一种通过多次曝光保证Wafer ID可识别的曝光方法技术

本发明专利技术公开了一种通过多次曝光保证Wafer ID可识别的曝光方法，包括：确定Wafer ID区域中芯片的位置；将所述晶圆固定在载片器上，并在所述芯片表面上涂覆光刻胶；将光刻板与所述晶圆相对设置，使得光刻板开口与所述pad开口对应；通过所述光刻板对所述芯片进行第一次曝光；调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述Wafer ID区域中芯片进行曝光；进行显影处理，使所述芯片的表面全部被光刻胶覆盖。本发明专利技术通过多次平移曝光能够保证晶圆识别码区域被光刻胶完全覆盖，从而保证晶圆识别码的正确识别，避免后续制程由于wafer位置放错导致的一系列重大问题。

An Exposure Method to Ensure Wafer ID Recognition by Multiple Exposure

【技术实现步骤摘要】
一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法。
技术介绍
晶圆级封装(WaferLevelPackaging,WLCSP)采用了集成电路芯片制造厂中的晶圆作业模式，即在整片晶圆上完成封装后再切割，一次性得到大量成品芯片。跟传统封装相比，具有封装效率高，封装后芯片尺寸轻、薄、短、小，I/O密度高，电连接性能好等优点，是先进封装的发展趋势。对于晶圆级封装，常用的有两种曝光方式：接近式曝光和接触式曝光。接近式曝光使用分步式(Stepper)进行曝光，即按照区域(field)的进行曝光，曝光窗口大小等于field大小；接触式曝光使用MA8进行曝光，即整片晶圆(wafer)一起曝光，曝光窗口大小等于wafer大小。铜柱块(CopperPillarBump)由于凸点(bump)高度较高，因此需要较厚的光刻胶，决定了只能采用分步式(stepper)按照区域(field)进行分步曝光。分步式曝光存在的一个问题是由于按照field进行曝光，无法对特定的特殊区域进行修饰，按照正常的作业方式晶圆识别码(waferID)区域将被覆盖，导致晶圆识别码(waferID)无法识别，而且随着对芯片性能要求的提高，现在单颗芯片上的bump数量越来越多，bump间距越来越小，当bump间距小于bump直径时，双次曝光无法保证waferID区域完全被光刻胶覆盖从而不被电镀上，导致在后续作业过程中存在晶圆(wafer)放置错位的风险，可能引起一系列重大问题。
技术实现思路
针对现有技术的上述问题，本专利技术的目的在于，提供一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法。为了解决上述技术问题，本专利技术的具体技术方案如下：本专利技术提供一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，晶圆上设置芯片，所述芯片包括焊盘(pad)开口，并且所述pad开口直径大于相邻两个pad开口之间的距离，所述方法包括以下步骤：确定WaferID区域中芯片的位置；将所述晶圆固定在载片器上，并在所述芯片表面上涂覆光刻胶；将光刻板与所述晶圆相对设置，使得光刻板开口与所述pad开口对应；通过所述光刻板对所述芯片进行第一次曝光；调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述WaferID区域中芯片进行曝光；进行显影处理，使所述芯片的表面全部被光刻胶覆盖。作为可选地，通过旋涂方式将所述光刻胶涂覆在所述芯片表面。具体地，所述调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述WaferID区域中芯片进行曝光包括：移动所述光刻板位置，并对所述WaferID区域中芯片进行第二次曝光；沿着所述光刻板移动方向继续移动所述光刻板，并对所述WaferID区域中芯片进行第三次曝光；继续移动所述光刻板，并进行曝光，直到所有所述WaferID区域中芯片中所述pad开口全部曝光。进一步地，所述光刻板的移动位移大于所述pad开口的直径，并小于所述pad开口的直径和所述相邻两个pad开口之间距离之和。作为可选地，每次移动的位置可以不相同。具体地，所述第一次曝光、第二曝光和第三次曝光的曝光能量相同。进一步地，在涂胶之前所述芯片的表面具有铜钛种子层。作为可选地，所述铜钛种子层通过物理汽相淀积法溅射形成。进一步地，所述方法还包括：在pad开口处电镀焊接凸点；使用去胶液将所述芯片表面的光刻胶去掉；通过化学腐蚀去除溅射的铜钛种子层。作为可选地，通过挂镀的方式进行电镀。作为可选地，采用槽式去胶法将所述芯片表面的光刻胶去掉。采用上述技术方案，本专利技术所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法具有如下有益效果：1.本专利技术所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，通过多次曝光的方式能够实现晶圆识别码被正常识别。2.本专利技术所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，在针对pad开口数量多，导致pad开口距离变小，从而使的pad开口间距小于pad开口直径的情况下，解决waferID区域经过一次或两次曝光Pad开口仍旧会被显影掉从而被电镀上导致waferID无法识别这一问题。3.本专利技术所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，通过多次平移曝光能够保证晶圆识别码区域被光刻胶完全覆盖，从而保证晶圆识别码的正确识别。4.本专利技术所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，操作流程简单，重复性较高，操作性好，节约了成本，从而提高产品的竞争力。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。图1本专利技术所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法的流程图；图2本专利技术一个实施例中WaferID区域在晶圆中的位置示意图；图3本专利技术所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法的第一次曝光的步骤图解；图4本专利技术一个实施例的多次曝光的图解示意图。附图标记：1-芯片，2-焊盘开口，201-pad开口位，202-pad开口位，203-pad开口位。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。实施例1由于在晶圆级封装时由于凸点高度的要求，因此只能采用分步式的曝光，但是分步式曝光无法对特殊区域进行修饰，比如按照正常的工作方式，晶圆识别码(waferID)区域将被覆盖，从而导致waferID无法识别，这样会导致在后续作业过程中存在由于waferID无法识别而使wafer位置摆放有所偏差，从而引起较大的问题，现有方案中CN101089730A号专利通过双重曝光并调整曝光量避免与waferID区域相连的非waferID区域中芯片边缘产生不必要的曝光而形成负光阻残余，从而解决了焊接凸点位消息的问题，但是随着对芯片集成化更高的要求，凸点的数量则会越来越多，就会导致凸点之间的间距越来越小，这样通过双重曝光就很难解决waferID识别的问题。为了解决上述存在的情况，本说明书的一个实施例提供了一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，如图1所示，为本专利技术提供的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法的流程图，所述方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，其特征在于，晶圆上设置芯片，所述芯片包括焊盘(pad)开口，并且所述pad开口直径大于相邻两个pad开口之间的距离，所述方法包括以下步骤：确定WaferID区域中芯片的位置；将所述晶圆固定在载片器上，并在所述芯片表面上涂覆光刻胶；将光刻板与所述晶圆相对设置，使得光刻板开口与所述pad开口对应；通过所述光刻板对所述芯片进行第一次曝光；调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述WaferID区域中芯片进行曝光；进行显影处理，使所述芯片的表面全部被光刻胶覆盖。

【技术特征摘要】
1.一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，其特征在于，晶圆上设置芯片，所述芯片包括焊盘(pad)开口，并且所述pad开口直径大于相邻两个pad开口之间的距离，所述方法包括以下步骤：确定WaferID区域中芯片的位置；将所述晶圆固定在载片器上，并在所述芯片表面上涂覆光刻胶；将光刻板与所述晶圆相对设置，使得光刻板开口与所述pad开口对应；通过所述光刻板对所述芯片进行第一次曝光；调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置，通过所述光刻板对所述WaferID区域中芯片进行曝光；进行显影处理，使所述芯片的表面全部被光刻胶覆盖。2.根据权利要求1所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，其特征在于，通过旋涂方式将所述光刻胶涂覆在所述芯片表面。3.根据权利要求1所述的一种通过多次曝光保证WaferID可识别的曝光方法，其特征在于，所述调整所述光刻板的开口与所述pad开口相对位置发生偏移，通过所述光刻板对所述WaferID区域中芯片进行曝光包括：移动所述光刻板位置，并对所述WaferID区域中芯片进行第二次曝光；沿着所述光刻板移动方向继续移动所述光刻板，并对所述WaferID区域中芯片进行第三次曝光；继续移动所述光刻板，并进行曝光，直到所有所述Wafer...

【专利技术属性】
技术研发人员：方梁洪，李春阳，任超，罗立辉，彭祎，刘明明，
申请(专利权)人：宁波芯健半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33