辐射检测器制造技术

本文公开了一种辐射检测器(100)，包括：包括电极的辐射吸收层(110)；将所述电极的电压与第一阈值(VI)进行比较的电压比较器(301)；计数器(320)，其记录由所述辐射吸收层(110)吸收的辐射光子的数量；控制器(310)；以及电压计(306)。所述控制器(310)被配置成从所述电压比较器(301)确定所述电压的绝对值等于或超过所述第一阈值(VI)的绝对值的时刻起开始时间延迟(TDI)。所述控制器(310)被配置成在所述时间延迟(TDI)期满时使所述电压计(306)测量电压。所述控制器(310)被配置成通过将由所述电压计(306)测量的电压除以单个光子在所述电极上所引起的电压，来确定光子数量。所述控制器(310)被配置成基于所述光子数量使所述计数器(320)所记录的数字增加。

Radiation Detector

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射检测器
本专利技术涉及辐射检测器，特别涉及半导体X射线检测器。
技术介绍
辐射检测器是测量辐射属性的装置。所述属性的例子可包括辐射强度的空间分布、相位、偏振。所述辐射可以是与主体相互作用的辐射。例如，由辐射检测器测量的辐射可以是穿透主体或从主体反射的辐射。辐射可以是电磁辐射，比如红外光、可见光、紫外光、X射线或γ射线。辐射可以是其它类型，比如α射线和β射线。一种类型的辐射检测器是基于辐射和半导体之间的相互作用。例如，这种类型的辐射检测器可以具有吸收辐射，并产生载流子(例如，电子和空穴)的半导体层以及用于检测载流子的电路。
技术实现思路
本专利技术公开了一种辐射检测器，包括：包括电极的辐射吸收层；电压比较器，该电压比较器被配置成将电极的电压与第一阈值进行比较；计数器，该计数器被配置成记录由所述辐射吸收层吸收的辐射的光子数；控制器；电压计；其中，所述控制器被配置成从所述电压比较器确定电压的绝对值等于或超过所述第一阈值的绝对值时刻起启动时间延迟；其中，所述控制器被配置成在所述时间延迟结束时使所述电压计测量所述电压；其中，所述控制器被配置成：通过将由所述电压计测量的电压除以单个光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射检测器，包括：包括电极的辐射吸收层；电压比较器，该电压比较器被配置成将所述电极的电压与第一阈值进行比较；计数器，该计数器被配置成记录由所述辐射吸收层吸收的辐射光子的数量；控制器；电压计；其中，所述控制器被配置成从所述电压比较器确定所述电压的绝对值大于等于所述第一阈值的绝对值的时刻起开始时间延迟；其中，所述控制器被配置成使所述电压计在所述时间延迟期满时测量所述电压；其中，所述控制器被配置成通过将由所述电压计测量的电压除以单个光子在所述电极上所引起的电压来确定光子数量；并且其中，所述控制器被配置成基于所述光子数量使所述计数器记录的数字增加。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种辐射检测器，包括：包括电极的辐射吸收层；电压比较器，该电压比较器被配置成将所述电极的电压与第一阈值进行比较；计数器，该计数器被配置成记录由所述辐射吸收层吸收的辐射光子的数量；控制器；电压计；其中，所述控制器被配置成从所述电压比较器确定所述电压的绝对值大于等于所述第一阈值的绝对值的时刻起开始时间延迟；其中，所述控制器被配置成使所述电压计在所述时间延迟期满时测量所述电压；其中，所述控制器被配置成通过将由所述电压计测量的电压除以单个光子在所述电极上所引起的电压来确定光子数量；并且其中，所述控制器被配置成基于所述光子数量使所述计数器记录的数字增加。2.根据权利要求1所述的辐射检测器，该辐射检测器进一步包括电连接到所述电极的电容器模块，其中，所述电容模块被配置成从所述电极收集载流子。3.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述控制器被配置成将所述电极连接到电接地。4.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述控制器被配置成在所述时间延迟开始时停用所述电压比较器。5.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述第一阈值为单个光子在所述电极上产生的电压的5-10％。6.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述辐射吸收层包括二极管。7.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述辐射吸收层包括硅、锗、GaAs、CdTe、CdZnTe或其组合。8.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述装置包括闪烁体。9.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中，所述装置不包括像素阵列。10.一种包括根据权利要求1所述的辐射检测器和X射线源的系统，其中，所述系统被配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹培炎，刘雨润，
申请(专利权)人：深圳帧观德芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44