透明OLED显示器及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种透明OLED显示器及其制作方法。本发明专利技术的透明OLED显示器的制作方法将有源层与第一储存电容电极在同一制程中形成，使第一储存电容电极由透明金属氧化物半导体材料制备，并通过两道光刻制程来制作阳极和第二储存电容电极，使第二储存电容电极仅由透明导电氧化物材料制备，从而使所述第一储存电容电极与第二储存电容电极所在的储存电容区呈现为透明区域，提高透明OLED显示器的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果。进一步的，在制作阳极和第二储存电容电极的同时，形成位于外围区的接线端子，使接线端子仅由透明导电氧化物材料制备，防止其被外界水氧腐蚀，提升透明OLED显示器的使用寿命。

Transparent OLED Display and Its Fabrication Method

【技术实现步骤摘要】
透明OLED显示器及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种透明OLED显示器及其制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。随着显示技术的发展，透明显示装置作为一种新奇的显示手段被提出，这种透明显示装置既可以从屏幕正面看到显示的图像，又可以透过屏幕看到透明显示装置背面的物体。透明显示器具有许多可能的应用，例如建筑物、汽车的窗户和购物商场的展示窗。除了这些大型设备的应用以外，诸如手持式平板电脑的小型设备也可得益于透明显示器。预期大量的现有显示器市场将被透明显示器取代，例如在建筑、广告和公共信息领域。图1为现有的一种透明OLED显示器的剖视示意图，图2为图1的透明OLED显示器的子像素区域的平面结构示意图，所述透明OLED显示器包括显示区与位于显示区周边的外围区，所述显示区内设有多个子像素区域，如图2所示，每个子像素区域包括不透明的TFT区、不透明的储存电容(Cst)区、以及除TFT区与Cst区以外的透明区；如图1所示，所述透明OLED显示器包括衬底基板100、设于所述衬底基板100上的第一金属层200、设于所述衬底基板100上且覆盖所述第一金属层200的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的有源层400、设于所述栅极绝缘层300上且覆盖所述有源层400的蚀刻阻挡层500、设于所述蚀刻阻挡层500上的第二金属层600、设于所述蚀刻阻挡层500上且覆盖所述第二金属层600的钝化层700、设于所述钝化层700上的平坦层800、设于所述平坦层800上的阳极910、设于所述平坦层800与阳极910上的像素定义层940、设于所述像素定义层940上且对应于阳极910上方的开口945、设于所述开口945内且位于所述阳极910上的OLED发光层950、及设于所述OLED发光层950与像素定义层940上的阴极960；其中，所述第一金属层200包括间隔设置的栅极210与第一储存电容电极220；所述第二金属层600包括间隔设置的源极610、漏极620、及第二储存电容电极630；所述栅极210、有源层400、源极610、漏极620、阳极910、OLED发光层950、及阴极960位于TFT区内，所述第一储存电容电极220与第二储存电容电极630位于Cst区内，由于所述第一储存电容电极220与第二储存电容电极630均由金属材料制备，因此Cst区不能透光，由于Cst区的面积较大，浪费了一定的透光面积与开口率，从而降低了透明OLED显示器的透明显示效果。另外，在透明OLED显示器的制备过程中，位于外围区的接线端子(Pad)930通常与阳极910在同一制程中采用同种材料制备，所述接线端子930与阳极910均为由两层氧化铟锡(ITO)薄膜931之间夹设一层银薄膜932构成的复合层，由于接线端子930位于透明OLED显示器的外围区且暴露于外界环境中，因此容易接触水氧，导致接线端子930中的银薄膜932被腐蚀，从而影响接线端子930的电学性能与使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种透明OLED显示器的制作方法，能够提高透明OLED显示器的光透过率，提升透明OLED显示器的透明显示效果，并且能够提升接线端子的电学性能与使用寿命。本专利技术的目的还在于提供一种透明OLED显示器，具有较高的光透过率与较好的透明显示效果，其接线端子具有较好的电学性能与较长的使用寿命。为实现上述目的，本专利技术提供一种透明OLED显示器的制作方法，采用透明金属氧化物半导体材料制备第一储存电容电极，采用透明导电氧化物材料制备第二储存电容电极，所述第二储存电容电极与第一储存电容电极共同构成储存电容。所述透明OLED显示器的制作方法具体包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成栅极，在所述衬底基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；步骤2、在所述栅极绝缘层上形成对应于栅极上方的有源层以及与有源层间隔设置的第一储存电容电极；所述有源层与第一储存电容电极均由透明金属氧化物半导体材料制备；步骤3、在所述栅极绝缘层上形成覆盖有源层与第一储存电容电极的蚀刻阻挡层，并在蚀刻阻挡层上形成对应于有源层两端的第一通孔与第二通孔；步骤4、在所述蚀刻阻挡层上形成源极与漏极，所述源极与漏极分别经由第一通孔与第二通孔和有源层的两端相接触；步骤5、在所述蚀刻阻挡层上形成覆盖所述源极与漏极的钝化层，并在钝化层上形成对应于第一储存电容电极上方的第三通孔以及对应于漏极上方的第一过孔；在所述钝化层上形成平坦层，在平坦层上形成对应于第一过孔上方的第二过孔，所述第一过孔与第二过孔共同构成第四通孔，同时在平坦层上位于第三通孔的区域内形成第五通孔；步骤6、在所述平坦层上从下至上依次沉积第一透明导电氧化物层与阳极金属层，对所述第一透明导电氧化物层与阳极金属层进行图形化处理，得到阳极预定图案；在所述阳极预定图案、平坦层、及蚀刻阻挡层上沉积第二透明导电氧化物层，对第二透明导电氧化物层进行图形化处理，得到位于平坦层上且对应于所述阳极预定图案的阳极以及位于所述第五通孔底部的蚀刻阻挡层上的第二储存电容电极；所述阳极包括在所述平坦层上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层、阳极金属层、及第二透明导电氧化物层，所述第二储存电容电极包括设于所述蚀刻阻挡层上的第二透明导电氧化物层；所述阳极经由第四通孔与漏极相接触，所述第二储存电容电极与第一储存电容电极共同构成储存电容；步骤7、在所述阳极、第二储存电容电极、及平坦层上形成像素定义层，在所述像素定义层上形成对应于所述阳极上方的开口；在所述开口内的阳极上形成OLED发光层，在所述OLED发光层与像素定义层上形成覆盖所述OLED发光层的阴极。所述衬底基板包括显示区与位于显示区周边的外围区；所述步骤6中，对第二透明导电氧化物层进行图形化处理后，在得到阳极与第二储存电容电极的同时，还得到位于平坦层上且位于外围区的接线端子，所述接线端子包括设于平坦层上的第二透明导电氧化物层。所述第一透明导电氧化物层与第二透明导电氧化物层均由透明导电氧化物材料制备，所述透明导电氧化物材料包括氧化铟锡；所述阳极金属层的材料包括银；所述第一透明导电氧化物层与第二透明导电氧化物层的厚度均为所述阳极金属层的厚度为所述有源层与第一储存电容电极的制备方法包括：在所述栅极绝缘层上沉积透明金属氧化物半导体材料，利用光刻制程对所述透明金属氧化物半导体材料进行图形化处理后，得到有源层与第一储存电容电极；所述透明金属氧化物半导体材料包括铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物、及铟镓锌锡氧化物中的一种或多种；所述有源层与第一储存电容电极的厚度为本专利技术还提供一种透明OLED显示器，包括：由透明金属氧化物半导体材料制备的第一储存电容电极、以及由透明导电氧化物材料制备的第二储存电容电极；所述第二储存电容电极与第一储存电容电极共同构成储存电容。所述透明OLED显示器具体包括：衬底基板、设于所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明OLED显示器的制作方法，其特征在于，采用透明金属氧化物半导体材料制备第一储存电容电极(41)，采用透明导电氧化物材料制备第二储存电容电极(92)；具体包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖所述栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤2、在所述栅极绝缘层(30)上形成对应于栅极(20)上方的有源层(40)以及与有源层(40)间隔设置的第一储存电容电极(41)；所述有源层(40)与第一储存电容电极(41)均由透明金属氧化物半导体材料制备；步骤3、在所述栅极绝缘层(30)上形成覆盖有源层(40)与第一储存电容电极(41)的蚀刻阻挡层(50)，并在蚀刻阻挡层(50)上形成对应于有源层(40)两端的第一通孔(51)与第二通孔(52)；步骤4、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)与漏极(62)分别经由第一通孔(51)与第二通孔(52)和有源层(40)的两端相接触；步骤5、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成覆盖所述源极(61)与漏极(62)的钝化层(70)，并在钝化层(70)上形成对应于第一储存电容电极(41)上方的第三通孔(73)以及对应于漏极(62)上方的第一过孔(841)；在所述钝化层(70)上形成平坦层(80)，在平坦层(80)上形成对应于第一过孔(841)上方的第二过孔(842)，所述第一过孔(841)与第二过孔(842)共同构成第四通孔(84)，同时在平坦层(80)上位于第三通孔(73)的区域内形成第五通孔(85)；步骤6、在所述平坦层(80)上从下至上依次沉积第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912)，对所述第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912)进行图形化处理，得到阳极预定图案(901)；在所述阳极预定图案(901)、平坦层(80)、及蚀刻阻挡层(50)上沉积第二透明导电氧化物层(913)，对第二透明导电氧化物层(913)进行图形化处理，得到位于平坦层(80)上且对应于所述阳极预定图案(901)的阳极(91)以及位于所述第五通孔(85)底部的蚀刻阻挡层(50)上以及所述平坦层(80)上的第二储存电容电极(92)；所述阳极(91)包括在所述平坦层(80)上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层(911)、阳极金属层(912)、及第二透明导电氧化物层(913)，所述第二储存电容电极(92)包括设于所述蚀刻阻挡层(50)与所述平坦层(80)上的第二透明导电氧化物层(913)；所述阳极(91)经由第四通孔(84)与漏极(62)相接触，从下至上设置的所述第一储存电容电极(41)、蚀刻阻挡层(50)、所述第二储存电容电极(92)共同构成储存电容；步骤7、在所述阳极(91)、第二储存电容电极(92)、及平坦层(80)上形成像素定义层(94)，在所述像素定义层(94)上形成对应于所述阳极(91)上方的开口(941)；在所述开口(941)内的阳极(91)上形成OLED发光层(95)，在所述OLED发光层(95)与像素定义层(94)上形成覆盖所述OLED发光层(95)的阴极(96)。...

【技术特征摘要】
1.一种透明OLED显示器的制作方法，其特征在于，采用透明金属氧化物半导体材料制备第一储存电容电极(41)，采用透明导电氧化物材料制备第二储存电容电极(92)；具体包括如下步骤：步骤1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)，在所述衬底基板(10)上形成覆盖所述栅极(20)的栅极绝缘层(30)；步骤2、在所述栅极绝缘层(30)上形成对应于栅极(20)上方的有源层(40)以及与有源层(40)间隔设置的第一储存电容电极(41)；所述有源层(40)与第一储存电容电极(41)均由透明金属氧化物半导体材料制备；步骤3、在所述栅极绝缘层(30)上形成覆盖有源层(40)与第一储存电容电极(41)的蚀刻阻挡层(50)，并在蚀刻阻挡层(50)上形成对应于有源层(40)两端的第一通孔(51)与第二通孔(52)；步骤4、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成源极(61)与漏极(62)，所述源极(61)与漏极(62)分别经由第一通孔(51)与第二通孔(52)和有源层(40)的两端相接触；步骤5、在所述蚀刻阻挡层(50)上形成覆盖所述源极(61)与漏极(62)的钝化层(70)，并在钝化层(70)上形成对应于第一储存电容电极(41)上方的第三通孔(73)以及对应于漏极(62)上方的第一过孔(841)；在所述钝化层(70)上形成平坦层(80)，在平坦层(80)上形成对应于第一过孔(841)上方的第二过孔(842)，所述第一过孔(841)与第二过孔(842)共同构成第四通孔(84)，同时在平坦层(80)上位于第三通孔(73)的区域内形成第五通孔(85)；步骤6、在所述平坦层(80)上从下至上依次沉积第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912)，对所述第一透明导电氧化物层(911)与阳极金属层(912)进行图形化处理，得到阳极预定图案(901)；在所述阳极预定图案(901)、平坦层(80)、及蚀刻阻挡层(50)上沉积第二透明导电氧化物层(913)，对第二透明导电氧化物层(913)进行图形化处理，得到位于平坦层(80)上且对应于所述阳极预定图案(901)的阳极(91)以及位于所述第五通孔(85)底部的蚀刻阻挡层(50)上以及所述平坦层(80)上的第二储存电容电极(92)；所述阳极(91)包括在所述平坦层(80)上从下至上依次层叠设置的第一透明导电氧化物层(911)、阳极金属层(912)、及第二透明导电氧化物层(913)，所述第二储存电容电极(92)包括设于所述蚀刻阻挡层(50)与所述平坦层(80)上的第二透明导电氧化物层(913)；所述阳极(91)经由第四通孔(84)与漏极(62)相接触，从下至上设置的所述第一储存电容电极(41)、蚀刻阻挡层(50)、所述第二储存电容电极(92)共同构成储存电容；步骤7、在所述阳极(91)、第二储存电容电极(92)、及平坦层(80)上形成像素定义层(94)，在所述像素定义层(94)上形成对应于所述阳极(91)上方的开口(941)；在所述开口(941)内的阳极(91)上形成OLED发光层(95)，在所述OLED发光层(95)与像素定义层(94)上形成覆盖所述OLED发光层(95)的阴极(96)。2.如权利要求1所述的透明OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述衬底基板(10)包括显示区与位于显示区周边的外围区；所述步骤6中，对第二透明导电氧化物层(913)进行图形化处理后，在得到阳极(91)与第二储存电容电极(92)的同时，还得到位于平坦层(80)上且位于外围区的接线端子(93)，所述接线端子(93)包括设于平坦层(80)上的第二透明导电氧化物层(913)。3.如权利要求1所述的透明OLED显示器的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电氧化物层(911)与第二透明导电氧化物层(913)均由透明导电氧化物材料制备，所述透明导电氧化物材料包括氧化铟锡；所述阳极金属层(912)的材料包括银；所述第一透明导电氧化物层(911)与第二透明导电氧化物层(913)的厚度均为所述阳极金属层(912)的厚度为4...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆松，任章淳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44