有时在液晶显示装置中将亮点缺陷变换为暗点缺陷。此时，作为现有技术，存在通过激光将彩色滤光片黑化、通过激光等将TFT与像素电极之间切断、使像素电极和相对电极短路等方法，但控制性、可靠性方面存在问题。特征在于，在FFS型液晶显示装置中形成相对电极(8)时，在通过缺陷检查装置等预先判明为亮点缺陷的第1像素(47a)没有设置狭缝(8a)。在没有狭缝的像素处，由于没有产生原本应该在狭缝附近产生的边缘电场，因此即使将信号电位输入到像素电极(6)也能够设为暗点缺陷。
【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置和该液晶显示装置的制造方法
本专利技术涉及显示装置，特别涉及具有液晶显示面板的液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示面板由于其重量轻、厚度薄、耗电量低等特性，被用于以电视、汽车导航系统、计算机为代表的许多领域。近年来，正在生产高清或更大画面的液晶显示面板，面板中的像素的数量也趋于增加。通常，随着像素数的增加，对显示造成不良影响的缺陷的发生率也增加，这会使生产上的成品率降低而引起成本增加。因此，通过进行修复来修复缺陷、或变换为容许程度更高的缺陷。作为这样的修复方法之一，已知将亮点缺陷变换为暗点缺陷的方法。这里，亮点缺陷是指即使在将液晶面板的显示设为黑色显示时，也存在明亮地点亮的像素的缺陷。另一方面，暗点缺陷是指即使在将液晶面板的显示设为白色显示时，也存在不点亮的像素的缺陷。通常，由于与暗点缺陷相比亮点缺陷容易被视觉辨认出，因此有时进行将亮点缺陷变换(暗点化)为暗点缺陷的修复。作为这样的修复方法已知各种技术。例如，另外，还已知使构成彩色滤光片的色素变质为黑色的方法。(参照专利文献1)另一方面，还已知并非表观上的遮光，而是以电气的方式进行暗点化的方法。例如，已知通过激光等手段将在液晶显示面板的阵列基板形成的薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)与像素电极的连接切断的技术。(参照专利文献2)另外，已知在如FFS方式、面内切换(In-Plane-Switching)方式那样的横向电场型的液晶显示面板的情况下，使阵列基板之上的像素电极和相对电极(共用电极)短路的技术。(参照专利文献3)专利文献1：日本特开2007-102223号公报专利文献2：日本特开2009-151093号公报专利文献3：日本特开2010-145667号公报但是，在使构成彩色滤光片的色素变质为黑色的方法中，由于是在点亮检查后进行，因此能够可靠地掌握亮点缺陷，但存在如下问题，即，变质为黑色的控制是困难的，在此基础上，还会耗费时间。并且，就将薄膜晶体管和像素电极之间的连接切断的方法而言，由于从原理上来说是破坏，因此会引起周边的破损、由飞散到周边的导电材料的附着导致的导通等。另外，就将像素电极和相对电极(公共电极)短路的方法而言，存在难以将两者间的连接电阻降低的问题。如上所述，在用于将亮点缺陷变换(暗点化)为暗点缺陷的现有技术中，存在控制困难、产生新的问题、难以可靠地变换的问题。
技术实现思路
在本专利技术中，其课题为，特别是针对最近成为主流的边缘场切换方式(FFS方式)的液晶显示面板，不像现有技术那样进行切断、短路，就将亮点缺陷变换(暗点化)为暗点缺陷。本专利技术涉及的液晶显示装置具有：栅极配线和源极配线，它们在阵列基板的显示区域内彼此交叉；像素，其处于所述显示区域内，具有像素电极、至少1个与所述栅极配线和所述源极配线连接的开关元件；以及相对电极，其隔着绝缘膜与所述像素电极相对，该液晶显示装置的特征在于，在所述像素电极和所述相对电极的至少一者形成有狭缝，所述像素包含第1像素和第2像素，第1像素的狭缝的面积小于第2像素的狭缝的面积的10％。专利技术的效果根据本专利技术，不进行切断、短路，即可将亮点缺陷变换为暗点缺陷。附图说明图1是表示实施方式涉及的液晶显示装置所使用的TFT阵列基板的结构的正视图。图2是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的像素结构的俯视图。图3是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的像素结构的剖视图。图4A及图4B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的像素结构的剖视图。图5A及图5B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的像素结构的剖视图。图6是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的像素结构的剖视图。图7A及图7B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图8A及图8B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图9A及图9B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图10A及图10B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图11A及图11B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图12A及图12B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图13A及图13B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图14A及图14B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图15A及图15B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图16A及图16B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图17A及图17B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图18A及图18B是表示实施方式1涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图19A及图19B是表示实施方式1变形例涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图20A及图20B是表示实施方式1变形例涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图21A及图21B是表示实施方式1变形例涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图22A及图22B是表示实施方式2涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图23A及图23B是表示实施方式2涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图24A及图24B是表示实施方式2涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图25A及图25B是表示实施方式2涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图26A及图26B是表示实施方式2涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图27A及图27B是表示实施方式2变形例涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图28A及图28B是表示实施方式2变形例涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图29A及图29B是表示实施方式2变形例涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图30A及图30B是表示实施方式3涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图31A及图31B是表示实施方式3涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图32A及图32B是表示实施方式3涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图33A及图33B是表示实施方式3涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图34A及图34B是表示实施方式3涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图35A及图35B是表示实施方式3涉及的TFT阵列基板的一个制造工序的剖视图。图36是表示引起亮点缺陷的故障模式的剖视图。图37是表示引起亮点缺陷的故障模式的剖视图。图38是表示引起亮点缺陷的故障模式的剖视图。图39是表示引起亮点缺陷的故障模式的剖视图。图40是表示引起亮点缺陷的故障模式的剖视图。图41是表示引起亮点缺陷的故障模式的剖视图。图42是表示引起亮点缺陷的故障模式的剖视图。标号的说明1基板，2半导体膜，3欧姆接触膜，4源极电极，5漏极电极，6像素电极，6a第1透明导电膜图案，8相对电极，8a狭缝，11栅极绝缘膜，12层间绝缘膜，13接触孔，41显示区域，42边框区域，43栅极配线，43a共用配线，44源极配线，45扫描信号驱动电路，46显示信号驱动电路，47像素，47a第1像素，47b第2像素，48、49外部配线，50TFT，51沟道区域，52蚀刻妨碍本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：栅极配线和源极配线，它们在阵列基板的显示区域内彼此交叉；像素，其处于所述显示区域内，具有像素电极、至少1个与所述栅极配线和所述源极配线连接的开关元件；以及相对电极，其隔着绝缘膜与所述像素电极相对，在所述像素电极和所述相对电极的至少一者形成有狭缝，所述像素包含第1像素和第2像素，第1像素的狭缝的面积小于第2像素的狭缝的面积的10％。
【技术特征摘要】
2018.04.04 JP 2018-0724911.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：栅极配线和源极配线，它们在阵列基板的显示区域内彼此交叉；像素，其处于所述显示区域内，具有像素电极、至少1个与所述栅极配线和所述源极配线连接的开关元件；以及相对电极，其隔着绝缘膜与所述像素电极相对，在所述像素电极和所述相对电极的至少一者形成有狭缝，所述像素包含第1像素和第2像素，第1像素的狭缝的面积小于第2像素的狭缝的面积的10％。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述第1像素没有形成狭缝。3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于，所述开关元件还具备与所述源极配线电连接的源极电极、与所述像素电极电连接的漏极电极，在所述第1像素，所述源极电极或所述源极配线与所述漏极电极或所述像素电极经由导电膜进行连接。4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述导电膜包含金属膜、透明导电膜、氧化物半导体膜、添加了杂质的半导体膜的任意者。5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于，所述导电膜为半导体膜且形成于光透过部。6.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：在基板之上形成栅极配线的工序；形成半导体膜的工序；以隔着第1绝缘膜与所述栅极配线交叉的方式形成源极配线的工序；形成像素电极的工序；形成层间绝缘膜的工序；以及以隔着所述层间绝缘膜与所述像素电极相对的方式形成相对电极的工序，所述像素电极和所述相对电极的任意一者具有狭缝，开关元件构成为，将与所述源极配线电连接的源极电极、与所述像素电极电连接的漏极电极电连接至所述半导体膜，第1像素的狭缝的面积小于第2像素的狭缝的面积的10％。7.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：野口英树，岩坂利彦，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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