【技术实现步骤摘要】
硅晶片的金属污染分析方法
本专利技术涉及一种硅晶片的金属污染分析方法，更具体地说，涉及一种能够迅速且高灵敏度地分析硅晶片表层区域的金属污染的硅晶片的金属污染分析方法。
技术介绍
在半导体制造领域，伴随着半导体装置的微小化、高集成化，报告有作为基板被使用的硅晶片表面的微量金属不纯物对装置的特性造成影响，例如漏电不良、氧化膜不耐压、寿命低等。另外，不仅硅晶片表面上的金属不纯物污染对装置的特性造成影响，在形成装置构造的硅晶片表层区域的微量金属不纯物污染对装置特性造成的例如浅沟和源、漏电等影响也逐渐被视为问题。以往，作为硅晶片表面和表层部的金属不纯物评价方法，使用的方法为：用酸溶液将硅晶片表层部溶解，再将该酸溶液稀释或浓缩，用原子吸收光谱仪(AAS)或电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)进行定量分析(下文称作“液相蚀刻法”)。然而，在液相蚀刻法中，为了对硅晶片表层均匀蚀刻，需要大量的酸溶液。因此，由于金属不纯物浓度被大量酸溶液稀释，所以灵敏度不足，酸溶液自身所带入的污染造成的分析背景上升会导致灵敏度低，在要求超微量金属不纯物评价的半导体制造领域中，妨碍高灵敏度分析。因此...
【技术保护点】
1.一种硅晶片的金属污染分析方法，包括：通过使作为分析对象的硅晶片与氟化氢气体、硝酸气体和氮氧化物气体的混合气体接触，对该硅晶片的表层区域蚀刻；对所述蚀刻后的硅晶片加热，将因蚀刻而露出的表面加热至180℃以上的温度；将所述加热后的硅晶片表面暴露在氟酸蒸气下；将所述暴露后的硅晶片表面上的金属成分捕集到回收用水溶液内；对所述回收用水溶液中的金属成分进行分析。
【技术特征摘要】
1.一种硅晶片的金属污染分析方法，包括：通过使作为分析对象的硅晶片与氟化氢气体、硝酸气体和氮氧化物气体的混合气体接触，对该硅晶片的表层区域蚀刻；对所述蚀刻后的硅晶片加热，将因蚀刻而露出的表面加热至180℃以上的温度；将所述加热后的硅晶片表面暴露在氟酸蒸气下；将所述暴露后的硅晶片表面上的金属成分捕集到回收用水溶液内；对所述回收用水溶液中的金属成分进行分析。2...
【专利技术属性】
技术研发人员：山下崇史，默罕默德·B·沙巴尼，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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