一种阵列基板及发声装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供的一种阵列基板及发声装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上依次层叠设置的弹性层、压电层和匹配层；阵列基板包括发声区域和非发声区域；衬底基板至少在发声区域内具有多个第一空腔结构；发声区域的图形为中心对称图形，发声区域的对称中心与衬底基板的对称中心位于同一区域；在发声区域内，匹配层具有的结构与第一空腔结构的发声参数相匹配；在非发声区域内，匹配层具有的结构与衬底基板的发声参数失配。通过对匹配层和衬底基板内的空腔结构进行设计，使发声区域能够发射对应频率的声波，而非发声区域不能发射对应频率的声波，从而降低了阵列基板所发射声波的旁瓣强度，以增加阵列基板所发射声波的指向性。

An Array Substrate and Sound Producing Device

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及发声装置
本专利技术涉及发声
，尤指一种阵列基板及发声装置。
技术介绍
相关技术中的阵列基板包括衬底基板，以及排布于整个衬底基板上的多个发声单元，每个发声单元对应的位置该衬底基板均包括一空腔结构，以发出对应频率的声波，发声单元还包括依次位于衬底基板上的弹性层、压电层和匹配层。该发声单元的工作方式是对压电层的电极加载电激励，使得压电层在横向方向上产生横向振动，由于压电层的侧边都被固定，导致横向振动产生纵向弯曲，产生声波通过匹配层向外辐射。该种阵列基板发出的声波的旁瓣强度较大，导致所发出的声波的指向性较低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及发声装置，用以解决相关技术中的阵列基板所发射声波的指向性较低的问题。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的弹性层、压电层和匹配层；所述阵列基板包括发声区域和非发声区域；所述衬底基板至少在所述发声区域内具有多个第一空腔结构；所述发声区域的图形为中心对称图形，所述发声区域的对称中心与所述衬底基板的对称中心位于同一区域；在所述发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述第一空腔结构的发声参数相匹配；在所述非发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述衬底基板的发声参数失配。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述衬底基板在所述非发声区域内具有多个所述第一空腔结构；所述匹配层仅覆盖所述发声区域；所述阵列基板还包括：位于所述非发声区域的吸收层，所述吸收层位于所述压电层背离所述衬底基板的一侧，所述吸收层被配置为对所述非发声区域内的声波进行吸收。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述衬底基板在所述非发声区域内具有多个所述第二空腔结构；所述第二空腔结构与所述第一空腔结构的发声参数不同；所述匹配层至少覆盖所述发声区域。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述第一空腔结构仅排布于所述发声区域，所述匹配层至少覆盖所述发声区域。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述匹配层全部覆盖所述衬底基板。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括：吸收层，所述吸收层位于所述非发声区域，且位于所述压电层背离所述衬底基板的一侧，所述吸收层被配置为对所述非发声区域内的声波进行吸收。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述发声区域的图形为所述衬底基板的图形的内切图形。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述发声区域的图形为八边形。在一种可能的实施方式中，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述发声区域的一侧边的长度与所述衬底基板对应侧边的长度之比在0.2～0.4之间。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种发声装置，包括如上述任一实施例所述的阵列基板。本专利技术的有益效果：本专利技术实施例提供了一种阵列基板及发声装置，该阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的弹性层、压电层和匹配层；所述阵列基板包括发声区域和非发声区域；所述衬底基板至少在所述发声区域内具有多个第一空腔结构；所述发声区域的图形为中心对称图形，所述发声区域的对称中心与所述衬底基板的对称中心位于同一区域；在所述发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述第一空腔结构的发声参数相匹配；在所述非发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述衬底基板的发声参数失配。通过对匹配层和衬底基板内的空腔结构进行设计，使发声区域能够发射对应频率的声波，而非发声区域不能发射对应频率的声波，从而降低了阵列基板所发射声波的旁瓣强度，以增加阵列基板所发射声波的指向性。附图说明图1为相关技术中的阵列基板的结构示意图；图2为相关技术中发声单元的剖面结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之三；图6为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之四；图7为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之五；图8为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之六；图9为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图之七。具体实施方式相关技术中的阵列基板，如图1和图2所示，包括衬底基板01，以及排布于整个衬底基板01上的多个发声单元A，每个发声单元A对应的位置该衬底基板1均包括一空腔结构02，以发出对应频率的声波，发声单元A还包括依次位于衬底基板01上的弹性层03、压电层04和匹配层05。该发声单元A的工作方式是对压电层04的电极加载电激励，使得压电层04在横向方向上产生横向振动，由于压电层04的侧边都被固定，导致横向振动产生纵向弯曲，产生声波通过匹配层05向外辐射。由于在该阵列基板中匹配层05覆盖所有的空腔结构02，使阵列基板的各区域均发射声波，该种设置会使得阵列基板发出的声波的旁瓣强度较大，导致所发射声波的指向性较低。针对相关技术中存在的上述问题，本专利技术实施例提供了一种阵列基板及发声装置。为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，如图3至图7所示，该阵列基板包括：衬底基板1，位于衬底基板1上依次层叠设置的弹性层、压电层(弹性层和压电层与相关技术中的结构相同，在图中未具体示出)和匹配层2；阵列基板包括发声区域(图3中匹配层2覆盖的区域)和非发声区域(图3中除匹配层2覆盖区域的其他区域)；衬底基板1至少在发声区域内具有多个第一空腔结构3；发声区域的图形为中心对称图形，发声区域的对称中心与衬底基板1的对称中心位于同一区域；在发声区域内，匹配层2具有的结构与第一空腔结构3的发声参数相匹配；在非发声区域内，匹配层2具有的结构与衬底基板1的发声参数失配。具体地，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，通过对匹配层和衬底基板内的空腔结构进行设计，使发声区域能够发射对应频率的声波，而非发声区域不能发射对应频率的声波，从而降低了阵列基板所发射声波的旁瓣强度，以增加阵列基板所发射声波的指向性。需要说明的是，将发声区域设置为中心对称图形可以将发声中心确定在阵列基板的中心区域，有利于提高该阵列基板的发声指向性。其中，该衬底基板可以为玻璃基板，当然也可以为能够实现对应功能的其他材质的衬底基板，对于衬底基板的材质在此不作具体限定。下面结合附图3至图7对本专利技术实施例提供的阵列基板进行详细的阐述。可选地，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，如图3所示，衬底基板1在非发声区域内具有多个第一空腔结构3；匹配层2仅覆盖发声区域；阵列基板还包括：位于非发声区域的吸收层4，吸收层4位于压电层背离衬底基板1的一侧，吸收层4被配置为对非发声区域内的声波进行吸收。具体地，在本专利技术实施例提供的阵列基板中，虽然非发声区域设置有第一空腔结构，能够发出对应频率的声波，但是在非发声区域未设置匹配层，且在非发声区域设置有吸收本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的弹性层、压电层和匹配层；所述阵列基板包括发声区域和非发声区域；所述衬底基板至少在所述发声区域内具有多个第一空腔结构；所述发声区域的图形为中心对称图形，所述发声区域的对称中心与所述衬底基板的对称中心位于同一区域；在所述发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述第一空腔结构的发声参数相匹配；在所述非发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述衬底基板的发声参数失配。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上依次层叠设置的弹性层、压电层和匹配层；所述阵列基板包括发声区域和非发声区域；所述衬底基板至少在所述发声区域内具有多个第一空腔结构；所述发声区域的图形为中心对称图形，所述发声区域的对称中心与所述衬底基板的对称中心位于同一区域；在所述发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述第一空腔结构的发声参数相匹配；在所述非发声区域内，所述匹配层具有的结构与所述衬底基板的发声参数失配。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板在所述非发声区域内具有多个所述第一空腔结构；所述匹配层仅覆盖所述发声区域；所述阵列基板还包括：位于所述非发声区域的吸收层，所述吸收层位于所述压电层背离所述衬底基板的一侧，所述吸收层被配置为对所述非发声区域内的声波进行吸收。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板在所述非发声区域内具有多个所述第二空腔结构；所述第二空腔结构与...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佩笑，韩艳玲，姬雅倩，刘英明，王海生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11