【技术实现步骤摘要】
一种新型的芯片封装结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体封装的
，具体涉及一种新型的芯片封装结构及其制作方法。
技术介绍
随着科技的迅速发展，MOSFET、IGBT功率模块等功率器件一方面朝着高密度、高性能、高可靠性、低成本的方向发展，另一方面不断向微型化、密间距发展，因此，电子产品在制作工艺上被提出了严苛的要求，尤其是对于芯片封装来说，芯片封装工艺，由于其结构和制作流程较复杂，这对芯片封装之后的散热、导通性提出了越来越高的挑战。传统的半导体键合金线(Wiringbonding)工艺难以满足目前的性能要求。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术中存在的芯片封装后结构刚性强度低、散热性差的技术问题，提出一种芯片封装结构简单、电气路径短、封装结构刚性高、散热效果好的新型的芯片封装结构及其制作方法。为实现上述目的，本专利技术提供一种新型的芯片封装结构，其包括芯片本体，所述芯片本体底面粘接有导电胶，所述导电胶形成在导电层上，所述导电层具有第一开口，所述导电层的底面形成有底部金属化层，绝缘层覆盖所述芯片本体和所述导电层，所述绝缘层具有形成在所述底部金属化层上的第二开口，...
【技术保护点】
1.一种新型的芯片封装结构，其特征在于：包括芯片本体(41)，所述芯片本体(41)底面粘接有导电胶(40)，所述导电胶(40)形成在导电层(20)上，所述导电层(20)具有第一开口，所述导电层(20)的底面形成有底部金属化层(81)，绝缘层(50)覆盖所述芯片本体(41)和所述导电层(20)，所述绝缘层(50)具有形成在所述底部金属化层(81)上的第二开口，铜基材(11)具有形成在所述绝缘层(50)上的平台部分和形成在所述第二开口中的突出部分，所述平台部分和所述突出部分形成阶梯铜基材(11)，其中所述芯片本体(41)上的所述绝缘层(50)和所述铜基材(11)的所述平台部分共...
【技术特征摘要】
1.一种新型的芯片封装结构，其特征在于：包括芯片本体(41)，所述芯片本体(41)底面粘接有导电胶(40)，所述导电胶(40)形成在导电层(20)上，所述导电层(20)具有第一开口，所述导电层(20)的底面形成有底部金属化层(81)，绝缘层(50)覆盖所述芯片本体(41)和所述导电层(20)，所述绝缘层(50)具有形成在所述底部金属化层(81)上的第二开口，铜基材(11)具有形成在所述绝缘层(50)上的平台部分和形成在所述第二开口中的突出部分，所述平台部分和所述突出部分形成阶梯铜基材(11)，其中所述芯片本体(41)上的所述绝缘层(50)和所述铜基材(11)的所述平台部分共同形成有通孔，顶部金属化层(80)填充所述通孔并覆盖所述铜基材(11)顶面，所述铜基材(11)和所述顶部金属化层(80)的面积小于所述绝缘层(50)以露出所述绝缘层(50)的部分顶面，在所述绝缘层(50)露出的所述部分顶面部分及所述铜基材(11)和顶部金属化层(80)的侧面和部分顶面的顶部绝缘层(100)，在所述底部金属化层(81)中形成有第二开口以露出所述绝缘层(50)的部分底面，在所述第二开口中和所述底部金属化层(81)的侧面及部分顶部形成有底部绝缘层(101)。2.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构，其特征在于，其中所述导电层(20)的材料选自于铜、铝、金、银、锡、铅及其合金或填充金属的有机物。3.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构，其特征在于，其中所述顶金属化层(80)、所述底金属化层(81)的材料选自于铜、铝、金、银、其合金及有填充金属的有机物。4.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构，其特征在于，其中所述绝缘层(50)、所述顶部绝缘层(100)、所述底部绝缘层(101)的材料选自于填充二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅的有机绝缘物、线路板材料、油墨。5.一种如权利要求1所述的新型的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S101、提供作为补强载体用的可分离材料(10)及铜基材(11)；S102、在所述可分离材料(10)上制作导电层(20)；S103、对所述铜基材(11)进行图案化，形成具有平台部分和突出部分的阶梯状铜基材(11)，对所述导电层(20)进行图案化以形成第一开口以露出部分所述可分离材料(10)；S104、在制作完成好图案化的所述导电层(20)上依序粘接导电胶(40)以及芯片本体(41)；S105、将所述铜基材(11)的突出部分直接压合接触到所述分离材料(10)上，采用套孔压合方法在所述分离材...
【专利技术属性】
技术研发人员：李俊，叶怀宇，刘旭，裴明月，张国旗，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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