【技术实现步骤摘要】
一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器
本技术涉及电子
，具体地，涉及一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器。
技术介绍
微波宽带低噪声放大器用于在射频范围(10KHz-300GHz)内的工作频率大于一个倍频程以上的做微弱信号放大且自身产生的噪声较低的放大器，在微波电子技术行业起到重要作用。但要实现较宽的工作带宽和较低的噪声系数这两者之间是较难同时实现的。因此，需要一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器。
技术实现思路
本技术的目的就在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，本装置包括晶体管和反馈网络及分配网络，所述晶体管由半导体材料制成，反馈网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，图1为几种典型的由电阻、电感和电容组成反馈网络的电路拓扑结构图，分配网络由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，本技术微波多路径反馈宽带低噪声放大器由晶体管和反馈网络及分配网络使用微波单片集成技术制作，实现了小面积、宽带低噪声放大功能。本技术解决上述问题所采用的技术方案是：一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，...
【技术保护点】
1.一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一反馈网络Z1和第二反馈网络Z2，其中，所述第一反馈网络Z1与所述第一晶体管Q1构成第一并联反馈放大结构，所述第二反馈网络Z2与所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2构成级间反馈结构。
【技术特征摘要】
1.一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一反馈网络Z1和第二反馈网络Z2，其中，所述第一反馈网络Z1与所述第一晶体管Q1构成第一并联反馈放大结构，所述第二反馈网络Z2与所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2构成级间反馈结构。2.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第三反馈网络Z3,所述第三反馈网络Z3与所述第一晶体管Q1构成串联反馈放大结构。3.根据权利要求2所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第四反馈网络Z4，所述第四反馈网络Z4与所述第二晶体管Q2构成第二并联反馈放大结构。4.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第三分配网络T3，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第一分配网络T1和所述第三分配网络T3形成的并联结构串联。5.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第四分配网络T4，其中所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第二分配网络T2和所述第四分配网络T4形成的并联结构串联。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：石伟屹，
申请(专利权)人：成都仙童科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51
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