气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。

【技术实现步骤摘要】
气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法本专利申请要求于2018年4月6日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0040089号的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本公开涉及一种气体存储罐(gasstoragecylinder)，更具体地，涉及一种气体存储罐、一种使用气体存储罐的沉积系统和一种制造半导体装置的方法。
技术介绍
在半导体装置制造过程中，可以使用沉积工艺以在基底上形成材料层。存在可以使用的各种不同的沉积工艺，并且这些沉积工艺通常可以被分类为物理气相沉积(PVD)工艺或化学气相沉积(CVD)工艺。可以使用诸如这些的沉积工艺以将材料层广泛地施加到基底上，然后可以将材料层图案化并蚀刻成期望的形式，或者可以使用沉积工艺以选择性地施加材料层，而不需要执行蚀刻。
技术实现思路
制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。沉积系统包括处理腔室和设置在处理腔室的外部的气体供应单元。气体供应单元被构造为将一氯硅烷供应到处理腔室中。气体供应单元包括被构造为容纳气体存储罐的机壳。气体存储罐包括锰，并且气体存储罐在其中包含的一氯硅烷。气体存储罐包括含有锰的罐。钝化部设置在罐的内表面内，并与罐的内表面接触。一氯硅烷存储在罐内，并且一氯硅烷与钝化部接触。附图说明通过参照所附的结合附图考虑时的详细描述，随着本公开变得更好理解，将更容易地获得对本公开更加彻底的理解和本专利技术许多随附的方面，在附图中：图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的沉积系统的示意图；图2A至图2C是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的使用气体存储罐来存储气体的方法的剖视图；图2D是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的气体存储罐的剖视图；图2E是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的存储气体存储罐的存储方法的示意图；图3A是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的第一气体供应管的示意图；图3B是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的第一气体供应管的示意图；图3C是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的第一气体供应管的示意图；图4A是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的沉积系统的示意图；图4B是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的沉积系统的示意图；图5是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的形成含硅层的工艺的剖视图；图6是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的半导体装置的平面图；以及图7A至图7D是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的制造半导体装置的方法的剖视图。具体实施方式在描述附图中示出的本公开的示例性实施例时，为了清楚起见采用了特定术语。然而，本公开不意图局限于如此选择的特定术语，并且将理解的是，每个特定元件包括以类似方式操作的所有技术等同物。在整个说明书和附图中，相同的附图标记可以表示相同或相似的元件。在下文中，将描述根据本专利技术构思的示例性实施例的气体存储罐和包括该气体存储罐的沉积系统。图1是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的沉积系统的示意图。参照图1，沉积系统可以包括处理腔室30、第一气体供应单元10和第一气体供应管21。处理腔室30可以具有内部空间，在该内部空间中执行沉积工艺。喷头31和卡盘33可以设置在处理腔室30内。第一气体供应单元10可以设置在处理腔室30的外部。第一气体供应单元10可以将第一源气体供应到处理腔室30的内部空间中。第一源气体可以被用于形成含硅层的工艺中。第一源气体可以是含硅气体。含硅气体可以是一氯硅烷(SiH3Cl；MCS)。在下文中，将描述第一源气体是一氯硅烷(MCS)的情况作为示例。然而，本专利技术不限于使用MCS，并且可以使用其它气体作为第一源气体。第一气体供应单元10可以包括机壳11。存储有一氯硅烷(MCS)的气体存储罐100可以设置在机壳11中。气体存储罐100可以由能够存储气体且不会渗透的材料(诸如，金属、玻璃或塑料)制成。气体存储罐100可以安装在机壳11内，并且一氯硅烷(MCS)存储在气体存储罐100内。当气体存储罐100中的一氯硅烷(MCS)被消耗时，可以更换气体存储罐100。当使用一氯硅烷(MCS)执行沉积工艺时，可以提高沉积工艺的效率。例如，使用一氯硅烷(MCS)的沉积工艺可以显示出高沉积速率和高良率。然而，一氯硅烷(MCS)会相对不稳定。一氯硅烷(MCS)会在室温下分解以形成副产物(例如，SiH4)。在下文中，将详细描述一氯硅烷(MCS)、存储一氯硅烷(MCS)的气体存储罐100和气体存储罐100的存储方法。图2A至图2C是示出根据本专利技术构思的示例性实施例的将气体存储在气体存储罐内的方法的剖视图。参照图2A，可以准备气体存储罐100。气体存储罐100可以具有内部空间，在内部空间中存储有一氯硅烷(MCS)。气体存储罐100可以包括锰。例如，气体存储罐100可以由包括锰的材料形成。气体存储罐100的锰含量可以在大约1wt％至大约26wt％的范围内。气体存储罐100可以包括纯锰和/或锰合金。如这里所使用的，当说气体存储罐100包括锰或一些其它物质时，这意味着气体存储罐100的外壳包括锰或所述其它物质，并且该陈述没有说气体存储罐100的内部的内容物。相反地，当说气体存储罐100“存储”或“包含”一氯硅烷时，这意味着气体存储罐100的内部的内容物至少部分地填充有一氯硅烷，并且该陈述没有说气体存储罐100的外壳的组分。例如，气体存储罐100可以包括锰钢。根据本专利技术构思的示例性实施例，气体存储罐100还可以包括铁、碳、硅、磷、硫、铬和/或它们的任何合金。例如，气体存储罐100可以包括大约1wt％至大约26wt％的锰、大约62wt％至大约98.999wt％的铁、0wt％至大约2wt％的碳、大约0.001wt％至大约2wt％的硅、0wt％至大约1wt％的磷、0wt％至大约1wt％的硫以及0wt％至大约6wt％的铬。如这里所使用的，当说组件包括0wt％的材料时，这可以意味着该组件不包括该材料。阀190可以设置在气体存储罐100的入口处。阀190可以使气体存储罐100的内部空间与外部隔离。参照图2B，可以在气体存储罐100的内表面100a上形成钝化部150，并且钝化部150可以至少部分地覆盖气体存储罐100的内表面100a。例如，钝化部150可以至少部分地覆盖气体存储罐100的内表面100a的下部和上部。气体存储罐100的内表面100a的下部可以包括气体存储罐100的内侧壁的底表面100b和下部100c。气体存储罐100的内表面100a的上部可以包括气体存储罐100的内侧壁的上部100d。气体存储罐100的内表面100a的上部可以比气体存储罐100的底表面100b靠近阀190。可以通过物理吸附、化学吸附或通过一些其它方法的吸附使钝化部150吸附到气体存储罐100的内表面100a上。然而，本专利技术不限于该特定构造。与上述气体相同的材料(例如，一氯硅烷)可以被存储并且可以被施加到气体存储罐100的内表面100a上以形成钝化部150。例如，钝化部150可以包括一氯硅烷和/或其衍生物。钝化部150可以处于液态。参照图2C，气体存储罐100的内部空间可以填充有一氯硅烷(MCS)。可以将一氯硅烷(MC本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层，其中，气体存储罐包括锰。

【技术特征摘要】
2018.04.06 KR 10-2018-00400891.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层，其中，气体存储罐包括锰。2.根据权利要求1所述的方法，其中，将钝化部设置在气体存储罐的内表面上，并且其中，一氯硅烷接触气体存储罐内的钝化部。3.根据权利要求2所述的方法，其中，钝化部包括一氯硅烷和/或一氯硅烷的衍生物。4.根据权利要求1所述的方法，其中，存储在气体存储罐中的一氯硅烷具有99.90vol％至100vol％的纯度。5.根据权利要求1所述的方法，其中，气体供应单元还包括至少部分地围绕气体存储罐的机壳，并且其中，在形成含硅层期间，机壳内的温度保持在-45摄氏度至10摄氏度的范围内。6.根据权利要求5所述的方法，其中，机壳包括温度控制装置。7.根据权利要求5所述的方法，其中，气体供应单元还包括设置在机壳外部的温度控制装置，温度控制装置被构造为保持机壳内的温度。8.根据权利要求1所述的方法，其中，气体存储罐包括：外罐；以及内罐，设置在外罐的内表面内并与外罐的内表面接触，其中，内罐的锰含量大于外罐的锰含量。9.根据权利要求1所述的方法，其中，气体存储罐的锰含量在1wt％至26wt％的范围内。10.根据权利要求9所述的方法，其中，气体存储罐还包括铁、硅、碳、磷和/或硫。11.根据权利要求1所述的方法，其中，将一氯硅烷供应到处理腔室中的步骤包括：将一氯硅烷从气体存储罐传送到气体供应管中，其中，气体供应管包括锰。12.根据权利要求1所述的方法，其中，一氯硅烷以液化气态存储在气体存储罐中。13.一种沉积系统，所述沉积系统包括：处理腔室；以及气体供应单元，设置在处理腔室的外部，气体供应单元被构造为将一氯硅烷供应...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩铅沃，郑元雄，朴金锡，朴判贵，柳廷昊，赵润贞，孔炳九，金美柾，李真旭，张彰恩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，爱思开新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR