有机电致发光元件的制造方法技术

一种在阴极与基板上的阳极之间层积有包含发光层的多层有机化合物层的有机电致发光元件的制造方法，包括将包含下式(1)所示的含硼化合物和选自碳原子数3～8的醇、腈、脂肪族烃的溶剂的组合物涂布在发光层上而形成层的工序。式中，虚线圆弧表示与实线所示的骨架部分形成环结构。实线所示的骨架部分中的虚线部分表示以虚线连接的1对原子经单键或双键连接。从氮原子指向硼原子的箭头表示氮原子与硼原子配位。Q

Manufacturing Method of Organic Electroluminescent Elements

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光元件的制造方法
本专利技术涉及有机电致发光元件的制造方法。更详细地说，涉及能够用作电子设备的显示部等显示装置或照明装置等的有机电致发光元件的制造方法。
技术介绍
有机电致发光元件(有机EL元件)作为能够适用于显示用器件或照明的新的发光元件而受到期待。有机电致发光元件具有在阳极与阴极之间夹有包含含有发光性有机化合物而形成的发光层的一种或两种以上的层而成的结构，利用从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子发生再结合时的能量对发光性有机化合物进行激发而得到发光。有机电致发光元件为电流驱动型元件，为了更有效地利用所流通的电流，对元件结构进行了各种改良，并且对构成元件的层的材料也进行了各种研究。在作为有机电致发光元件的材料被进行研究的化合物中存在含硼化合物。含硼化合物由于硼原子的分子轨道中的电子状态所致的电子特性而作为例如需要电子接受性等特性的有机电致发光元件的电子传输/注入材料或者空穴阻挡材料等受到期待。特别是有机电致发光元件具有作为显示器的各种优异特性，因此正在积极进行能够实现更进一步的高性能化的材料的开发。可用于这样的用途中的含硼化合物由于其电子特性的原因，难以制成稳定的结构，因此现状是能够实际用于电子器件材料用途中的含硼化合物是有限的。在这样的状况下，为了将含硼化合物用作下一代的有机电子器件材料，正在进行能够发挥出硼原子所带来的优异的特有性质、同时能够稳定地进行处理的新型化合物的开发。截止目前，作为以用作有机电子器件材料为目标而进行了研究的含硼化合物，例如公开了下述有机EL元件材料，该有机EL元件材料是包含具有不成对电子且能够与硼配位结合的元素、具有特定结构的有机含硼化合物(例如，参见专利文献1)。另外还公开了将下述有机硼系π电子系化合物用作电子传输材料的技术，该有机硼系π电子系化合物包含氮与硼进行分子内配位而成的结构，且具有1～400个具有特定结构的结构单元结合为链状而成的结构(例如，参见专利文献2)。进一步公开了具有特定结构的含硼原子化合物(例如，参见专利文献3)。此外，最近，为了在确保有机EL元件的性能的同时提高耐久性，作为不含碱金属的电子注入层，例如在非专利文献1中记载了一种具有由聚乙烯亚胺形成的电子注入层的有机EL元件。另外，在非专利文献2中记载了电解质膜对于改善电子的注入速度是有效的，在非专利文献3中记载了这些氨基对于电极与有机层界面处的电子注入所带来的效果。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4600288号公报专利文献2：国际公开第2006/070817号专利文献3：日本特开2013-53123号公报非专利文献非专利文献1：JiangshanChenet.al.,JournalOfMaterialsChemistry,第22卷,2012年,p5164-5170非专利文献2：HyosungChoiet.al.,AdvancedMaterials,第23卷,2011年,p2759非专利文献3：YinhuaZhoet.al.,Science,第336卷,2012年,p327
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如上所述，作为有机电致发光元件的材料，对含硼化合物、聚乙烯亚胺等进行了研究，但有机电致发光元件的性能不仅受到形成层积结构的各层的材料的特性的影响，而且还受到元件的构成、各层的形成方法等的影响。因此，除了可发挥出优异特性的材料的开发以外，对于使使用了该材料的元件发挥出充分的特性、且以低成本制造这样的元件的方法也还有研究的余地。特别是有机电致发光元件中有在基板上形成阳极的正向结构的元件和在基板上形成阴极的反向结构的元件，对于具有更常见的正向结构的元件，除了材料的研究以外，还要求开发出能够低成本地制造充分发挥该材料的特性的元件的方法。本专利技术是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供一种有机电致发光元件的制造方法，该方法能够低成本地制造特性优异的正向结构的有机电致发光元件。用于解决课题的手段本专利技术人对于能够低成本地制造特性优异的正向结构的有机电致发光元件的制造方法进行了各种研究，结果发现，使用具有特定结构的含硼化合物作为有机电致发光元件的材料，制成包含该含硼化合物以及选自由碳原子数为3～8的醇、腈、脂肪族烃组成的组中的溶剂的组合物，将该组合物涂布在发光层上而形成层时，能够低成本地制造发挥出优异特性的有机电致发光元件。本专利技术人进一步发现，对于具有特定结构的含氨基化合物，制成包含该含氨基化合物以及选自由碳原子数为1～8的醇和腈组成的组中的溶剂的组合物，将该组合物涂布在发光层上而形成层时，也能够低成本地制造发挥出优异特性的有机电致发光元件，从而实现了本专利技术。即，本专利技术涉及一种有机电致发光元件的制造方法，该有机电致发光元件具有在阴极与形成于基板上的阳极之间层积有包含发光层的2层以上的有机化合物层的结构，该制造方法的特征在于，该制造方法包括将组合物涂布在发光层上而形成层的工序，该组合物包含下式(1)所表示的含硼化合物以及选自由碳原子数为3～8的醇、腈、脂肪族烃组成的组中的溶剂，[化1](式中，虚线圆弧表示与实线所表示的骨架部分一起形成环结构。实线所表示的骨架部分中的虚线部分表示以虚线连接的1对原子经单键或双键连接。从氮原子指向硼原子的箭头表示氮原子与硼原子配位。Q1和Q2相同或不同，为实线所表示的骨架部分中的连接基团，Q1和Q2至少一部分与虚线圆弧部分一起形成环结构，Q1和Q2具有或不具有取代基。X1、X2相同或不同，表示氢原子或者作为环结构的取代基的1价取代基。X3、X4相同或不同，表示作为环结构的取代基的电子传输性的1价取代基。n1～n4相同或不同，表示1～4的数。)上述溶剂优选为碳原子数为3～8的醇。优选上述Q1和Q2相同或不同，表示碳原子数为1的连接基团。上述电子传输性的1价取代基优选为来自在环内具有碳-氮双键的杂芳环化合物的1价基团中的任一种。上述含硼化合物优选由下式(5-1)表示。[化2](式中，从氮原子指向硼原子的箭头、X1、X2、X3和X4、n1～n4与式(1)相同。)上述含硼化合物优选由下式(5-2)表示。[化3](式中，从氮原子指向硼原子的箭头、X1、X2、X3和X4、n1～n4与式(1)相同。)本专利技术还涉及一种有机电致发光元件的制造方法，该有机电致发光元件具有在阴极与形成于基板上的阳极之间层积有包含发光层的2层以上的有机化合物层的结构，该制造方法的特征在于，该制造方法包括将组合物涂布在发光层上而形成层的工序，该组合物包含具有下式(7)所表示的结构的含氨基化合物以及选自由碳原子数为1～8的醇和腈组成的组中的溶剂，(Y)-[(L)-(NR1R2)]m(7)(式中，Y表示来自电子传输性化合物的m价基团。L表示将Y与NR1R2所表示的氨基键合的连接基团或直接键。R1和R2相同或不同，表示具有或不具有取代基的烃基。m表示1～8的数。)上述溶剂优选为碳原子数为1～8的醇。上述式(7)中，Y所表示的来自电子传输性化合物的m价基团中，优选与L键合的末端部分的结构为吡啶环。专利技术的效果本专利技术的有机电致发光元件的制造方法是使用特定结构的含硼化合物或含氨基化合物、能够低成本地制造发挥出优异特性的有机电致发光元件的方法，能够适合用作在显示装置或照明装置中使用的有机电致发光元件的制造方法。附图说明图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光元件的制造方法，该有机电致发光元件具有在阴极与形成于基板上的阳极之间层积有包含发光层的2层以上的有机化合物层的结构，该制造方法的特征在于，该制造方法包括将组合物涂布在发光层上而形成层的工序，该组合物包含下式(1)所表示的含硼化合物以及选自由碳原子数为3～8的醇、腈、脂肪族烃组成的组中的溶剂，[化1]

【技术特征摘要】
2018.03.28 JP 2018-0624071.一种有机电致发光元件的制造方法，该有机电致发光元件具有在阴极与形成于基板上的阳极之间层积有包含发光层的2层以上的有机化合物层的结构，该制造方法的特征在于，该制造方法包括将组合物涂布在发光层上而形成层的工序，该组合物包含下式(1)所表示的含硼化合物以及选自由碳原子数为3～8的醇、腈、脂肪族烃组成的组中的溶剂，[化1]式(1)中，虚线圆弧表示与实线所表示的骨架部分一起形成环结构，实线所表示的骨架部分中的虚线部分表示以虚线连接的1对原子经单键或双键连接；从氮原子指向硼原子的箭头表示氮原子与硼原子配位；Q1和Q2相同或不同，为实线所表示的骨架部分中的连接基团，Q1和Q2至少一部分与虚线圆弧部分一起形成环结构，Q1和Q2具有或不具有取代基；X1、X2相同或不同，表示氢原子或者作为环结构的取代基的1价取代基；X3、X4相同或不同，表示作为环结构的取代基的电子传输性的1价取代基；n1～n4相同或不同，表示1～4的数。2.如权利要求1所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述溶剂是碳原子数为3～8的醇。3.如权利要求1或2所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述Q1和Q2相同或不同，表示碳原子数为1的连接基团。4.如权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于，所述电子传输性的1价取代基是来自在环...

【专利技术属性】
技术研发人员：森井克行，长谷川宗弘，
申请(专利权)人：株式会社日本触媒，
类型：发明
国别省市：日本,JP