电流传感器制造技术

供被测定电流(Is)流通的导体(10)，与供磁阻效应元件配置的第1虚拟平面(P11)分离，并具有：与第1虚拟直线(L11A)平行地流通被测定电流(Is)的第1导体部(11A)、与第1虚拟平面(P11)相交且与第2虚拟直线(L12)平行地流通被测定电流(Is)的第2导体部(12)、设置于第2导体部(12)与第1导体部(11A)之间的电流路径且从与第2虚拟直线(L12)平行的X2方向朝向与第1虚拟直线(L11A)平行的Y2方向折弯的弯曲部(14A)、及设置于弯曲部(14A)与第1导体部(11A)之间的电流路径的第3导体部(13A)。由在第2导体部(12)中流通的被测定电流(Is)产生的磁场的方向与第1虚拟平面(P11)垂直。

current sensor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电流传感器
本专利技术涉及使用GMR元件、AMR元件等的磁阻效应元件来测定电流的电流传感器。
技术介绍
以往，已知有如下的差动型的电流传感器，该差动型的电流传感器构成为，分别通过磁性传感器来检测在折弯成U字状的母排中由在彼此相反方向流通的电流产生的磁场，并基于各磁性传感器的输出之差获得电流的检测结果。在GMR元件、AMR元件等的磁阻效应元件中，存在着产生电阻值的变化的磁场的方向(灵敏度方向)及对该灵敏度造成影响的磁场的方向(灵敏度影响方向)。灵敏度影响方向，一般而言是内部的偏置磁场的方向，相对于灵敏度方向正交。若在灵敏度影响方向上从外部施加磁场，则与偏置磁场变动的情形等效，因此灵敏度会发生变化。在为上述的差动型的电流传感器的情况下，由在U字形状的折返部分流通的电流产生的磁场，具有相对于灵敏度方向正交的成分，因此会对磁阻效应元件的灵敏度造成影响。因此，在下述的专利文献1的图13所记载的电流传感器中，对U字形状的折返部分实施弯曲加工。通过该弯曲加工，从由在折返部分流通的电流产生的磁场的中心位置观看时磁场正交的方向与磁阻效应元件的偏置磁场的方向容易对齐。其结果，由在折返部分流通的电流产生的磁场容易变为与偏置磁场正交，对灵敏度的影响降低。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011－39021号公报专利文献2：日本特开2015－152418号公报
技术实现思路
专利技术解决的课题图11是表示专利文献1中公开的电流传感器的构成的图。图12是图12中的XII－XII线的剖视图。在直线状地延伸的2个板状导体101、102的中途，通过板状导体103、104、105形成U字形状，在该U字形成部分的上方配置传感器基板106。在传感器基板106上配置包含磁阻效应元件的电流检测器件部107。在图12中标注了箭头的虚线，表示被测定电流Is的分布的中心。被测定电流Is，从臂状地延伸的2个板状导体103及105的一方向着另一方，经由板状导体104而流通。此时，被测定电流Is要以最短路径流通，因此即使板状导体104被向上侧较长地折弯，也如图12所示那样，被测定电流Is的实质的电流分布的中心CP停留于较低的位置。因此，由板状导体104的被测定电流Is产生的磁场Hs的中心(电流分布的中心CP)，变得比与磁场Hs成为相对于磁阻效应元件的偏置磁场垂直的位置(图12的单点划线的位置)低，而有磁场Hs对磁阻效应元件的灵敏度造成影响等问题。本专利技术是鉴于上述情况而做出的，其目的在于，提供能够降低由在折弯了的路径上流通的被测定电流产生的磁场对测定灵敏度造成的影响的电流传感器。用于解决课题的手段本专利技术的电流传感器，具备：导体，供被测定电流流通；以及磁阻效应元件，位于与第1虚拟直线和第2虚拟直线平行的第1虚拟平面上。上述导体具有：第1导体部，沿着上述第1虚拟直线延伸，与上述第1虚拟平面分离，与上述第1虚拟直线平行地流通上述被测定电流；第2导体部，沿着上述第2虚拟直线延伸，与上述第1虚拟平面相交，与上述第2虚拟直线平行地流通上述被测定电流；弯曲部，设置于上述第2导体部与上述第1导体部之间的电流路径，从与上述第2虚拟直线平行的第2方向朝向与上述第1虚拟直线平行的第1方向折弯；以及第3导体部，设置于上述弯曲部与上述第1导体部之间的电流路径。上述磁阻效应元件检测由在上述第1导体部流通的上述被测定电流产生的磁场。上述磁阻效应元件具有灵敏度的磁场的方向与对上述磁阻效应元件的灵敏度造成影响的磁场的方向，相对于上述第1虚拟平面平行，上述第3导体部与上述第1虚拟平面相交。根据该构成，上述第1导体部与上述第1虚拟平面分离，另一方面，对由在上述第1导体部流通的上述被测定电流产生的磁场进行检测的上述磁阻效应元件，位于上述第1虚拟平面上，上述第2导体部与上述第1虚拟平面相交。另外，在上述弯曲部中向与上述第1虚拟直线平行的第1方向折弯了的上述被测定电流，经由与上述第1虚拟平面相交的上述第3导体部，在上述第1导体部中流通。因此，上述被测定电流的分布的中心，在上述第1导体部中与上述第1虚拟平面分离，但在上述第3导体部通过，由此能够一直到达上述第1虚拟平面附近为止。上述被测定电流的分布的中心在上述第3导体部通过并到达上述第1虚拟平面附近，由此在上述弯曲部中折弯了的上述被测定电流，在上述第2导体部中以上述第1虚拟平面附近为中心而流通。由此，由在上述第2导体部中流通的上述被测定电流产生的磁场的方向，变得相对于上述第1虚拟平面垂直，并变得与对上述磁阻效应元件的灵敏度造成影响的磁场的方向大致垂直。因此，由在上述第2导体部中流通的上述被测定电流产生的磁场，不易对上述磁阻效应元件的灵敏度造成影响。优选可以是，上述第3导体部，设置于与上述第1虚拟平面垂直且包含上述第1虚拟直线的第2虚拟平面上，在上述第3导体部中与上述第2虚拟平面平行地流通上述被测定电流。根据该构成，第3导体部包含上述第1虚拟直线，与第1虚拟平面垂直，因此上述第3导体部中的上述被测定电流的路径变短。优选可以是，上述弯曲部与上述第2导体部的连接部分处的与上述第2方向垂直的截面的形状、上述弯曲部与上述第3导体部的连接部分处的与上述第1方向垂直的截面的形状、及与上述第2方向垂直的上述第2导体部的截面的形状，是均匀的，与上述第1虚拟平面垂直的第3方向上的上述弯曲部及上述第2导体部的宽度是均匀的。根据该构成，上述弯曲部中的上述导体的弯曲加工变得容易，加工精度提高。另外，从上述弯曲部向上述第2导体部折弯的上述被测定电流变得容易沿着上述第2虚拟直线平行地流通。优选可以是，在将在上述第3方向上分开的上述导体的2个边缘中的、整体从上述第1虚拟平面离开的边缘作为第1边缘的情况下，上述弯曲部及上述第2导体部中的上述第1边缘，比上述第1导体部中的上述第1边缘靠近上述第1虚拟平面。根据该构成，上述弯曲部及上述第2导体部的上述第3方向上的宽度变小。由此，在上述第2导体部中流通的上述被测定电流的分布的中心被引导到上述第1虚拟平面附近的恰当的范围，因此由在上述第2导体部中流通的上述被测定电流产生的磁场的方向，变得容易相对于上述第1虚拟平面垂直。优选可以是，上述第3导体部的上述第1边缘与上述第3方向上的上述弯曲部的上述第1边缘之间的位置之差，随着靠近上述弯曲部而变小。根据该构成，在上述第3导体部中上述被测定电流的分布比较小的部分减少，因此电阻值的增大得以抑制，形成上述第3导体部的材料得以削减。优选可以是，在将在上述第3方向上分开的上述导体的2个边缘中的、具有与上述第1虚拟平面交叉的部分的边缘作为第2边缘的情况下，上述第3导体部的上述第2边缘与上述第3方向上的上述弯曲部的上述第2边缘之间的位置之差，随着靠近上述弯曲部而变小。根据该构成，在上述第3导体部中在上述第3导体部中上述被测定电流的分布比较小的部分减少，因此电阻值的增大得以抑制，形成上述第3导体部的材料得以削减。优选可以是，上述导体具有相对于在上述第2导体部的中央通过且与上述第1虚拟平面垂直的第3虚拟平面而面对称的形状，2个上述弯曲部和上述第3导体部和上述第1导体部分别夹着上述第3虚拟平面对称地配置。上述电流传感器可以是，至少具有1组夹着上述第3虚拟平面对称地配置的上述磁阻效应元件的对。根据该构成，在上述磁阻效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流传感器，其特征在于，具备：导体，供被测定电流流通；以及磁阻效应元件，位于与第1虚拟直线和第2虚拟直线平行的第1虚拟平面上，上述导体具有：第1导体部，沿着上述第1虚拟直线延伸，与上述第1虚拟平面分离，在该第1导体中与上述第1虚拟直线平行地流通上述被测定电流；第2导体部，沿着上述第2虚拟直线延伸，与上述第1虚拟平面相交，在该第2导体中与上述第2虚拟直线平行地流通上述被测定电流；弯曲部，设置于上述第2导体部与上述第1导体部之间的电流路径，从与上述第2虚拟直线平行的第2方向朝向与上述第1虚拟直线平行的第1方向折弯；以及第3导体部，设置于上述弯曲部与上述第1导体部之间的电流路径，上述磁阻效应元件检测由在上述第1导体部流通的上述被测定电流产生的磁场，上述磁阻效应元件具有灵敏度的磁场的方向与对上述磁阻效应元件的灵敏度造成影响的磁场的方向，相对于上述第1虚拟平面平行，上述第3导体部与上述第1虚拟平面相交。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.10 JP 2017-0236321.一种电流传感器，其特征在于，具备：导体，供被测定电流流通；以及磁阻效应元件，位于与第1虚拟直线和第2虚拟直线平行的第1虚拟平面上，上述导体具有：第1导体部，沿着上述第1虚拟直线延伸，与上述第1虚拟平面分离，在该第1导体中与上述第1虚拟直线平行地流通上述被测定电流；第2导体部，沿着上述第2虚拟直线延伸，与上述第1虚拟平面相交，在该第2导体中与上述第2虚拟直线平行地流通上述被测定电流；弯曲部，设置于上述第2导体部与上述第1导体部之间的电流路径，从与上述第2虚拟直线平行的第2方向朝向与上述第1虚拟直线平行的第1方向折弯；以及第3导体部，设置于上述弯曲部与上述第1导体部之间的电流路径，上述磁阻效应元件检测由在上述第1导体部流通的上述被测定电流产生的磁场，上述磁阻效应元件具有灵敏度的磁场的方向与对上述磁阻效应元件的灵敏度造成影响的磁场的方向，相对于上述第1虚拟平面平行，上述第3导体部与上述第1虚拟平面相交。2.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，上述第3导体部，设置于与上述第1虚拟平面垂直且包含上述第1虚拟直线的第2虚拟平面上，在该第3导体中与上述第2虚拟平面平行地流通上述被测定电流。3.根据权利要求2所述的电流传感器，其中，上述弯曲部与上述第2导体部的连接部分处的与上述第2方向垂直的截面的形状、上述弯曲部与上述第3导体部的连接部分处的与上述第1方向垂直的截面的形状、及与上述第2方向垂直的上述第2导体部的截面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：蛇口广行，
申请(专利权)人：阿尔卑斯阿尔派株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP