一种载带芯片用开机关机重置电路及其工作方法技术

本发明专利技术提供了一种载带芯片用开机关机重置电路，包括：分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块；分压模块适于对供电电源进行分压，将第一节点电压传输至一级正反器模块；储能模块一端与供电电源相连，另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连；开机时，第一节点电压随供电电源的上升而上升，以触发一级正反器模块正向导通；一级正反器模块正向导通后，储能模块开始储存能量，使第二节点电压逐渐减小，以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压；关机时，第一节点电压随供电电源的下降而下降，以触发一级正反器模块反向导通；在一级正反器模块反向导通后，二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。

【技术实现步骤摘要】
一种载带芯片用开机关机重置电路及其工作方法
本专利技术涉及电路设计
，尤其涉及载带芯片用开机关机重置电路

技术介绍
在集成电路设计中为了避免开机(poweron)时电路节点(node)中进入未知状态(unknownstate)而造成误动作或漏电，因此需要使用开机重置信号(poweronreset)让内部节点可以维持在预设电压，让电路可以进入预设状态，因此开机重置电路(poweronresetcircuit)设计对于集成电路设计是非常重要。在TFT液晶面板应用中，关机(poweroff)时为了避免面板在关机过程中出现无法预期的画面，因此面板驱动电路芯片需要关机侦测并进行关机程序，因此开机关机重置电路可以启动在芯片设计是非常重要的。图一是现有的开机重置电路，现有的开机重置电路是利用RC充放电，经过两级反向器来产生开机重置信号。如图二所示是现有的开机重置电路的时序图，开机时，V1点因为RC充电到第一级正反器(MP1和MN1组成)的高输入准位(Vih)时，V2点就会转态变到接地，此时再经过一级正反器(MP2和MN2组成)则可以产生开机重置讯号(poweronreset)。然而半导体制程中的电阻组值变异相当大，容易造成开机重置信号产生的起始电压与重置时间与仿真(simulation)不符。此电路在关机(poweroff)过程中，会因为RC延迟过大，当V1点降到正反器的低输入准位(Vil)时，供电电源(VDD)已经降到工作电压以下导致此电路在关机过程中无法作动。因此现有的重置电路(resetcircuit)并非开机与关机过程都可以启动，且会使芯片在开关机过程中发生误动作。
技术实现思路
为克服现有技术中存在的无法满足开机与关机均运作，且会使芯片在开关机过程中发生误动作的问题，本专利技术提供了一种载带芯片用开机关机重置电路。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种载带芯片用开机关机重置电路，包括：分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块；其中所述分压模块适于对供电电源进行分压，并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块；所述储能模块的一端与供电电源相连，其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连；开机时，第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升，以触发一级正反器模块正向导通；在一级正反器模块正向导通后，储能模块开始储存能量，使第二节点电压逐渐减小，以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压；以及关机时，第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降，以触发一级正反器模块反向导通；在一级正反器模块反向导通后，二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。进一步，所述分压模块包括：电阻R1和电阻R2；供电电源依次经电阻R1、电阻R2接地，且电阻R1与电阻R2之间的电压作为所述第一节点电压。进一步，所述一级正反器模块包括：第一PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极与供电电源连接；所述第一NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极接地；以及所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极均接入二级正反器模块。进一步，所述一级正反器模块包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第三PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极与供电电源连接；所述第四PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其漏极接入二级正反器模块；所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接后接入第五PMOS管的源极；所述第五PMOS管的漏极接地，其栅极接入二级正反器模块；所述第三NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其漏极接入二级正反器模块；所述第四NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极接地；所述第三NMOS管的的源极与第四NMOS管的漏极连接后接入第五NMOS管的源极；以及第五NMOS管的漏极与供电电源连接，其栅极接入二级正反器模块。进一步，所述二级正反器模块包括：第二PMOS管和第二NMOS管；所述第二PMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出，其源极与供电电源连接；所述第二NMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出，其源极接地；以及所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连，且所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极之间的电压作为所述开机重置电压或所述关机重置电压。进一步，所述储能电路包括：电解电容；所述电解电容的一端与供电电源相连，其另一端与第二节点电压相连。又一方面，本专利技术还提供了一种开机关机重置电路的工作方法，包括：所述开机关机重置电路适于在开机时，输出开机重置电压；以及所述开机关机重置电路适于在关机时，输出关机重置电压。进一步，所述开机关机重置电路包括：分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块；其中所述分压模块适于对供电电源进行分压，并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块；所述储能模块的一端与供电电源相连，其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连；开机时，第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升，以触发一级正反器模块正向导通；在一级正反器模块正向导通后，储能模块开始储存能量，使第二节点电压逐渐减小，以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压；以及关机时，第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降，以触发一级正反器模块反向导通；在一级正反器模块反向导通后，二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。进一步，所述一级正反器模块包括：第一PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极与供电电源连接；所述第一NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极接地；以及所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极均接入二级正反器模块。进一步，所述一级正反器模块包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第三PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极与供电电源连接；所述第四PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其漏极接入二级正反器模块；所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接后接入第五PMOS管的源极；所述第五PMOS管的漏极接地，其栅极接入二级正反器模块；所述第三NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其漏极接入二级正反器模块；所述第四NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极接地；所述第三NMOS管的的源极与第四NMOS管的漏极连接后接入第五NMOS管的源极；以及第五NMOS管的漏极与供电电源连接，其栅极接入二级正反器模块。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术是开机关机过程中都可以运作的重置电路，开机时，第一节点电压随着供电电源的上升而上升，以触发一级正反器模块正向导通，在一级正反器模块正向导通后，储能模块开始储存能量，使第二节点电压逐渐减小，以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压；关机时，第一节点电压随着供电电源的下降而下降，以触发一级正反器模块反向导通，在一级正反器模块反向导通后，二级正反器模块正向导通输出关机重置电压；本专利技术将储能模块设置为电解电容，通过调节电解电容值的大小可以设置重置时间；本专利技术设置电阻R1和电阻R2对供电电源进行分压，进而通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开机关机重置电路，其特征在于，包括：分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块；其中所述分压模块适于对供电电源进行分压，并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块；所述储能模块的一端与供电电源相连，其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连；开机时，第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升，以触发一级正反器模块正向导通；在一级正反器模块正向导通后，储能模块开始储存能量，使第二节点电压逐渐减小，以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压；以及关机时，第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降，以触发一级正反器模块反向导通；在一级正反器模块反向导通后，二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。

【技术特征摘要】
1.一种开机关机重置电路，其特征在于，包括：分压模块、一级正反器模块、储能模块和二级正反器模块；其中所述分压模块适于对供电电源进行分压，并将第一节点电压传输至所述一级正反器模块；所述储能模块的一端与供电电源相连，其另一端与一级正反器模块、二级正反器模块之间的第二节点电压相连；开机时，第一节点电压适于随着供电电源的上升而上升，以触发一级正反器模块正向导通；在一级正反器模块正向导通后，储能模块开始储存能量，使第二节点电压逐渐减小，以触发二级正反器模块反向导通输出开机重置电压；以及关机时，第一节点电压适于随着供电电源的下降而下降，以触发一级正反器模块反向导通；在一级正反器模块反向导通后，二级正反器模块正向导通输出关机重置电压。2.根据权利要求1所述的一种开机关机重置电路，其特征在于，所述分压模块包括：电阻R1和电阻R2；供电电源依次经电阻R1、电阻R2接地，且电阻R1与电阻R2之间的电压作为所述第一节点电压。3.根据权利要求2所述的一种开机关机重置电路，其特征在于，所述一级正反器模块包括：第一PMOS管和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极与供电电源连接；所述第一NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极接地；以及所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极均接入二级正反器模块。4.根据权利要求2所述的一种开机关机重置电路，其特征在于，所述一级正反器模块包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第三PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极与供电电源连接；所述第四PMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其漏极接入二级正反器模块；所述第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接后接入第五PMOS管的源极；所述第五PMOS管的漏极接地，其栅极接入二级正反器模块；所述第三NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其漏极接入二级正反器模块；所述第四NMOS管的栅极接入所述第一节点电压，其源极接地；所述第三NMOS管的的源极与第四NMOS管的漏极连接后接入第五NMOS管的源极；以及第五NMOS管的漏极与供电电源连接，其栅极接入二级正反器模块。5.根据权利要求3或4任一所述的一种开机关机重置电路，其特征在于，所述二级正反器模块包括：第二PMOS管和第二NMOS管；所述第二PMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出，其源极与供电电源连接；所述第二NMOS管的栅极接入一级正反器模块的输出，其源极接地；以及所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡水河，
申请(专利权)人：常州欣盛半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32