【技术实现步骤摘要】
一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法及产品
本专利技术属于复合材料
，特别涉及一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法及产品。
技术介绍
随着电子工业的迅猛发展,电子产品向微型化、高集成度方向发展。主机板上电子元器件的高密度、布线的紧凑、甚至表面贴装式元件的广泛采用，都易导致静电损伤线路板卡。美国机构对某大型通信系统装备中的集成电路进行测试时，发现有故障的集成电路有三分之一是被静电放电击穿的。用抗静电薄膜包装产品能够避免静电损坏集成电路。另一个存在的问题是，随着电路的高度集成，电子元器件在工作时，产生大量的废热在狭小的空间里聚集，易造成元器件工作的不稳定，甚至失效。因此发展抗静电导热包装薄膜能有效解决这些存在的问题。抗静电薄膜的基体主要是高分子基体，有环氧树脂、聚氨酯、聚酰亚胺、丙烯酸树脂等。其导电填料主要有炭黑、金属氧化物(氧化锌、氧化钛、氧化锡等)等传统的导电颗粒。还有的是采用金属粉体填充到高分子基体中，制备抗静电薄膜，但是金属作为填料其抗氧化性、耐热性、价格等因素都制约其应用。作为导热导电填料，在应用中需要具备高的性价比，即高电导率、高导热...
【技术保护点】
1.一种二硼化钛‑聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、制备改性TiB2粉体，具体为：S1、将TiB2粉体和SnCl4·5H2O分散在去离子水中，再调节溶液PH至10‑11，得到第一分散液；S2、将第一分散液转移到反应釜中，于180‑240℃下反应24h，最后冷却至室温、过滤，滤饼依次用蒸馏水和无水乙醇洗涤得到固体，备用；S3、将S2得到的固体于100℃的真空环境下干燥12h，即得到纳米SnO2为包覆层的SnO2@TiB2杂化物粉体；步骤二、配置SnO2@TiB2/聚氨酯溶液；步骤三、将SnO2@TiB2/聚氨酯溶液通过旋涂或浇铸成膜或其他成膜方...
【技术特征摘要】
1.一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、制备改性TiB2粉体，具体为：S1、将TiB2粉体和SnCl4·5H2O分散在去离子水中，再调节溶液PH至10-11，得到第一分散液；S2、将第一分散液转移到反应釜中，于180-240℃下反应24h，最后冷却至室温、过滤，滤饼依次用蒸馏水和无水乙醇洗涤得到固体，备用；S3、将S2得到的固体于100℃的真空环境下干燥12h，即得到纳米SnO2为包覆层的SnO2@TiB2杂化物粉体；步骤二、配置SnO2@TiB2/聚氨酯溶液；步骤三、将SnO2@TiB2/聚氨酯溶液通过旋涂或浇铸成膜或其他成膜方式，在基材上成膜，并放入干燥箱内，在70-100℃条件下干燥15-20h，得到抗静电导热薄膜。2.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：所述TiB2为各种工业级片状TiB2。3.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：S1中，采用25％NH3·H2O调节溶液PH至10-11。4.根据权利要求1所述的一种二硼化钛-聚氨酯抗静电导热薄膜的制备方法，其特征在于：S1...
【专利技术属性】
技术研发人员：付萍，李沁键，林志东，陈喆，
申请(专利权)人：武汉工程大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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