【技术实现步骤摘要】
包含结合垫和结合导线或夹子的半导体器件
技术介绍
诸如功率半导体二极管、IGFET(绝缘栅场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)的功率半导体器件的半导体封装典型地具有金属引线，金属引线允许功率半导体器件连接到电路板或别的电子器件。结合导线将金属引线与直接形成于半导体管芯上的接触垫电连接，并桥接功率半导体器件的芯片上布线与外部布线之间的尺度差异。对于导线结合，典型地将结合导线定位在结合垫上，并且尖端或楔形件迫使导线到结合垫上。同时，将热、超声能量或别的类型的辐射施加到结合垫和结合垫上的导线段，以在结合导线与结合垫之间形成冶金结合。结合垫必须足够耐用以适应在结合工艺期间施加到半导体芯片上的机械应变。此外，希望结合垫和结合导线的高的热容和/或耐用性以改善半导体器件的短路和雪崩耐用性。US2014/0367859A1描述了一种用于具有铜结构的半导体芯片的半导体壳体。在焊料掩模的开口中设有含锡层，并且在含锡层与铜结构之间设有由镍制成的阻挡层。在含锡层上结合有导线。阻挡层防止在含锡层中的锡与含铜层的铜之间形成金属间化合物。US2017/0092562A1描述了一种铜板，其以“...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：结合垫(300)，包括：基底部分(310)，具有基底层(317)；以及主表面(301)，具有结合区域(305)；结合导线或夹子(410)，结合到所述结合区域(305)；以及补充结构(350)，与邻接所述结合区域(305)的所述基底部分(310)直接接触，其中，所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)直接邻接或者与所述结合导线或夹子(410)水平地间隔开，其中，所述补充结构(350)的体积比热容高于所述基底层(317)的体积比热容。
【技术特征摘要】
2018.03.09 DE 102018105462.91.一种半导体器件，包括：结合垫(300)，包括：基底部分(310)，具有基底层(317)；以及主表面(301)，具有结合区域(305)；结合导线或夹子(410)，结合到所述结合区域(305)；以及补充结构(350)，与邻接所述结合区域(305)的所述基底部分(310)直接接触，其中，所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)直接邻接或者与所述结合导线或夹子(410)水平地间隔开，其中，所述补充结构(350)的体积比热容高于所述基底层(317)的体积比热容。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述结合垫(300)还包括帽部分(320)，并且其中，所述补充结构(350)位于所述帽部分(320)与所述基底部分(310)之间。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述补充结构(350)限定所述结合区域(305)的边界。4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：密封结构(490)，至少部分地包封所述结合导线或夹子(410)，其中，所述补充结构(350)位于所述密封结构(490)与所述结合垫(300)之间，其中，所述补充结构(350)的所述体积比热容高于所述密封结构(490)的体积比热容。5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，所述密封结构(490)包括硅凝胶和环氧树脂中的至少一种。6.如权利要求4和5中的任一项所述的半导体器件，其中，所述密封结构(490)将所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)分开。7.如权利要求1至6中的任一项所述的半导体器件，其中，所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)间隔开。8.如权利要求1至5中的任一项所述的半导体器件，其中，所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)直接接触。9.如权利要求1至8中的任一项所述的半导体器件，其中，所述补充结构(350)包括含有辅助材料的芯部分(355)，所述辅助材料的体积比热容高于铜。10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述辅助材料是含金属材料。11.如权利要求10所述的半导体器件，其中，所述含金属材料包括镍、氧化镍、镍合金、钴、银、碳化钨、黄玉和氟化锂中的至少一种。12.如权利要求9所述的半导体器件，其中，所述辅助材料包括酚醛树脂。13.如权利要求9至12中的任一项所述的半导体器件，其中，所述补充结构(350)包括包封所述芯部分(355)的衬里部分(359)。14.如权利要求1至13中的任一项所述的半导体器件，其中，所述基底层(317)包括铝或铝合金。15.一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法包括：在半导体部分(100)上形成结合垫基底部分(310)，其中，所述基底部分(31...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·毛德，HJ·舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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