【技术实现步骤摘要】
一种光场调控光刻中的涡旋光剪切干涉调焦方法
本专利技术涉及一种超分辨激光光刻中的调焦方法,具体地说,涉及一种在光场调控超分辨光刻中将调控用涡旋光同时用于剪切干涉调焦的方法。
技术介绍
光场调控光刻是一种新颖的超分辨微细线条加工手段,其利用约束光如涡旋光来约束写入光束,使光刻线宽远小于单独写入光束作用时所能达到的衍射极限。为了达到更细的线条,光刻系统通常会采用大数值孔径物镜,这使光刻系统的焦深急剧减小,因此需要高灵敏度的调焦单元,并尽可能简单高效。在基于涡旋光的光场调控超分辨光刻中,涡旋光的功能仅仅是对写入光束的光场进行约束,达到超分辨光刻的效果。目前尚未有利用涡旋光的平板剪切干涉图案进行光场调控超分辨光刻系统调焦的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足,提供一种光场调控光刻中的涡旋光剪切干涉调焦方法。本专利技术将该涡旋光同时用于调焦,在涡旋光的反射光路上设置光学平行平板,利用涡旋光的剪切干涉图案,提取离焦信息,达到高灵敏度调焦目的。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的:一种光场调控光刻中的涡旋光剪切干涉调焦方法,该方法包括如下步骤:(1)写入光束和涡旋光束经合束器合束后,依次经分束器和物镜,入射到基片。(2)涡旋光束经基片反射后,经物镜透射,分束器反射,入射到光学平行平板上,并在其表面产生剪切干涉,然后在面阵探测器上形成干涉图案。(3)若干涉图案呈现成对的分叉条纹且左支分叉开口向上、右支分叉开口向下时,减小基片和物镜之间的距离;若干涉图案呈现成对的分叉条纹且左支分叉开口向下、右支分叉开口向上时,增大基片和物镜之间的距离;若干涉图案呈现 ...
【技术保护点】
1.一种光场调控光刻中的涡旋光剪切干涉调焦方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:(1)、写入光束(6)和涡旋光束(4)经合束器(5)合束后,依次经分束器(3)和物镜(2),入射到基片(1);(2)、涡旋光束(4)经基片(1)反射后,经物镜(2)透射,分束器(3)反射,入射到光学平行平板(8)上,并在其表面产生剪切干涉,然后在面阵探测器(7)上形成干涉图案;(3)、若干涉图案呈现成对的分叉条纹且左支分叉开口向上、右支分叉开口向下时,减小基片(1)和物镜(2)之间的距离;若干涉图案呈现成对的分叉条纹且左支分叉开口向下、右支分叉开口向上时,增大基片(1)和物镜(2)之间的距离;若干涉图案呈现完全对称的双月形图案,表明基片(1)的表面位于物镜(2)的焦点处,实现光场调控光刻中的涡旋光剪切干涉调焦。
【技术特征摘要】
1.一种光场调控光刻中的涡旋光剪切干涉调焦方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:(1)、写入光束(6)和涡旋光束(4)经合束器(5)合束后,依次经分束器(3)和物镜(2),入射到基片(1);(2)、涡旋光束(4)经基片(1)反射后,经物镜(2)透射,分束器(3)反射,入射到光学平行平板(8)上,并在其表面产生剪切干涉,然后在面阵探测器(7)上形成...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁宜勇,李雄风,詹世超,朱蓓蓓,墨洪磊,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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