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本发明提供一种硅晶片的金属污染分析方法，包括：通过使作为分析对象的硅晶片与氟化氢气体、硝酸气体和氮氧化物气体的混合气体接触，对该硅晶片的表层区域蚀刻；对所述蚀刻后的硅晶片加热，将因蚀刻而露出的表面加热至180℃以上的温度；将所述加热后的硅晶...
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