利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器及制备方法技术

本发明专利技术涉及利用非对称结构实现高性能的F‑P薄膜滤波器及制备方法。改结构是在腔层上方沉积3个周期的高低折射率材料，下方沉积3个周期高低折射率材料，最后再表面沉积一层低折射率材料，起到提升滤波器性能(提升半峰宽和反射抑制比)。以L代表低折射率材料，H代表高折射率材料，2H代表腔层材料，Sub代表衬底，即整体的滤波器结构表示为LHLHLH‑2H‑LHLHLH‑Sub，腔层上下3个周期的高低折射率层组合(HL)。高折射率材料选用了非晶硅(a‑Si)，低折射率材料选用了氮化硅(SiNx)，衬底选用硅衬底，制备手段主要是利用RF‑PECVD。本发明专利技术的非对称F‑P薄膜滤波器的机构，具有高反射滤波性能、设备要求低，工艺制作简单等优点。

High performance F-P thin film filter with asymmetric structure and its preparation

【技术实现步骤摘要】
利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器及制备方法
本专利技术涉及光探测、光传感、光通信等领域，特别是利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器及制备方法。
技术介绍
F-P滤波器的概念在18世纪就已经提出了，两端高反膜加上中间腔层使其有优异的波长选择性能。如今半导体工艺和光电技术的迅猛发展使得F-P薄膜滤波器受到了更多人的关注，而其在激光系统，光栅传感、光纤通信和红外探测领域都有着巨大的应用前景。光纤通信领域的波分复用(WDM)系统利用滤波器的波长选择性实现光信号的分离(解复用)，实现单光纤的多信号传输和分离；F-P滤波器在红外探测领域中利用光读出方式，因光刻工艺少，制造简单、材料成本低廉、集成度高使其有广阔的市场前景。多领域的应用，对薄膜滤波器的性能提出了更高的要求，以及更低的成本。例如中国专利201010191816.9“一种红外-可见光波长转换器”、中国专利201710979412.8“能够适应高温的薄膜滤波器制造方法”等提到薄膜滤波器。但是，因为衬底的存在，这些对称型F-P薄膜滤波器滤波性能(抑制比，半峰宽等)一般，而且存在制备过程中的多次光刻和腐蚀等工序大大提高了工艺制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.利用非对称结构实现高性能的F‑P薄膜滤波器，其特征在于：基于腔层两端利用增透膜实现非对称的F‑P薄膜滤波器结构，可以有效地提高滤波器的滤波性能，包括半峰宽和反射抑制比。

【技术特征摘要】
1.利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器，其特征在于：基于腔层两端利用增透膜实现非对称的F-P薄膜滤波器结构，可以有效地提高滤波器的滤波性能，包括半峰宽和反射抑制比。2.根据权利要求1所述的利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器，其特征在于：腔层材料为非晶硅，厚度为1/2波长。3.根据权利要求1所述的利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器，其特征在于：腔层底部3个周期非晶硅(a-Si)/氮化硅(SiNx)组合，厚度均为1/4波长。4.根据权利要求1所述的利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器，其特征在于：腔层顶部3个周期氮化硅(SiNx)/非晶硅(a-Si)组合，厚度均为1/4波长。5.根据权利要求1所述的利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器，其特征在于：顶部增透膜为氮化硅(SiNx)，厚度为1/4波长。6.利用非对称结构实现高性能的F-P薄膜滤波器的制备方法，具体步骤，其特征在于：(a)采用低阻抛光硅片，在RF-PECVD外部腔体预...

【专利技术属性】
技术研发人员：何燕军，刘爽，李佳城，宋轶佶，许阳，龙飞，刘永，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51