微发光二极管转移系统技术方案

本发明专利技术提供一种微发光二极管转移系统，包括基板；转移头，将微发光二极管转移到基板；静电吸盘，设置在基板的下部。在将微发光二极管转移到基板时，可以提供单独的力将微型LED拉到基板上。

Micro-Light Emitting Diode Transfer System

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管转移系统
本专利技术涉及一种微发光二极管(LightEmittingDiode，LED)的转移系统。
技术介绍
目前，显示器市场仍以液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)为主流，但有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下，微(Micro)LED(以下，称为“微LED”)显示器也逐渐成为下一代显示器。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料，与此相反，微LED显示器是将1微米至100微米(μm)单位的LED芯片本身用作发光材料的显示器。随着科锐(Cree)公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现“微LED”一词以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为为了将微LED应用在显示器而需解决的问题，需开发一种基于挠性(Flexible)原材料/元件制造微LED元件的定制型微芯片，需要一种微米尺寸的LED芯片的转移(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。尤其，关于将微LED元件移送到电路基板的转移(transfer)，因LED尺寸变小至1微米至100微米(μm)单位而无法使用以往的取放(pick&place)设备，需要一种以更高精确度进行移送的转移头技术。关于这种转移头技术，美国的勒克斯维(Luxvue)公司揭示了一种利用静电头(electrostatichead)转移微LED的方法(韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号，以下称为“现有专利技术1”)。美国的艾克斯瑟乐普林特(X-Celeprint)公司揭示了一种应用具有弹性的聚合物物质作为转移头而将晶片上的微LED移送到所期望的基板的方法(韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号，以下称为“现有专利技术2”)。韩国光技术院揭示了一种利用纤毛接着构造头转移微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号第1754528号，以下称为“现有专利技术3”)。韩国机械研究院揭示了一种在辊上涂覆接着剂来转移微LED的方法(韩国注册专利公报注册编号第1757404号，以下称为“现有专利技术4”)。三星显示器揭示了一种在阵列基板浸入在溶液的状态下对阵列基板的第一电极、第二电极施加负电压而通过静电感应现象将微LED转移到阵列基板的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0026959号，以下称为“现有专利技术5”)。乐金(LG)电子揭示了一种将头保持器配置到多个拾取头与基板之间，随多个拾取头的移动而形状变形来对多个拾取头提供自由度的方法(韩国公开专利公报第10-2017-0024906号，以下称为“现有专利技术6”)。然而，如上所述的现有专利技术在将微LED转移到基板时，采用仅依赖于转移头、微LED及基板间的作用力而转移微LED的方式。根据这些现有专利技术，存在如下问题：在微LED接合到基板时，在基板上的接合层与微LED彼此牢固地接合的过程中微LED不固定到准确位置而倾斜地接合。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第0731673号(专利文献2)韩国公开专利公报公开编号第2014-0112486号(专利文献3)韩国公开专利公报公开编号第2017-0019415号(专利文献4)韩国注册专利公报注册编号第1754528号(专利文献5)韩国注册专利公报注册编号第1757404号(专利文献6)韩国公开专利公报第10-2017-0026959号(专利文献7)韩国公开专利公报第10-2017-0024906号
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]因此，本专利技术的目的在于提供一种在将微LED转移到基板时，除简单地去除转移头的吸附力以外，设置在基板的下部而可另外赋予将微LED提拉到基板上的力的微LED转移系统。[解决问题的手段]为了达成本专利技术的这种目的，本专利技术的微LED转移系统包括：基板；转移头，将微LED转移到所述基板；以及静电吸盘，设置在所述基板的下部。所述微LED转移系统的特征在于：所述静电吸盘在利用静电力附着所述基板的同时，对吸附在所述转移头的微LED作用静电力而赋予下降力以使其掉落到所述基板。所述微LED转移系统的特征在于：所述静电吸盘为利用约翰逊-拉别克(Johnsen-Rahbek)效应的低电阻静电吸盘。所述微LED转移系统的特征在于：所述转移头包括具有气孔的多孔性部件，对所述气孔施加真空或解除所施加的真空而移送微LED。另外，所述微LED转移系统的特征在于：所述多孔性部件包括将金属阳极氧化而形成的阳极氧化膜。所述微LED转移系统的特征在于：所述多孔性部件包括第一多孔性部件及第二多孔性部件，所述第一多孔性部件真空吸附所述微LED，所述第二多孔性部件位于真空腔室与所述第一多孔性部件之间而将所述真空腔室的真空压传递到所述第一多孔性部件。所述微LED转移系统的特征在于：所述基板在附着所述微LED的位置具备接合垫。所述微LED转移系统的特征在于：所述接合垫为金属层。所述微LED转移系统的特征在于：所述接合垫为非金属层。所述微LED转移系统的特征在于：所述基板为电路基板。另一方面，本专利技术的微LED转移系统包括：利用设置在基板的下部的静电吸盘的静电力将所述基板附着到所述静电吸盘的步骤；将附着有微LED的转移头以远离基板的状态定位到所述基板上的步骤；赋予下降力以使利用所述静电吸盘的静电力附着在所述转移头的微LED掉落到所述基板侧的步骤；以及在转移在所述基板的微LED接合到所述基板的期间保持所述静电吸盘的静电力的步骤。另一方面，本专利技术的微LED转移系统包括：转移头，转移微LED；基板，从所述转移头接收所述微LED；以及静电吸盘，与所述基板分开地设置而对所述微LED施加静电力。另一方面，本专利技术的微LED转移系统包括：转移头，转移微LED；基板，从所述转移头接收所述微LED；以及磁性吸盘，与所述基板分开地设置在所述基板的下部而对所述微LED施加磁力。[专利技术效果]如上所述，本专利技术的微LED转移系统除简单地去除转移头的吸附力以外，设置在基板的下部而另外赋予将微LED提拉到基板上的力，从而可使微LED掉落到基板上，可防止微LED在基板上倾斜地接合。附图说明图1是表示本专利技术的优选实施例的在生长基板上制作的微LED的图。图2是表示本专利技术的优选实施例的微LED转移系统的图。图3是表示图2所示的微LED转移到基板的图。图4是表示本专利技术的优选实施例的微LED转移系统的图。图5是表示图4所示的微LED转移到基板的图。图6是表示基于图5所示的构造制作微LED构造体的图。图7是表示本专利技术的优选实施例的微LED转移系统的图。附图标号说明100：微LED；101：生长基板；102：第一半导体层；103、310：活性层；104：第二半导体层；106：第一接触电极；107：第二接触电极；311：缓冲层；313：栅极绝缘膜；315：层间绝缘膜；317：平坦化层；320：栅极电极；330a：源极电极；330b：漏极电极；400：障壁层；410：第一障壁层；420：第二障壁层；510：第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管转移系统，其特征在于包括：基板；转移头，将微发光二极管转移到所述基板；以及静电吸盘，设置在所述基板的下部。

【技术特征摘要】
2018.03.30 KR 10-2018-00369641.一种微发光二极管转移系统，其特征在于包括：基板；转移头，将微发光二极管转移到所述基板；以及静电吸盘，设置在所述基板的下部。2.根据权利要求1所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述静电吸盘在利用静电力附着所述基板的同时，对吸附在所述转移头的所述微发光二极管作用静电力而赋予下降力以使其掉落到所述基板上。3.根据权利要求1所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述静电吸盘为利用约翰逊-拉别克效应的低电阻静电吸盘。4.根据权利要求1所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述转移头包括具有气孔的多孔性部件，对所述气孔施加真空或解除所施加的真空而移送所述微发光二极管。5.根据权利要求4所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述多孔性部件包括将金属阳极氧化而形成的阳极氧化膜。6.根据权利要求4所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述多孔性部件包括第一多孔性部件及第二多孔性部件，所述第一多孔性部件真空吸附所述微发光二极管，所述第二多孔性部件位于真空腔室与所述第一多孔性部件之间而将所述真空腔室的真空压传递到所述第一多孔性部件。7.根据权利要求1所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述基板在附着所述微发光二极管的位置具备接合垫。8.根据权利要求7所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述接合垫为金属层。9.根据权利要求7所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述接合垫为非金属层。10.根据权利要求1所述的微发光二极管转移系统，其特征在于，所述基板为电路基板。11.一种微发光二极管转移系统，其特征在于包括：利用设置在基板的下部的静电吸盘的...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，边圣铉，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR