掺杂氧化镓晶态材料及其制备方法和应用技术

技术编号:22299742 阅读:34 留言:0更新日期:2019-10-15 08:22
本发明专利技术公开了一种VB族元素掺杂β‑氧化镓晶态材料及其制备方法和应用。该系列掺杂β‑Ga2O3晶态材料属于单斜晶系,空间群为C2/m,电阻率在2.0×10

Doped GaO Crystalline Materials and Their Preparation and Application

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请,说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请,权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01....

【专利技术属性】
技术研发人员:夏长泰赛青林周威齐红基
申请(专利权)人:中国科学院上海光学精密机械研究所
类型:发明
国别省市:上海,31

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