分仓潜水手机按键适配的低电压缓冲电路及模式制造技术

分仓潜水手机按键适配的低电压缓冲电路及模式，属于机械结构领域.该缓冲电路的组成包括：NPN或PNP或场效应型开关三极管、二极管、电阻、稳压二级管；电压缓冲电路的位置及驳接方式：在主板PCB或外设PCB板上增设电压缓冲电路：特点就在于：利用稳压管恒定三极管的基极或发射极电压，同时在发射极或基极的回路中串联稳压管或二极管，二极管被使用其正向导通的恒压降特性，作为稳压管使用；二极管被直接手机按键开关上；外设断电模式的NPN或PNP或场效应型开关三极管串接于对的供电通路上，广泛用于手持电子装置中。

The low voltage buffer circuit and mode of the button adaptation of the compartment diving mobile phone

【技术实现步骤摘要】
分仓潜水手机按键适配的低电压缓冲电路及模式[
]本专利技术属于电子
；确切的讲是利用缓冲电路来降低按键电极的电压及切断SIM卡的1.8伏特及USB的5伏特电源模式。[
技术介绍
]随着通信产业的不断发展，智能手机已经具有开源的操作系统，加上硬件和软件可扩充性，完全支持第三方的二次开发。智能手机的整体结构:智能手机可以被看作袖珍的计算机。它有处理器、存储器、输入输出设备(键盘、显示屏、USB接口、耳机接口、摄像头等)及I/O通道。手机通过空中接口协议(例如GSM、CDMA、PHS等)和基站通信，既可以传输语音，也可以传输数据。智能手机的主电路板是手机中最重要的部件:它位于智能手机的内部，与各部件之间通过数据软线或触点相连接。主电路板可以说是手机的核心部件，它负责手机信号的输入、输出、处理、手机信号的发送，以及整机的供电、控制等工作。不同品牌的智能手机电路板的设计会有所不同，有的智能手机只有一块电路板，有的智能手机除了有主电路外，还有副电路板。副电路板一般连接接口、摄像头等附件。智能手机的主电路板上安装的都是贴片元器件，排列十分紧密，并且电路板上的主要芯片都采用BGA形式焊接在电路板上。智能手机电路结构:智能手机的电路是智能手机的核心，负责手机的供电、控制以及手机各种功能的实现。智能手机的电路主要包括：射频电路、语音电路、处理器及存储器电路、电源及充电电路、操作及屏显电路、接口电路，以及其他功能电路(如蓝牙、天线、收音、传感器、振动器、摄像头电路等)。具体设计过程包括:主板方案的确定、手机外形的确定、结构建模、外观手板的制作和外观调整、结构设计、结构设计优化:、结构评审、大结构手板的验证等等.除此之外还要经过；模具检讨、投模期间的项目跟进、试模及改模、试产、量产过程。对于目前大多数手机主板电路来说：按键的电极除了共用端接地外，其它各端在按下按键时才与地接通；在未按下按键时，其它非共用端处于开放的悬浮接空状态，电压数值多在1.5---4.0伏特。目前有一款手机设计是“分仓防水手机方案”的疏堵结合的大禹治水方式，基本原理是将“外设器件：如SIM卡、喇叭、麦克、耳机及USB座”这些必须与外界交互的器件，置于外仓，允许水的浸入，而主板、电池、显示屏等置于密封舱内，无需设置防水舱门及专门设计密封器件，不仅大大降低了防水的难度，而且防水效果极佳。而苹果、三星的防水设计是采用专门的防水圈及防水器件，单一的“水来土屯”简单四轮；不仅大大的增加了成本及工艺难度；成本极高，而最终的防水效果仍不尽人意。[
技术实现思路
]目前手机按键电极的缺陷：由于按键的开放悬浮电极的电压数值多在1.5--4.0伏特之间，使得外露电极含SIM卡的1.8伏特及USB的5伏特电压；在使用分仓防水手机结构下，这些电极是暴露在外仓的水的媒介中，在相对高的电压下，长时间浸水会产生一定的不良电解反应。本专利技术的目的:增加电压缓冲电路使得按键电极及SIM卡的1.8伏特及USB的5伏特电源开关模式使得开放悬浮电极的电压数值减低至0.3伏特以下，长时间浸水也不会产生不良电解反应。本专利技术特点：构思简单、成本低及运行可靠。具体实施方式:电压缓冲电路的位置及驳接方式：在主板PCB或外设PCB板上增设电压缓冲电路：所谓外设PCB板就是指分仓潜水手机所使用的焊装SIM卡、喇叭、麦克、耳机及USB座的PCB板；该电压缓冲电路被中继式插入按键电极的通路中，主板的原按键电极直接驳接电压缓冲电路，而电压缓冲电路再驳接接到按键电极。电压缓冲电路的器件及特点：利用稳压管恒定三极管的基极或发射极电压，同时在发射极或基极的回路中串联稳压管或二极管，二极管被使用其正向导通的恒压降特性，作为稳压管使用；二极管被直接手机按键开关上。电路特征分为NPN型、PNP型开关三极管电路:选用NPN型三极管的电路:主板与按键K电极之间插入驳接了电压缓冲电路。三极管Q1驳接于主板的按键电极，电阻R1，是分压器件，是使得驳接端的电压与按键电极的电压一致，或增加对三极管Q1的拉电流和灌电流的能力，一般而言是可以略去电阻R1，R2直接驳接的。二极管D1在此作为稳压管，锗材料半导体可获得0.2—0.3伏特压降；电阻R2的阻值的选取要保证有足够的灌电流保障稳压二级管D1的嵌位作用，稳压二级管D1的稳压值要小于三极管Q1导通的be结压降与二极管D1的导通压降的和；而大于的三极管Q1导通的be结压降。当手机按键K按下时，相当于短路二极管D1，稳压二级管D1的电压直接施加在三极管Q1的be结上，三极管Q1导通，集电极C的电压降至0.2—0.3伏特，如果使用场效应管将会降至更低；达到降低主板的按键电极电压的目的。选用PNP型三极管的电路:电阻R4，电阻R5的作用是确保足够的灌电流使得稳压二极管D4，D5保正稳压管正常工作；稳压二级管D4的稳压值要小于三极管Q2导通的eb结压降与二极管D3的导通压降及稳压二级管D4的稳压值的和；而大于的三极管Q1导通的eb结压降与稳压二级管D4的稳压值的和。当手机按键K按下时，相当于短路二极管D3，稳压二级管D4的电压直接施加在三极管Q2的eb结及稳压二级管D4上，三极管Q2导通，发射极e的电压降至0.2—0.3伏特，如果使用场效应管将会降至更低；达到降低主板的按键电极电压的目的。外设断电模式：通过触摸屏或按键操作将手机设置于“潜水模式”，可以关掉SIM卡的1.8伏特及USB的5伏特电源，使得外露电极(无法进行防水处理的部位)置于0伏特状态。进一步：三极管也包括场效应管。与晶体三极管相同，场效应管分为：栅极、漏极、源极，栅极相当于基极，漏极、源极相当于集电极与发射极，电流的流向是，漏极向源极方向流动。进一步：本专利技术技术不仅适用于手机，也适用于其他手持电子设备：相机、平板。本专利技术的有益效果在于:在潜水使用时，将电解对电极触点的腐蚀伤害降至最低。[附图说明]图1选用NPN型三极管的电路的缓冲电路示意图图2选用PNP型三极管的电路的缓冲电路示意图标号说明：1.主板，2.按键连接线。[实施例证]以下结合附图就较佳实施例对本专利技术作进一步说明：如图1所示：上方的图表达的是，主板(1)的按键连接线(2)直接驳接手机按键K(音量、选择等功能键)的电极，按键K的另一端对应电极往往是公共接地端，手机一般有3-4个按键。下方的图表达的是，主板与按键K电极之间插入驳接了电压缓冲电路。三极管Q1驳接于主板的按键电极，电阻R1，是分压器件，是使得驳接端的电压与按键电极的电压一致，或增加对三极管Q1的拉电流和灌电流的能力，一般而言是可以略去电阻R1，R2直接驳接的。二极管D1在此作为稳压管，锗材料半导体可获得0.2—0.3伏特压降；电阻R2的阻值的选取要保证有足够的灌电流保障稳压二级管D1的嵌位作用，稳压二级管D1的稳压值要小于三极管Q1导通的be结压降与二极管D1的导通压降的和；而大于的三极管Q1导通的be结压降。当手机按键K按下时，相当于短路二极管D1，稳压二级管D1的电压直接施加在三极管Q1的be结上，三极管Q1导通，集电极C的电压降至0.2—0.3伏特，如果使用场效应管将会降至更低；达到降低主板的按键电极电压的目的。如图2所示：电阻R4，电阻R5的作用是确保足够的灌电流使得稳压二极管D4，D5保正稳压管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.分仓潜水手机按键适配的低电压缓冲电路及模式，缓冲电路的组成包括：NPN或PNP或场效应型开关三极管、二极管、电阻、稳压二级管；电压缓冲电路的位置及驳接方式：在主板PCB或外设PCB板上增设电压缓冲电路：所谓外设PCB板就是指分仓潜水手机所使用的焊装SIM卡、喇叭、麦克、耳机及USB座的PCB板；该电压缓冲电路被中继式插入按键电极的通路中，主板的原按键电极直接驳接电压缓冲电路，而电压缓冲电路再驳接接到按键电极；外设断电模式所需要在主板上增加的电子器件包括：NPN或PNP或场效应型开关三极管；其特征就在于：电压缓冲电路的器件及特点：利用稳压管恒定三极管的基极或发射极电压，同时在发射极或基极的回路中串联稳压管或二极管，二极管被使用其正向导通的恒压降特性，作为稳压管使用；二极管被直接手机按键开关上；具体而言，NPN型三极管的缓冲电路:三极管Q1驳接于主板的按键电极，电阻R1，是分压器件，是使得驳接端的电压与按键电极的电压一致，或增加对三极管Q1的拉电流和灌电流的能力，一般而言是可以略去电阻R1，R2直接驳接的；二极管D1在此作为稳压管，稳压二级管D1的稳压值要小于三极管Q1导通的be结压降与二极管D1的导通压降的和，而大于的三极管Q1导通的be结压降；PNP型三极管的缓冲电路：稳压二级管D4的稳压值要小于三极管Q2导通的eb结压降与二极管D3的导通压降及稳压二级管D4的稳压值的和；而大于的三极管Q1导通的eb结压降与稳压二级管D4的稳压值的和；外设断电模式的NPN或PNP或场效应型开关三极管串接于对的供电通路上，主板CPU的指令控制基极或栅极电压切换其开关；通过触摸屏或按键操作将手机设置于，开关SIM卡的1.8伏特及USB的5伏特电源，使得外露电极置于0伏特状态。...

【技术特征摘要】
1.分仓潜水手机按键适配的低电压缓冲电路及模式，缓冲电路的组成包括：NPN或PNP或场效应型开关三极管、二极管、电阻、稳压二级管；电压缓冲电路的位置及驳接方式：在主板PCB或外设PCB板上增设电压缓冲电路：所谓外设PCB板就是指分仓潜水手机所使用的焊装SIM卡、喇叭、麦克、耳机及USB座的PCB板；该电压缓冲电路被中继式插入按键电极的通路中，主板的原按键电极直接驳接电压缓冲电路，而电压缓冲电路再驳接接到按键电极；外设断电模式所需要在主板上增加的电子器件包括：NPN或PNP或场效应型开关三极管；其特征就在于：电压缓冲电路的器件及特点：利用稳压管恒定三极管的基极或发射极电压，同时在发射极或基极的回路中串联稳压管或二极管，二极管被使用其正向导通的恒压降特性，作为稳压管使用；二极管被直接手机按键开关上；具体而言，NPN型三极管的缓冲电路:三极管Q1驳接于主板的按键电极，电阻R1，是分压器件，是使得驳接端的电压与按键电极的电压一致，或增加对三极管Q1的拉电流和...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳市人彩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44