液晶显示装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供闪烁及最佳Vcom的偏移得到抑制的FFS模式的液晶显示装置。液晶显示装置(100)具有有源矩阵基板(10)、对置基板(20)及液晶层(30)。有源矩阵基板具有规定初始取向方位的取向膜(13)和生成边缘电场的第一电极(11)及第二电极(12)。对置基板具有透明基板(20a)和设在透明基板的液晶层侧的第三电极(21)。第一电极是像素电极，第二电极是共用电极。对第三电极施加与共用电极上所施加的共用电压Vcom不同的直流电压Vd。

Liquid crystal display device and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置及电子设备
本专利技术涉及液晶显示装置，尤其涉及以FFS模式进行显示的液晶显示装置。而且，本专利技术还涉及具备此种液晶显示装置的电子设备。
技术介绍
近年来，多采用边缘场切换(FringeFieldSwitching，FFS)模式作为智能手机用或平板电脑用液晶显示装置的显示模式。FFS模式的液晶显示装置例如在专利文献1中有所公开。在FFS模式的液晶显示装置中，在夹持水平取向型液晶层的一对基板的一个上，设置用于生成边缘电场的一对电极。该一对电极典型的是形成了多个狭缝的像素电极和隔着绝缘层而配置在像素电极下方的共用电极。如果在像素电极与共用电极之间施加电压，则生成边缘电场，由于该边缘电场的取向限制力而使液晶分子的取向方向变化。如上所述，在FFS模式的液晶显示装置中，使用边缘电场来控制液晶分子的取向状态。在FFS模式中，液晶分子在平行于显示面的面内旋转，因此获得较高的视角特性。迄今为止，多数情况下对FFS模式的液晶显示装置的取向膜进行摩擦处理，但最近提出了如下方法：为了减少取向不均等而进行光取向处理(即，使用光取向膜作为取向膜)。而且，液晶显示装置的有源矩阵基板在每个像素中具有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor；以下称为“TFT”)作为开关元件。作为此种TFT，已知使用氧化物半导体层作为有源层的TFT(以下称为“氧化物半导体TFT”)。在专利文献2中公开了在TFT的有源层中使用InGaZnO(由铟、镓、锌构成的氧化物)的液晶显示装置。氧化物半导体TFT可以比非晶硅TFT更高速地工作。而且，氧化物半导体膜可通过比多晶硅膜更简便的工艺而形成，因此还可以应用于需要大面积的装置中。因此，期待氧化物半导体TFT成为可抑制制造工序数或制造成本地制作的高性能的有源元件。此外，氧化物半导体TFT的截止泄漏(off-leak)特性优异，因此还可以利用使图像的重写频率降低而进行显示的驱动方式。例如，在进行静止图像显示时等情况下，能够以每秒一次的频率重写图像数据的方式进行工作。此种驱动方式被称为休止驱动或低频驱动等，可大幅削减液晶显示装置的功耗。现有技术文献专利文献[专利文献1]日本专利特开2002-182230号公报[专利文献2]日本专利特开2012-134475号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在FFS模式的液晶显示装置中存在如下问题：驱动频率越变低(即一帧周期变长)，则越变得容易视觉辨认到闪烁。而且，本申请专利技术者研究了采用比电阻高于现有材料的材料作为FFS模式的液晶显示装置用的光取向膜材料。所研究的光取向膜材料在使对比比率或耐残影性、长期可靠性提高的方面而言优异。根据本申请专利技术者的研究可知，如果使用上述光取向膜材料，则产生如下新的问题：在液晶显示装置的使用中最佳的共用电压Vcom(以下也称为“最佳Vcom”)较大程度地偏移。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供闪烁及最佳Vcom的偏移得到抑制的FFS模式的液晶显示装置。解决问题的方案本专利技术实施方式的液晶显示装置是具有有源矩阵基板、与所述有源矩阵基板对向的对置基板、设在所述有源矩阵基板与所述对置基板之间的液晶层，且具有排列为矩阵状的多个像素的液晶显示装置，所述有源矩阵基板具有：取向膜，其是以与所述液晶层相接的方式设置的取向膜，规定初始取向方位，即，未对所述液晶层施加电场时的液晶分子的取向方位；及第一电极及第二电极，其生成使所述液晶分子取向于与所述初始取向方位不同的方位上的边缘电场，所述对置基板具有透明基板和第三电极，所述第三电极设于所述透明基板的所述液晶层侧，与所述第一电极及所述第二电极对置，所述第一电极是设在所述多个像素的每一个上的像素电极，所述第二电极是共用地设置于所述多个像素上的共用电极，对所述第三电极施加与所述共用电极上所施加的共用电压Vcom不同的直流电压Vd。在某一实施方式中，将所述直流电压Vd设定为如下的范围内，即，未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压±0.5V的范围内。在某一实施方式中，将所述直流电压Vd设定为未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压与0V之间。在某一实施方式中，将所述直流电压Vd设定为如下的范围内，即，未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压+0.15V以上、且未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压+0.3V以下的范围内。在某一实施方式中，设定所述直流电压Vd使得以255灰阶的点亮画面点亮24小时后的最佳共用电压的变化量成为50mV以内。在某一实施方式中，设定所述直流电压Vd使得驱动频率为24Hz时的128灰阶的点亮画面的闪烁度成为-60dB以下。在某一实施方式中，所述液晶分子具有负的介电各向异性。在某一实施方式中，所述取向膜是光取向膜。在某一实施方式中，所述光取向膜是光异构化型、光分解型或光二聚化型的光取向膜。在某一实施方式中，所述液晶显示装置更具有背光源，所述背光源点亮时的所述光取向膜的比电阻为1×1013Ω·cm以上。在某一实施方式中，所述液晶显示装置能够以40Hz以下的驱动频率来驱动。在某一实施方式中，所述像素电极隔着绝缘层而设于所述共用电极上。在某一实施方式中，所述绝缘层包含氮化硅层、氧化硅层或氧氮化硅层。在某一实施方式中，所述绝缘层具有包含所述氮化硅层、所述氧化硅层及所述氧氮化硅层中的两层的层叠结构。在某一实施方式中，所述对置基板更具有：设于所述透明基板的所述液晶层侧的彩色滤光片层、及覆盖所述彩色滤光片层的外涂层，所述第三电极设于所述外涂层上，从所述透明基板侧起顺次配置着所述彩色滤光片层、所述外涂层及所述第三电极。在某一实施方式中，所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极分别由ITO或IZO形成。在某一实施方式中，所述有源矩阵基板更具有与所述像素电极电连接的TFT，所述TFT包含氧化物半导体层。在某一实施方式中，所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O类半导体。在某一实施方式中，所述In-Ga-Zn-O类半导体包含结晶质部分。本专利技术的实施方式的电子设备具备具有上述任意构成的液晶显示装置。专利技术效果根据本专利技术的实施方式，可提供闪烁及最佳Vcom的偏移得到抑制的FFS模式的液晶显示装置。附图说明图1是示意性表示本专利技术的实施方式的液晶显示装置100的剖视图。图2是示意性表示试制例1的液晶显示装置800的剖视图。图3是示意性表示试制例2的液晶显示装置900的剖视图。图4的(a)及(b)分别是表示关于试制例1及2的，驱动频率为24Hz、128灰阶的点亮画面的共用电压Vcom与闪烁度的关系的图表(以最佳Vcom为基准)。图5的(a)及(b)分别是表示关于试制例1及2的，当驱动频率为24Hz时，最佳Vcom的在128灰阶的点亮画面中的闪烁波形的图表。图6的(a)及(b)分别是表示关于试制例1及2的，当驱动频率为2Hz时，最佳Vcom的在128灰阶的点亮画面中的闪烁波形的图表。图7的(a)是表示关于试制例3的，当将直流电压Vd的值设为-1V、-0.5V、-0.3V、0V、+0.5V时，驱动频率为24Hz、128灰阶的点亮画面的共用电压Vcom与闪烁度的关系的图表(以Vd＝0V时的最佳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，其是具有有源矩阵基板、与所述有源矩阵基板对置的对置基板、以及设在所述有源矩阵基板与所述对置基板之间的液晶层，且具有排列为矩阵状的多个像素的液晶显示装置，所述液晶显示装置的特性在于，所述有源矩阵基板具有：取向膜，其是以与所述液晶层相接的方式设置的取向膜，且规定初始取向方位，即，未对所述液晶层施加电场时的液晶分子的取向方位；及第一电极及第二电极，其生成使所述液晶分子取向于与所述初始取向方位不同的方位上的边缘电场，所述对置基板具有：透明基板、及第三电极，其设于所述透明基板的所述液晶层侧，且与所述第一电极及所述第二电极对置，所述第一电极是设在所述多个像素的每一个上的像素电极，所述第二电极是共用地设置于所述多个像素上的共用电极，对所述第三电极施加与所述共用电极上所施加的共用电压Vcom不同的直流电压Vd。

【技术特征摘要】
2018.04.02 JP 2018-0707921.一种液晶显示装置，其是具有有源矩阵基板、与所述有源矩阵基板对置的对置基板、以及设在所述有源矩阵基板与所述对置基板之间的液晶层，且具有排列为矩阵状的多个像素的液晶显示装置，所述液晶显示装置的特性在于，所述有源矩阵基板具有：取向膜，其是以与所述液晶层相接的方式设置的取向膜，且规定初始取向方位，即，未对所述液晶层施加电场时的液晶分子的取向方位；及第一电极及第二电极，其生成使所述液晶分子取向于与所述初始取向方位不同的方位上的边缘电场，所述对置基板具有：透明基板、及第三电极，其设于所述透明基板的所述液晶层侧，且与所述第一电极及所述第二电极对置，所述第一电极是设在所述多个像素的每一个上的像素电极，所述第二电极是共用地设置于所述多个像素上的共用电极，对所述第三电极施加与所述共用电极上所施加的共用电压Vcom不同的直流电压Vd。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，将所述直流电压Vd设定为如下的范围内，即，未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压±0.5V的范围内。3.根据权利要求1或2所述的液晶显示装置，其特征在于，将所述直流电压Vd设定为未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压与0V之间。4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，将所述直流电压Vd设定为如下的范围内，即，未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压+0.15V以上、且未对所述第三电极施加所述直流电压Vd而将其设为地电位时的最佳共用电压+0.3V以下的范围内。5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，设定所述直流电压Vd使得以255灰阶的点亮画面点亮24小时后的最佳共用电压的变化量为50mV以内。6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于，设定所述直流电压Vd使得驱动频率为24Hz时的128灰阶的点...

【专利技术属性】
技术研发人员：品田庆，松下友久，清水雅宏，深谷哲生，佐佐木太一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP