一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，包括输入放大器和有源反馈支路；输入放大器包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，使用电流复用技术提高等效跨导，使用复合NMOS/PMOS交叉耦合技术实现噪声消除，从而提高增益和降低噪声系数；有源反馈支路包括第七晶体管、第八晶体管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容，满足输入匹配。本发明专利技术的电路结构解决了现有全差分共源低噪声放大器中噪声、增益、输入匹配和带宽等性能相互制约的矛盾，具有低噪声系数和高增益的特点。

A Composite Active Feedback Broadband Low Noise Amplifier

【技术实现步骤摘要】
一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器
本专利技术涉及晶体管放大领域，尤其涉及一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器。
技术介绍
射频接收器是射频集成电路中重要构成部分，低噪声放大器是接收器中首个有源模块。为了适应单个设备中的不同频段应用，需要在单个芯片上实现支持多种标准的射频接收器。解决方案有两种，一是将几个不同的窄带低噪声放大器集成在一起，通过开关选择实现宽带接收器，二是使用单个宽带低噪声放大器满足所有标准。第二份方案可以实现更低的成本、面积和功耗，是宽带接收器的未来发展趋势。但宽带低噪声放大器中存在噪声、增益、输入匹配和带宽等性能相互制约的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器。本专利技术利用电流复用方案提高等效跨导，利用复合NMOS/PMOS晶体管对交叉耦合技术部分消除输入级晶体管的噪声贡献，采用有源反馈技术解决现有低噪声放大器中噪声、增益、输入匹配和带宽等性能相互制约的矛盾，最终实现低噪声系数和高增益。本专利技术通过下述技术方案实现：一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，包括输入放大器和有源反馈支路；所述输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，其特征在于：包括输入放大器和有源反馈支路；所述输入放大器由第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4组成；所述输入放大器的第一晶体管M1的漏极接地，其源级和第三晶体管M3的源级相连，其栅极通过第二电容C2和第四晶体管M4的栅极相连；第二晶体管M2的漏极接地，其源级和第四晶体管M4的源级相连，其栅极通过第一电容C1和第三晶体管M3的栅极相连；第三晶体管M3的漏极和第五晶体管M5的漏极相连，其漏级还与输出端口Von相连，其...

【技术特征摘要】
1.一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，其特征在于：包括输入放大器和有源反馈支路；所述输入放大器由第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第一电容C1、第二电容C2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4组成；所述输入放大器的第一晶体管M1的漏极接地，其源级和第三晶体管M3的源级相连，其栅极通过第二电容C2和第四晶体管M4的栅极相连；第二晶体管M2的漏极接地，其源级和第四晶体管M4的源级相连，其栅极通过第一电容C1和第三晶体管M3的栅极相连；第三晶体管M3的漏极和第五晶体管M5的漏极相连，其漏级还与输出端口Von相连，其源级和第一晶体管M1的源级相连，其栅极与输入端口Vin相连；第四晶体管M4的漏极和第六晶体管M6的漏极相连，其漏级还与输出端口Vop相连，其源级和第二晶体管M2的源级相连，其栅极与输入端口Vip相连；第五晶体管M5的漏极和第三晶体管M3的漏极相连，其源级和电源相连，其栅极和第三晶体管M3的栅极相连；第六晶体管M6的漏极和第四晶体管M4的漏极相连，其源级和电源相连，其栅极和第四晶体管M4的栅极相连；第一电阻R1的一端接地，另一端和第一晶体管M1的栅极相连；第二电阻R2的一端接地，另一端和第二晶体管M2的栅极相连；第三电阻R3的一端接偏置电压Vb，另一端和第五晶体管M5的栅极相连；第四电阻R4的一端接偏置电压Vb，另一端和第六晶体管M6的栅极相连；第一电容C1的一端接第二晶体管M2的栅极，另一端接第三晶体管M3的栅极；第二电容C2的一端接第一晶体管M1的栅极，另一端接第四晶体管M4的栅极；所述有源反馈支路包括第七晶体管M7、第八晶体管M8、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6；所述有源反馈支路的第七晶体管M7的漏极和电源相连，其源级和第七电阻R7相连，其栅极通过第三电容C3和第五晶体管M5的漏极相连；第八晶体管M8的漏极和电源相连，其源级和第八电阻R8相连，其栅极通过第四电容C4和第六晶体管M6的漏极相连；第五电阻R5的一端接电源，另一端和第七晶体管M7的栅极相连；第六电阻R6的一端接电源，另一端和第八晶体管M8的栅极相连；第七电阻R7的一端接地，另一端和第七晶体管M7的源极相连；第八电阻R8的一端接地，另一端和第八晶体管M8的源极相连；第三电容C3的一端接第五晶体管M5的漏极，另一端接第七晶体管M7的栅极；第四电容C4的一端接第六晶体管M6的漏极，另一端接第八晶体管M8的栅极；第五电容C5的一端接第三晶体管M3的栅极，另一端接第七晶体管M7的源极；第六电容C6的一端接第四晶体管M4的栅极，另一端接第八晶体管M8的源极。2.根据权利要求1所述复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，其特征在于：输入放大器中输入信号经过第一晶体管M1、第三晶体管M3的等效跨导为2(gm1//gm3)＝gm1＝gm3,输入信号经过第五晶体管M5的跨导为gm5,则输入放大器提供的总电路跨导为gm1+gm5；低噪声放大器的电压增益为：Av≈(gm1+gm5)·(2ro3||ro5)(1)式(1)中，gm1和gm5分别为第...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚若河，何晓檬，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44