一种LED数码管ESD保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，其特征在于，所述每一行上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。本实用新型专利技术改变了原设计使用87PCS齐纳二极管，仅使用19PCS齐纳二极管，外围电路简单，生产直通率及成本低；可以有效保证数码管行‑行/行‑列/列‑列之间均满足JESD22‑A114‑B和ESD STM5.1标准，带电人体的静电放电模式（HBM）下ESDS级别 2级要求。

An ESD Protection Circuit for LED Digital Tube

【技术实现步骤摘要】
一种LED数码管ESD保护电路
本技术属于数码电子领域，具体涉及一种LED数码管ESD保护电路。
技术介绍
LED数码管在人机交互方面扮演了很重要的角色，具有功耗小，无热量，耐冲击，寿命长，成本低等优点，在白色家电，汽车，工业控制等领域有着非常广泛的应用。ESD（Electro-StaticDischarge，静电放电）对于我们来说是一种常见的现象，然而对电子产品而言，ESD往往是致命的—它可能导致元器件内部线路受损，直接影响产品的正常使用寿命，甚至造成产品的损坏。现有LED数码管行与列之间靠LED灯珠自身抗静电（防静电能力差），ESD会导致LEDPN结阵列性能出现降低或损坏，LED灯珠反向放电会导致LED反向击穿损坏，导致LED数码管出现失效。此设计无法满足JESD22-A114-B和ESDSTM5.1标准，带电人体的静电放电模式（HBM）下ESDS级别2级要求，ESD电压阈值分类如下：目前市场改良做法是在LED两端或LED内部并联一个齐纳二极管做保护，如图3。这种方案的缺点为：1、在LED两端并联齐纳二极管，每个LED均需并联一颗，外围线路复杂，成本高（增加齐纳二极管本身成本、齐纳二极管的制造成本）；2、在LED内部并联一个齐纳二极管，LED内部加齐纳成本高；另外齐纳靠近LED芯片，有齐纳边会阻挡部分光路，造成LED数码管显示有色差（一边偏黄，一边偏蓝）。
技术实现思路
专利技术目的：本技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种LED数码管ESD保护电路。技术方案：为了达到上述专利技术目的，本技术具体是这样来完成的：一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，所述每一行上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。优选的，所述若干行上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，若干行上数码管的输入端反向并联齐纳二极管；所述若干列上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，若干列上数码管的输入端反向并联齐纳二极管；所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。其中，所述每行数码管并联的齐纳二极管个数为1个。其中，所述每列数码管并联的齐纳二极管个数为1个。其中，所述每行数码管并联的齐纳二极管个数为大于1个，每个齐纳二极管之间进行并联。其中，所述每列数码管并联的齐纳二极管个数为大于1个，每个齐纳二极管之间进行并联。本技术的工作原理为：同时应用齐纳二极管的正向特性和反向特性，在行与列之间正向施加静电时，因为齐纳二极管的反向击穿电压较高，LED的正向电压较低，LED导体，静电由LED阵列回路泄放；在列-行之间反向施加静电时，因为齐纳二极管的反向击穿电压远低于LED的反向击穿电压，齐纳二极管优先反向击穿，在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，静电由齐纳管回路泄放。有益效果：本技术与传统技术相比，具有以下优点：1、本技术计通过外围加少量齐纳二极管，达到对ESD的有效防护，外围电路简单，生产直通率及成本低；2、可以有效保证数码管行-行/行-列/列-列之间均满足JESD22-A114-B和ESDSTM5.1标准，带电人体的静电放电模式（HBM）下ESDS级别2级要求；3、在ESD有效防护的用时，可以满足数码管反向漏电流测试标准要求（数码管反向漏电流测试标准：施加5V的反向电压（VR=5V），反向漏电流小于20uA（IR＜20uA）。附图说明图1为传统保护电路的结构示意图；图2为本技术结构示意图；图3为LED两端并联齐纳二极管的示意图。具体实施方式实施例1：一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，所述每一行上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。实施例2：一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，所述每一行上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端反向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。实施例3：一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，所述每一行上数码管的输入端反向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。实施例4：一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，所述每一行上数码管的输入端反向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端反向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。实施例5：一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，所述若干行上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，若干行上数码管的输入端反向并联齐纳二极管；所述若干列上数码管的输入端正向并联齐纳二极管，若干列上数码管的输入端反向并联齐纳二极管；所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。实施例6：参考实施例1~5，所述每行数码管并联的齐纳二极管个数为1个。实施例7：参考实施例1~5，所述每列数码管并联的齐纳二极管个数为1个。实施例8：参考实施例1~5，所述每行数码管并联的齐纳二极管个数为大于1个，每个齐纳二极管之间进行并联。实施例9：参考实施例1~5，所述每列数码管并联的齐纳二极管个数为大于1个，每个齐纳二极管之间进行并联。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，其特征在于，所述每一行上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。

【技术特征摘要】
1.一种LED数码管ESD保护电路，包括由LED数码管通过线路连接形成每一行、每一列均有若干个LED数码管的阵列，其特征在于，所述每一行上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，每一列上数码管的输入端正向或反向并联齐纳二极管，所述行上并联的齐纳二极管与列上并联的齐纳二极管通过中间公共线做桥接。2.根据权利要求1所述的LED数码管ESD保护电路，其特征在于，所述每行数码管并联的齐纳二极管个...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋雪东，
申请(专利权)人：宜兴市旭航电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32