氨水溶液的制造装置及氨水溶液的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的氨水溶液制造装置，通过从氨供给装置向从超纯水制造装置供给的超纯水中供给氨并使氨溶解来制造稀氨水溶液，并将该稀氨水溶液供给至使用点。在此，超纯水制造装置具有供给电阻值为18MΩcm以上、金属离子浓度为1ng/L以下、尤其是0.1ng/L以下的超纯水W的能力。然后，从氨供给装置向超纯水W中添加氨来制造稀氨水。该氨水溶液制造装置，适合于制造氨(铵离子)浓度为100mg/L以下、尤其是50mg/L以下的稀氨水。这种氨水溶液制造装置，能够以稳定的浓度制造氨水溶液，对浓度的改变的追随性优异。

Manufacturing Device of Ammonia Aqueous Solution and Manufacturing Method of Ammonia Aqueous Solution

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氨水溶液的制造装置及氨水溶液的制造方法
本专利技术涉及一种氨水溶液的制造装置及制造方法，尤其是涉及一种适合于获得高纯度的氨水溶液的氨水溶液的制造装置及制造方法。
技术介绍
在半导体和液晶的制造工艺中，使用高度除去了杂质的超纯水来进行半导体晶片和玻璃基板的洗涤。对于使用这样的超纯水的半导体晶片的洗涤，由于超纯水的电阻率值高，因此易产生静电，从而有可能导致绝缘膜的静电破坏和微粒子的再附着。为此，近年来，通过使微量的氨溶解在超纯水中来调低超纯水的电阻率值，从而抑制静电的产生。对于这种使微量氨溶解在超纯水中而成的稀氨水溶液，例如，可通过用超纯水将5％左右的氨水稀释成所期望的浓度来制造，但是由于这种稀氨水溶液被用于半导体等电子部件等的洗涤，因此希望其尽可能不含有杂质，尤其是阳离子性的金属离子。鉴于此，提出了向超纯水中添加氨来制成所期望浓度的稀氨水后，将该稀氨水通过铵离子型阳离子交换树脂来处理的方法(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-76589号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，专利文献1所记载的氨水溶液的制造装置存在以下的问题，因为用阳离子交换树脂来处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氨水溶液制造装置，其制造从氨供给装置向原料水中添加氨并使氨溶解而成的氨水溶液，并将该氨水溶液供给至使用点，其中，所述氨水溶液制造装置使用金属离子浓度为1ng/L以下的超纯水作为所述原料水。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.02.09 JP 2017-0225181.一种氨水溶液制造装置，其制造从氨供给装置向原料水中添加氨并使氨溶解而成的氨水溶液，并将该氨水溶液供给至使用点，其中，所述氨水溶液制造装置使用金属离子浓度为1ng/L以下的超纯水作为所述原料水。2.如权利要求1所述的氨水溶液制造装置，其中，所述原料水的流入位置与所述氨供给装置的所述氨的添加位置之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川祐一，
申请(专利权)人：栗田工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP