化铼(ReS2)因其特殊的结构和优异的光电性能受到人们广泛的关注。与MoS2和WSe2等二维材料不同，ReS2薄膜层内相邻的Re原子形成稳定的化学键结合会造成晶格的佩尔斯畸变，从而使得不同层之间的耦合作用大大降低，单层和多层ReS2薄膜都可以保持直接带隙结构。除此之外，晶格的佩尔斯畸变也会导致单层和多层ReS2薄膜物理性能的各向异性，包括力学、光学和电学等。这些特性使得ReS2薄膜其在高性能光电转换器件和新型逻辑器件等领域展现出光明的应用前景。利用二维材料层间微弱的范德华力作用，可以将单层和多层ReS2薄膜通过自上而下的机械剥离方法转移至目标基底上，但是由于特殊的层间退耦合特性，通过该方法很难得到大面积ReS2的单层样品。通过机械剥离得到的产物受制于片层尺寸和产量的影响，仅仅满足于实验室物性研究。使用溶液离子插层法可以用于二维材料的规模化制备，利用小直径的碱金属离子插入到二维材料层间的缝隙中，然后在后继过程中通过碱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法，其特征在于利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法是按以下步骤进行的：一、多层ReS2薄膜的制备：将ReO3粉末和S粉一起放入同一个陶瓷舟中，将云母基板扣在陶瓷舟的正上方，然后将陶瓷舟和云母基板放入管式炉中，向管式炉中通入Ar气，在氩气保护下将管式炉升温至600℃～650℃并保温10min～15min，在氩气保护下自然冷却至室温，即可得到生长有多层ReS2薄膜的云母基板；所述的ReO3粉末和S粉的质量比为1:(2～3)；二、无水乙醇表面预处理：将无水乙醇均匀滴加到云母基板上ReS2薄膜的表面，润湿ReS2薄膜，然后将云母基板放置到60℃～65℃...

【技术特征摘要】
1.一种利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法，其特征在于利用液相剥离转移制备二硫化铼纳米片的方法是按以下步骤进行的：一、多层ReS2薄膜的制备：将ReO3粉末和S粉一起放入同一个陶瓷舟中，将云母基板扣在陶瓷舟的正上方，然后将陶瓷舟和云母基板放入管式炉中，向管式炉中通入Ar气，在氩气保护下将管式炉升温至600℃～650℃并保温10min～15min，在氩气保护下自然冷却至室温，即可得到生长有多层ReS2薄膜的云母基板；所述的ReO3粉末和S粉的质量比为1:(2～3)；二、无水乙醇表面预处理：将无水乙醇均匀滴加到云母基板上ReS2薄膜的表面，润湿ReS2薄膜，然后将云母基板放置到60℃～65℃的热板上加热烘烤2min～3min以去除无水乙醇；三、剥离转移：将步骤二处理后的云母基板完全浸没到去离子水中，进行超声处理，即可得到单层和多层大面积ReS2薄膜漂浮在水面，然后使用SiO2/Si复合基板将ReS2薄膜从水中捞出，ReS2薄膜覆盖在SiO2所在的表面，...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦敬凯，徐成彦，李洋，邵文柱，甄良，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23