光电箔和光电箔的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光电箔，其特征在于，包括基板(11)和导电层(13)，所述导电层(13)包括至少一个氧化物层(131、133)和至少一个金属层(132)，其中在所述箔(10)的导电层(13)和基板(11)之间具有阻挡层(12)，所述阻挡层(12)包括选自硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(Al2O3、AlOxNy)、钛氧化物(TiOx)、硅氮氧化物(SiON)、硅氮化物(Si3N4、SiNx)、有机硅化合物(SiCxHy)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、铬氧化物(CrO、Cr2O3、CrO2、CrO3、CrO5)和聚对二甲苯中的至少一种材料。

Manufacturing Method of Photoelectric Foil and Photoelectric Foil

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电箔和光电箔的制造方法本专利技术涉及光电箔及其制造方法。在设计方面，光电箔由柔性聚合物箔基底和透明电极组成。它是使用各种技术构造在所述箔上生产的各种光电器件的基础。使用光电箔构造的光电器件包括柔性发射显示器(OLED，QDLCD)、柔性光伏器件、触摸屏传感器、柔性随机存取存储器(RAM)和气体传感器。光电柔性箔的缺点在于由具有高氧气和水渗透系数的聚合物箔构成的柔性基板的不良密封性，这导致了光电器件的寿命短。特别是在有源层中包含有机材料的器件，例如，OLED(有机发光二极管)对天气条件敏感。来自空气的水分和氧气渗透导致活性材料的降解，其结果是阻止了光电器件的操作。已知各种技术用于在光电箔的结构中制造保护层，其设计用于延长光电器件的寿命，包括：-“坝填充”(dam-andfill)封装技术。在此过程中，分布的高粘度流体在器件(例如，OLED)周围形成矩形屏障。所述流体在液滴施加过程中分布，以便填充基板与屏障内的阻挡膜之间的空间。该方法的特点在于简单和稳定性高；-使用薄的多层箔密封的技术，即“薄膜封装”(TFE)。最常见的TFE技术包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和原子层沉积(ALD)；-等离子体增强化学气相沉积(PECVD)涉及制备无机-和-无机或有机-和-有机阻挡层，该方法通常使用氮化硅或二氧化硅；该技术的优点在于低温工艺(低于600℃)、非平衡相沉积的可能性，以及所得涂层的相对高纯度；-原子层沉积技术(ALD)，其涉及沉积阻挡膜；这种技术使用例如用于沉积的铝氧化物和氮化物；该方法的优点在于它允许获得以相对良好的密封性为特征的涂层。此外，已知用于改善FOLED(柔性有机发光二极管)显示器的阻挡特性和一般密封的一些技术涉及使用超薄金属或玻璃箔。这种类型的解决方案的优点是实现具有良好透气性的箔，而它们的缺点是所获得的箔是无光泽的、不透明的并且容易损坏。此外，专利文献公开了用于构造光电器件的导电材料的结构。国际专利申请WO2015/179834A1公开了一种导电薄膜的结构，其由含量不低于导电薄膜总原子含量80％的银(Ag)和含量不超过导电膜总原子含量20％的选自Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge中的导电金属组成。导电层的制造过程包括在基板上共沉积金、铜和导电金属以形成连续导电膜。然而，WO2015/179834A1没有提供关于制备阻挡层以限制水分或氧气渗透到导电膜中的方法的信息。因此，希望提供一种柔性光电箔结构，其具有改进的对气体和水蒸气颗粒的阻挡性能，这将允许制造具有延长寿命而不会降低整个箔材料透明度的光电器件。还希望提供光电箔，其可用于引入阻挡溶液的无源器件和包括柔性透明电极的有源光电器件。本专利技术涉及一种光电箔，其特征在于，所述光电箔包括基板和导电层，所述导电层包括至少一个氧化物层和至少一个金属层，其中，在所述箔的导电层和基板之间具有阻挡层，所述阻挡层包括选自氧化硅(SiOx)、铝氧化物(Al2O3、AlOxNy)、钛氧化物(TiOx)、氮氧化硅(SiON)、硅氮化物(Si3N4、SiNx)、有机硅化合物(SiCxHy)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、铬氧化物(CrO、Cr2O3、CrO2、CrO3、CrO5)和聚对二甲苯中的至少一种材料。优选地，所述阻挡层是单层结构。优选地，所述阻挡层是由至少两个子层组成的多层结构，所述至少两个子层在阻挡层内一层叠加在另一层上并且由不同材料制成。优选地，所述基板由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯萘(PEN)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)、聚苯乙烯(PS)、乙烯/四氟乙烯(ETFE)和聚对二甲苯中的至少一种塑料制成。优选地，将无机纳米复合材料混合到所述基板上。优选地，所述氧化物层由选自ZnO、AZO(氧化铝锌)、SnO2、IZO(氧化铟锌)、FTO(氟氧化锡)、ZTO(氧化锡锌)、ITO(氧化锡铟)、GZO(氧化锌镓)、GIO(氧化铟镓)、In2O3、Sb:SnO2、IO:H(氢氧化铟)、CdO、Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、NiOx、NiOx:Li、TiOx、ZnS、ZnSe、Te2O3、MoOx、V2O5和WO3中的至少一种氧化物制成。优选地，所述氧化物层是单层结构。优选地，所述氧化物层是由至少两个子层组成的多层结构，所述至少两个子层在阻挡层内一层叠加在另一层上且由不同材料制成。优选地，所述箔包括一个氧化物层。优选地，所述箔包括至少两个氧化物层。优选地，所述金属层由选自Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge、Ag、Cu、Zr、Pt和W中的至少一种材料制成。优选地，所述箔在相邻的氧化物层之间具有金属层。优选地，在所述导电层内，所述箔具有n个氧化物层、和在相邻氧化物层之间交替设置的n-1个金属层。本专利技术还涉及一种制造光电箔的方法，其特征在于，清洁和活化所述基板的选定表面，在该选定表面上沉积阻挡层，以便在所述清洁和活化的基板上形成阻挡层，所述阻挡层包括选自硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(Al2O3、AlOxNy)、钛氧化物(TiOx)、氮氧化硅(SiON)、硅氮化物(Si3N4、SiNx)、有机硅化合物(SiCxHy)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、氧化铬(CrO、Cr2O3、CrO2、CrO3、CrO5)和聚对二甲苯中的至少一种材料，然后在阻挡层上沉积包括至少一个氧化物层和至少一个金属层的导电层。优选地，通过在基板上沉积一层材料以形成具有单层结构的阻挡层来形成所述阻挡层。优选地，通过在基板上沉积不同材料的至少两个子层以形成具有多层结构的阻挡层来形成阻挡层。优选地，形成导电层使得在阻挡层上独立地、一层叠加在另一层上地形成至少一个氧化物层，该氧化物层由氧化物材料制成，所述氧化物材料包括选自ZnO、AZO(氧化铝锌)、SnO2、IZO(氧化铟锌)、FTO(氟氧化锡)、ZTO(氧化锡锌)、ITO(氧化锡铟)、GZO(氧化锌镓)、GIO(氧化铟镓)、In2O3、Sb:SnO2、IO:H(氢氧化铟)、CdO、Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、NiOx、NiOx:Li、TiOx、ZnS、ZnSe、Te2O3、MoOx、V2O5和WO3中的至少一种氧化物；和至少一个如下材料的金属层，所述材料包括选自Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge、Ag、Cu、Zr、Pt和W中的至少一种金属。优选地，形成导电层，使得在阻挡层上独立地、一层叠加在另一层上地形成氧化物层和金属层交替设置的n个氧化物层和n-1个金属层，其中n是自然数。优选地，形成导电层，使得在阻挡层上分别形成第一氧化物层，然后在第一氧化物层上形成金属层，然后在金属层上形成第二氧化物层。优选地，通过沉积一层氧化物材料以形成具有单层结构的氧化物层来形成至少一个氧化物层。优选地，通过沉积不同材料的至少两个氧化物子层以形成具有多层结构的氧化物层来形成至少一个氧化物层。优选地，使用选自等离子体处理、电晕放电处理、二氧化碳处理、紫外线辐射和臭氧处理中的至少一种技术，以及采用选自丙酮、异丙醇、水、丙酮与水的混合物以及异丙醇和水的混合物中的溶剂的清洗处理，对所述基板进行清洁和活化。优选地，使用选自原子层沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电箔，其特征在于，所述光电箔包括基板(11)和导电层(13)，所述导电层(13)包括至少一个氧化物层(131、133)和至少一个金属层(132)，其中，在所述箔(10)的所述导电层(13)和所述基板(11)之间具有阻挡层(12)，所述阻挡层(12)包括选自由硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(Al2O3、AlOxNy)、钛氧化物(TiOx)、硅氮氧化物SiON、硅氮化物(Si3N4、SiNx)、有机硅化合物(SiCxHy)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、铬氧化物(CrO、Cr2O3、CrO2、CrO3、CrO5)和聚对二甲苯所组成的组中的至少一种材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.25 PL P.4203001.一种光电箔，其特征在于，所述光电箔包括基板(11)和导电层(13)，所述导电层(13)包括至少一个氧化物层(131、133)和至少一个金属层(132)，其中，在所述箔(10)的所述导电层(13)和所述基板(11)之间具有阻挡层(12)，所述阻挡层(12)包括选自由硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(Al2O3、AlOxNy)、钛氧化物(TiOx)、硅氮氧化物SiON、硅氮化物(Si3N4、SiNx)、有机硅化合物(SiCxHy)、氧化锆(ZrO2)、氧化铪(HfO2)、铬氧化物(CrO、Cr2O3、CrO2、CrO3、CrO5)和聚对二甲苯所组成的组中的至少一种材料。2.根据权利要求1所述的光电箔，其特征在于，所述阻挡层(12)是单层结构。3.根据权利要求1所述的光电箔，其特征在于，所述阻挡层(12)是由至少两个子层组成的多层结构，所述至少两个子层在所述阻挡层(12)内一层叠加在另一层上且具有不同的材料。4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电箔，其特征在于，所述基板(11)由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯萘(PEN)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺(PI)、聚苯乙烯(PS)、乙烯/四氟乙烯(ETFE)和聚对二甲苯所组成的组中的至少一种塑料制成。5.根据权利要求4所述的光电箔，其特征在于，所述基板(11)掺杂有无机纳米复合材料。6.根据权利要求1至5中任一项所述的光电箔，其特征在于，所述氧化物层(131、133)由选自ZnO、AZO(氧化铝锌)、SnO2、IZO(氧化铟锌)、FTO(氟氧化锡)、ZTO(氧化锡锌)、ITO(氧化锡铟)、GZO(氧化锌镓)、GIO(氧化铟镓)、In2O3、Sb:SnO2、IO:H(氢掺杂的氧化铟)、CdO、Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、NiOx、NiOx:Li、TiOx、ZnS、ZnSe、Te2O3、MoOx、V2O5和WO3中的至少一种氧化物制成。7.根据权利要求6所述的光电箔，其特征在于，所述氧化物层(131、133)是单层结构。8.根据权利要求6所述的光电箔，其特征在于，所述氧化物层(131、133)是由至少两个子层组成的多层结构，所述至少两个子层在氧化物层(131、133)内一层叠加在另一层上且具有不同的材料。9.根据权利要求7或8所述的光电箔，其特征在于，所述光电箔包括一个氧化物层(131或133)。10.根据权利要求7或8中任一项所述的光电箔，其特征在于，所述光电箔包括至少两个氧化物层(131、133)。11.根据权利要求1至10中任一项所述的光电箔，其特征在于，所述金属层(132)由选自Al、Ti、Ni、Cr、Au、Mg、Ta、Ge、Ag、Cu、Zr、Pt和W所组成的组中的至少一种材料制成。12.根据权利要求10或11所述的光电箔，其特征在于，所述光电箔在相邻的氧化物层(131、133)之间具有金属层(132)。13.根据权利要求1至12中任一项所述的光电箔，其特征在于，在所述导电层(13)内，所述光电箔具有n个氧化物层(131、133)和在相邻氧化物层(131、133)之间交替设置的n-1个金属层(132)。14.一种光电箔的制造方法，其特征在于：-清洁和活化所述基板的选定表面，在所述选定表面上沉积阻挡层，以便在所述清洁和活化的基板(11)上形成阻挡层(12)，所述阻挡层(12)包括选自硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(Al2O3、Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：康拉德·沃伊切霍夫斯基，奥尔加·马林凯维奇，巴尔托什·布尔萨，胡安·巴勃罗·普列托·鲁伊斯，芭芭拉·维尔克，阿图尔·库普祖纳斯，
申请(专利权)人：索尔有限责任公司，
类型：发明
国别省市：波兰,PL