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一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法技术

技术编号:22059219 阅读:61 留言:0更新日期:2019-09-07 16:58
本发明专利技术涉及光电子、半导体激光技术领域,特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明专利技术公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法,其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底,半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上,半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明专利技术很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题,且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料,金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性;金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备,工艺简单,所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容,满足大规模光电集成的需要。

An Electro-Injected Microdisk Resonator Light Emitting Device and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法
本专利技术属于光电子、半导体激光
,具体地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。
技术介绍
近年来半导体微谐振腔因为它们对光的强限制作用正吸引着人们越来越多的注意。它们不但为量子电动力学等理论研究提供了很好的平台,也在单光子源、微纳米激光器、微纳米LED等实际应用中有着很好的应用前景。其中半导体微盘谐振腔是一种基于回音壁模式的光学微腔系统,在谐振腔中光由于全反射而沿着微盘的边缘传播、谐振。微盘谐振腔具有结构简单、强光学限制作用、小模式体积、小电流工作等优点,在生物传感器、光电集成等都有广泛的应用。由于半导体微盘谐振腔中的模式主要都被限制在微盘的边缘,所以半导体微盘谐振腔往往都在微盘中心有一个支撑部分连接衬底,而靠近微盘边缘的部分则为悬空的结构,这样能减小模式向衬底的光学衍射损耗,在垂直方向对光学模式有更好的限制。但是这种悬空的结构给器件的电流注入带来了困难,大部分具有悬空结构的半导体微盘谐振腔都只能工作在光泵条件下。通常情况下半导体微盘谐振腔下部的支撑柱是通过对衬底进行湿法刻蚀的方式制备,为了实现对半导体微盘中有源区的的电流注入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底,所述半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上,所述半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。

【技术特征摘要】
1.一种电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底,所述半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上,所述半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。2.根据权利要求1所述的电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:所述半导体微盘与金属支撑柱之间还设有电流扩展层。3.根据权利要求1所述的电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:所述半导体微盘为圆形结构。4.根据权利要求3所述的电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:所述金属支撑柱为圆柱形结构。5.根据权利要求4所述的电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:所述金属支撑柱与半导体微盘中心对齐。6.根据权利要求1所述的电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:所述半导体微盘从下往上依次包括叠设的p型半导体外延层、有源区和n型半导体外延层。7.根据权利要求1所述的电注入微盘谐振腔发光器件,其特征在于:所述金属支撑柱和金属支撑衬底由铜或铝材料制成,且一体成型。8.一种用于权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张保平梅洋许荣彬徐欢应磊莹郑志威
申请(专利权)人:厦门大学
类型:发明
国别省市:福建,35

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