浪涌保护电路制造技术

技术编号:22059648 阅读:51 留言:0更新日期:2019-09-07 17:18
本申请提供的一种浪涌保护电路,包括:第一检测单元,用于接收输入端输出的输入电压,并检测输入电压是否大于钳位电压,若输入电压大于所述钳位电压,则第一检测单元输出第一检测信号;与第一检测单元相连的第二检测单元,用于接收第一检测信号,并根据第一检测信号和参考电压之间的比值,输出第二检测信号;与第二检测单元相连的驱动单元,用于接收第二检测信号,并对所接收到的第二检测信号进行反相放大,输出反相放大后的第二检测信号;与驱动单元相连的浪涌泄放单元,用于接收驱动单元输出的反相放大后的第二检测信号,并根据反相放大后的第二检测信号对输入电压进行泄放,增强了浪涌管对浪涌电压的泄放能力,降低了对输入端的钳位电压。

Surge protection circuit

【技术实现步骤摘要】
浪涌保护电路
本专利技术涉及集成电路
,具体涉及一种浪涌保护电路。
技术介绍
浪涌电压是超出正常电压的瞬间过电压,一般指电网中出现的短时间像“浪”一样的高电压引起的大电流。浪涌电压的产生原因主要有雷击、电网上的大型负荷接通或断开等。浪涌电压可能会造成计算机及各种硬件设备的损坏、电源设备的损坏、电子设备运行不稳定及老化加速。为了保证各种硬件设备、电子设备安全可靠运行,延长其使用寿命,需要在各种硬件设备、电子设备的端口增设浪涌保护装置,对浪涌电压及时进行泄放,避免各种硬件设备、电子设备遭受浪涌电压的破坏,以保证各种硬件设备、电子设备的安全可靠运行。现有技术中,应用于集成芯片中的浪涌保护电路通常通过一个浪涌管作为浪涌电压的泄放通道,使得在电路输入端口上的浪涌电压超出预设值时,浪涌管导通,对浪涌电压进行泄放,以实现对各种硬件设备、电子设备的保护。但是在浪涌管对浪涌电压泄放过程中,浪涌管的泄放能力与浪涌管的开启速度有关,浪涌管开启速度越快对浪涌泄放能力越强。决定浪涌管开启速度的是浪涌管接收到的开启电压,而浪涌管接收到的开启电压跟随输入电压的变化而变化。当浪涌电压较低时,浪涌管所接收到的开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浪涌保护电路,其特征在于,包括:第一检测单元,用于接收输入端输出的输入电压,并检测所述输入电压是否大于钳位电压,若所述输入电压大于所述钳位电压,则所述第一检测单元输出第一检测信号;与所述第一检测单元相连的第二检测单元,用于接收所述第一检测单元输出的第一检测信号,并根据所述第一检测信号和参考电压之间的比值,输出第二检测信号;与所述第二检测单元相连的驱动单元,用于接收所述第二检测信号,并对所接收到的所述第二检测信号进行反相放大,输出反相放大后的第二检测信号;与所述驱动单元相连的浪涌泄放单元,用于接收所述驱动单元输出的所述反相放大后的第二检测信号,并根据所述反相放大后的第二检测信号对所述输入...

【技术特征摘要】
1.一种浪涌保护电路,其特征在于,包括:第一检测单元,用于接收输入端输出的输入电压,并检测所述输入电压是否大于钳位电压,若所述输入电压大于所述钳位电压,则所述第一检测单元输出第一检测信号;与所述第一检测单元相连的第二检测单元,用于接收所述第一检测单元输出的第一检测信号,并根据所述第一检测信号和参考电压之间的比值,输出第二检测信号;与所述第二检测单元相连的驱动单元,用于接收所述第二检测信号,并对所接收到的所述第二检测信号进行反相放大,输出反相放大后的第二检测信号;与所述驱动单元相连的浪涌泄放单元,用于接收所述驱动单元输出的所述反相放大后的第二检测信号,并根据所述反相放大后的第二检测信号对所述输入电压进行泄放。2.根据权利要求1所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述第一检测单元包括:稳压电路、第一电阻以及第二电阻;其中:所述稳压电路的输入端接收所述输入端输出的输入电压,所述稳压电路的输出端与所述第一电阻的一端相连;所述第一电阻的另一端通过所述第二电阻接地;其中,所述稳压电路的输入端作为所述第一检测单元的输入端,接收所述输入电压;所述第一电阻与所述第二电阻的公共端作为所述第一检测单元的输出端,输出所述第一检测信号。3.根据权利要求2所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述稳压电路包括:至少一个稳压二极管,用于产生所述钳位电压;其中,多个所述稳压二极管的连接的方式为:串联;所述串联包括:所述稳压二极管的阳极与相邻所述稳压二极管的阴极串联或者所述稳压二极管的阴极与相邻所述稳压二极管的阳极串联。4.根据权利要求1所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述第二检测单元,包括:比较器以及第一反相器;其中:所述比较器的同相输入端接收所述第一检测信号,反相输入端接收所述参考电压,所述比较器的输出端输出比较信号;其中,所述参考电压包括:第一参考电压和第二参考电压;所述第一参考电压大于所述第二参考电压;所述第一反相器的输入端与所述比较器的输出端相连,接收所述比较器输出的比较信号,所述第一反相器的输出端作为所述第二检测单元的输出端口,输出所述第二检测信号;其中,所述第二检测信号与所述比较信号互为反相信号。5.根据权利要求4所述的浪涌保护电路,其特征在于,所述比较器包括:电流源,均为NMOS晶体管的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管以及第九晶体管,均为PMOS晶体管的第四晶体管、第五晶体管以及第十晶体管;其中,所述电流源的一端与供电电源相连,接收所述供电电源输出的供电电压,所述电流源的另一端与所述第一晶体管的第二端相连;所述第一晶体管的第一端接地,所述第一晶体管的控制端分别与其第二端和所述第八晶体管的控制端相连;所述第八晶体管的第一端接地,所述第八晶体管的第二端分别与所述第六晶体管的第一端和所述第七晶体管的第一端相连;所述第六晶体管的控制端分别与所述第二晶体管的第一端和所述第三晶体管的第一端相连,所述第六晶体管的第二端与所述第四晶体管的第二端相连;所述第二晶体管的控制端接收所述第二检测信号,所述第二晶体管的第二端接收所述第一参考电压;所述第三晶体管的控制端接收所述比较信号,所述第三晶体管的第二端接收所述第二参考电压;所述第四晶体管的控制端分别与其第二端和所述第五晶体管的控制端相连,所述第四晶体管的第一端与所述供电电压相连;所述第五晶体管的第一端与所述供电电压相连,所述第五晶体管的第二端分别与所述第七晶体管的第二端和所述第十晶体管的控制端相连;所述第十晶体管的第一端与所述供电电压相连,所述第十晶体管的第二端与所述第九晶体管的第二端相连;所述第九晶体管的控制端与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡建伟罗旭程程剑涛杜黎明孙洪军乔永庆
申请(专利权)人:上海艾为电子技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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