一种低温共烧陶瓷材料及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低温共烧陶瓷材料及制备方法，涉及低温共烧陶瓷材料领域。包括以下质量分数的原料：97.4％－99.2％的氧化锌－二氧化钛，0％－1％的钙硼硅玻璃，0.5％－2.5％的氧化铜和0.05％－2％的五氧化二钒。将上述组分经过称量、混合球磨、预烧、粉碎工序制备LTCC材料，后通过LTCC加工平台制备微波器件进行介电性能及烧结匹配性验证。本发明专利技术制备得到的低温共烧陶瓷材料与金银等导体浆料匹配共烧效果良好，同时介电常数高，可降低器件产品尺寸，实现电路的小型化、集成化。

A Low Temperature Co-fired Ceramic Material and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种低温共烧陶瓷材料及制备方法
本专利技术涉及低温共烧陶瓷材料领域，具体而言，涉及一种低温共烧陶瓷材料及制备方法。
技术介绍
目前低温共烧陶瓷(LTCC)技术已经广泛应用在射频或微波无线通讯、半导体、光电子、MEMS等领域中，在多层陶瓷基片、封装及多层陶瓷集成电路(multilayersceramicintegratedcircuits，MCIC)中有广泛应用，随着4G通信时代的到来，对微波器件/组件的小型化，集成化，高频化等都有具有更高要求。因此，LTCC材料作为基础材料受到学者们的广泛关注。美国DuPont公司生产的951、Ferro公司生产的A6系列LTCC材料已经十分成熟，是国内外LTCC主要生产原材料，但是，这种工艺随着IC集成度的不断提高，对材料提出新的要求。首先，随着芯片尺寸越来越小，就要求陶瓷基板介电常数变大，但常见的LTCC材料均为玻璃或Al2O3+玻璃体系，介电常数低(εr≤10)，极大地限制了LTCC组件集成化，小型化的发展。其次，玻璃基LTCC材料涉及制备玻璃，因此工艺较陶瓷材料复杂，同时玻璃制备对设备要求较高、工艺控制难度较大。最后，玻璃基LTCC陶瓷材料较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，包括以下质量分数的原料：97.4％－99.2％的氧化锌－二氧化钛，0％－1％的钙硼硅玻璃，0.5％－2.5％的氧化铜和0.05％－2％的五氧化二钒。

【技术特征摘要】
1.一种低温共烧陶瓷材料，其特征在于，包括以下质量分数的原料：97.4％－99.2％的氧化锌－二氧化钛，0％－1％的钙硼硅玻璃，0.5％－2.5％的氧化铜和0.05％－2％的五氧化二钒。2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述氧化锌－二氧化钛中原材料氧化锌与二氧化钛摩尔比为0.82－1.22：1，所述钙硼硅玻璃中原材料氧化钙、三氧化二硼与二氧化硅摩尔比为：35－50：18－35：15－47。3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料的烧结温度为830－930℃，保温时间为20－40min，介电常数为25≤εr≤32＠8GHz，介电损耗tanδ为(8－10)×10－4＠8GHz；优选的，所述低温共烧陶瓷材料的烧结温度为880℃，低温共烧陶瓷材料的保温时间为25min，介电常数为25。4.一种如权利要求1所述的低温共烧陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括：在氧化锌－二氧化钛中加入如下原料：钙硼硅玻璃，氧化铜和五氧化二钒，其中，氧化锌－二氧化钛的含量为97.4％－99.2％。5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷材料的制备方法，其特征在于，制备方法包括将氧化锌、二氧化钛的原始粉末按氧化锌：二氧化钛为0.82－1.22：1的摩尔比进行配料；按配料：球：去离子水质量比为1：1.5：2进行混合球磨，在840－92...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦占明，张二甜，应建，陈群星，叶萍，杜玉龙，班秀峰，张秀，王学杰，褚涛，
申请(专利权)人：贵州振华电子信息产业技术研究有限公司，中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52