一种物理气相沉积法制备蓝绿色涂层的方法技术

本发明专利技术公开了一种物理气相沉积法制备绿色涂层的方法，其包括除油清洗步骤、底层制备步骤、过渡层制备步骤、加硬耐磨膜层制备步骤、颜色层制备步骤、冷却出炉步骤；其中，除油清洗步骤包括有通用除油清洗剂溶液浸泡清洗处理步骤、于酒精中超声波清洗处理步骤、于100℃超纯水中慢拉脱水处理步骤、烘烤步骤。通过上述工艺步骤设计，本发明专利技术提供的一种物理气相沉积法在产品上制作绿色膜的方法。与传统的方法沉积的涂层相比，本发明专利技术沉积的涂层耐腐蚀性强，抗氧化性好，能很好满足产品日常使用，同时延长产品使用寿命。

A Method for Preparing Blue-green Coatings by Physical Vapor Deposition

【技术实现步骤摘要】
一种物理气相沉积法制备蓝绿色涂层的方法
本专利技术涉及PVD蓝绿色色工艺
，尤其涉及一种物理气相沉积法制备蓝绿色涂层的方法。
技术介绍
当前，各种电子产品高速发展，竞争激烈，消费者对产品的要求不仅仅是品质过硬、经久耐用，还对外观要求高端时尚、色彩绚丽、夺人眼球的特性需求尤为强烈。需进一步指出，对于传统的PVD蓝绿色工艺而言，其具有硬度低、抗腐蚀性差、不耐磨、工艺稳定性差的缺陷。故而，有必要对现有的PVD蓝绿色工艺进行改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足而提供一种物理气相沉积法制备绿色涂层的方法，该物理气相沉积法制备绿色涂层的方法所制备而成的绿色涂层具有耐腐蚀性强、抗氧化性好的优点，且能够很好满足产品日常使用并延长产品使用寿命。为达到上述目的，本专利技术通过以下技术方案来实现。一种物理气相沉积法制备绿色合涂层的方法，包括有以下工艺步骤，具体的：a、除油清洗：a1、将需要加工的产品置于通用除油清洗剂溶液中进行浸泡清洗处理；a2、将经过通用除油清洗剂浸泡清洗处理后的产品置于酒精中进行超声波清洗处理，超声波清洗处理的时间为3-8分钟；a3、将经过超声波清洗处理后的产品置于超纯水中进行慢拉脱水处理，超纯水为100℃热水；a4、将经过超纯水慢拉脱水处理后的产品置于烘箱中进行烘烤处理，烘箱采用110-180℃循环风进行烘烤，烘烤处理的时间为30-50分钟；待产品于烘箱中烘烤处理完毕后，将产品移出烘箱并自然冷却至室温；b、底层制备：b1、将经过烘烤处理且冷却至室温的产品置于真空炉中，启动抽真空装置进行抽真空处理并使得真空炉内部的真空度达到0.1Pa，而后开启真空炉的加热装置，当真空炉内部的温度到达200℃后开始计时恒温35-55分钟，恒温时间到达之后关闭真空炉的加热装置并停止加热；b2、继续启动抽真空装置进行抽真空处理，直至真空炉内部的真空度达到0.5-0.8×10-3Pa，而后启动氩气流量控制器并往真空炉内部通入60-100SCCM的氩气，以使得真空炉内部的真空度上升至0.15Pa；b3、依次打开偏压电源、Ti弧靶电源，偏压电源的电压设定为220-300V，Ti弧靶电源的电流设定为50-65A，在产品离子轰击5-8分钟后关闭弧靶电源，此时产品表面沉积Ti金属底层；c、过渡层制备：c1、启动氩气流量控制器并往真空炉内通入200-250SCCM的氩气，以使得真空炉内部的真空度上升至0.4-0.8Pa；c2、将偏压电源的电压设定为100-150V，并开启Ti柱靶中频电源，Ti柱靶中频电源的电流设定为75-85A，在产品离子轰击10-15分钟后，产品于Ti金属底层上沉积Ti过渡层；d、加硬耐磨膜层制备：d1、开启氩气流量控制器以及乙炔流量控制器，真空炉内部通入200-300SCCM氩气且通入80-150SCCM氮气，以使真空炉内部的真空度上升至0.45-0.5Pa；d2、将Ti柱靶电源的电流设定为75-85A，同时将偏压电源的电压设定为80-100V；完成上述动作之后产品在转向Ti靶时沉积TiN加硬耐磨层，沉积时间为60-80分钟；e、颜色层制备：e1、启动氩气流量控制器、氮气流量控制器、氧气流量控制器，并往真空炉内部通入200-300SCCM氩气、50-80SCCM氧气以及250-350SCCM的氮气，以使真空炉内部的真空度上升至0.2-0.8Pa；e2、将Ti柱靶电源的电流设定为65-75A，并同时将偏压电源的电压设定为60-80V，完成上述动作之后将在产品上沉积TiON颜色层，沉积时间为10-15分钟；f、冷却出炉：f1、待颜色层沉积完毕后，依次关闭Ti柱靶中频电源、偏压电源，并关闭氩气流量控制器、氧气流量控制器、氮气流量控制器抽真空装置；f2、待上述关闭动作完成后，打开真空炉的炉门并进行开门放气，而后将加工后的产品取出并置于通风干燥处进行自然冷却。其中，所述步骤a1中，所述通用除油清洗剂溶液中的通用除油清洗剂质量浓度为5%-10%。其中，所述步骤a1中，通用除油清洗剂溶液浸泡清洗处理的时间为5-10分钟。本专利技术的有益效果为：本专利技术所述的一种物理气相沉积法制备绿色涂层的方法，其包括除油清洗步骤、底层制备步骤、过渡层制备步骤、加硬耐磨膜层制备步骤、颜色层制备步骤、冷却出炉步骤；其中，除油清洗步骤包括有通用除油清洗剂溶液浸泡清洗处理步骤、于酒精中超声波清洗处理步骤、于100℃超纯水中慢拉脱水处理步骤、烘烤步骤。通过上述工艺步骤设计，本专利技术的物理气相沉积法制备绿色涂层的方法所制备而成的绿色涂层具有耐腐蚀性强、抗氧化性好的优点，且能够很好满足产品日常使用并延长产品使用寿命。具体实施方式下面结合具体的实施方式来对本专利技术进行说明。一种物理气相沉积法制备绿色涂层的方法，包括有以下工艺步骤，具体的：a、除油清洗：a1、将需要加工的产品置于通用除油清洗剂溶液中进行浸泡清洗处理；a2、将经过通用除油清洗剂浸泡清洗处理后的产品置于酒精中进行超声波清洗处理，超声波清洗处理的时间为3-8分钟；a3、将经过超声波清洗处理后的产品置于超纯水中进行慢拉脱水处理，超纯水为100℃热水；a4、将经过超纯水慢拉脱水处理后的产品置于烘箱中进行烘烤处理，烘箱采用110-180℃循环风进行烘烤，烘烤处理的时间为30-50分钟；待产品于烘箱中烘烤处理完毕后，将产品移出烘箱并自然冷却至室温；b、底层制备：b1、将经过烘烤处理且冷却至室温的产品置于真空炉中，启动抽真空装置进行抽真空处理并使得真空炉内部的真空度达到0.1Pa，而后开启真空炉的加热装置，当真空炉内部的温度到达200℃后开始计时恒温35-55分钟，恒温时间到达之后关闭真空炉的加热装置并停止加热；b2、继续启动抽真空装置进行抽真空处理，直至真空炉内部的真空度达到0.5-0.8×10-3Pa，而后启动氩气流量控制器并往真空炉内部通入60-100SCCM的氩气，以使得真空炉内部的真空度上升至0.15Pa；b3、依次打开偏压电源、Ti弧靶电源，偏压电源的电压设定为220-300V，Ti弧靶电源的电流设定为50-65A，在产品离子轰击5-8分钟后关闭弧靶电源，此时产品表面沉积Ti金属底层；c、过渡层制备：c1、启动氩气流量控制器并往真空炉内通入200-250SCCM的氩气，以使得真空炉内部的真空度上升至0.4-0.8Pa；c2、将偏压电源的电压设定为100-150V，并开启Ti柱靶中频电源，Ti柱靶中频电源的电流设定为75-85A，在产品离子轰击10-15分钟后，产品于Ti金属底层上沉积Ti过渡层；d、加硬耐磨膜层制备：d1、开启氩气流量控制器以及乙炔流量控制器，真空炉内部通入200-300SCCM氩气且通入80-150SCCM氮气，以使真空炉内部的真空度上升至0.45-0.5Pa；d2、将Ti柱靶电源的电流设定为75-85A，同时将偏压电源的电压设定为80-100V；完成上述动作之后产品在转向Ti靶时沉积TiN加硬耐磨层，沉积时间为60-80分钟；e、颜色层制备：e1、启动氩气流量控制器、氮气流量控制器、氧气流量控制器，并往真空炉内部通入200-300SCCM氩气、50-80SCCM氧气以及250-350SCCM的氮气，以使真空炉内部的真空度上升至0.2-0.8Pa；e2、将Ti柱靶电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物理气相沉积法制备绿色膜层的方法，包括有以下工艺步骤，具体的：a、除油清洗：a1、将需要加工的产品置于通用除油清洗剂溶液中进行浸泡清洗处理；a2、将经过通用除油清洗剂浸泡清洗处理后的产品置于酒精中进行超声波清洗处理，超声波清洗处理的时间为3‑8分钟；a3、将经过超声波清洗处理后的产品置于超纯水中进行慢拉脱水处理，超纯水为100℃热水；a4、将经过超纯水慢拉脱水处理后的产品置于烘箱中进行烘烤处理，烘箱采用110‑180℃循环风进行烘烤，烘烤处理的时间为30‑50分钟；待产品于烘箱中烘烤处理完毕后，将产品移出烘箱并自然冷却至室温；b、底层制备：b1、将经过烘烤处理且冷却至室温的产品置于真空炉中，启动抽真空装置进行抽真空处理并使得真空炉内部的真空度达到0.1Pa，而后开启真空炉的加热装置，当真空炉内部的温度到达200℃后开始计时恒温35‑55分钟，恒温时间到达之后关闭真空炉的加热装置并停止加热；b2、继续启动抽真空装置进行抽真空处理，直至真空炉内部的真空度达到0.5‑0.8×10

【技术特征摘要】
1.一种物理气相沉积法制备绿色膜层的方法，包括有以下工艺步骤，具体的：a、除油清洗：a1、将需要加工的产品置于通用除油清洗剂溶液中进行浸泡清洗处理；a2、将经过通用除油清洗剂浸泡清洗处理后的产品置于酒精中进行超声波清洗处理，超声波清洗处理的时间为3-8分钟；a3、将经过超声波清洗处理后的产品置于超纯水中进行慢拉脱水处理，超纯水为100℃热水；a4、将经过超纯水慢拉脱水处理后的产品置于烘箱中进行烘烤处理，烘箱采用110-180℃循环风进行烘烤，烘烤处理的时间为30-50分钟；待产品于烘箱中烘烤处理完毕后，将产品移出烘箱并自然冷却至室温；b、底层制备：b1、将经过烘烤处理且冷却至室温的产品置于真空炉中，启动抽真空装置进行抽真空处理并使得真空炉内部的真空度达到0.1Pa，而后开启真空炉的加热装置，当真空炉内部的温度到达200℃后开始计时恒温35-55分钟，恒温时间到达之后关闭真空炉的加热装置并停止加热；b2、继续启动抽真空装置进行抽真空处理，直至真空炉内部的真空度达到0.5-0.8×10-3Pa，而后启动氩气流量控制器并往真空炉内部通入60-100SCCM的氩气，以使得真空炉内部的真空度上升至0.15Pa；b3、依次打开偏压电源、Ti弧靶电源，偏压电源的电压设定为220-300V，Ti弧靶电源的电流设定为50-65A，在产品离子轰击5-8分钟后关闭弧靶电源，此时产品表面沉积Ti金属底层；c、过渡层制备：c1、启动氩气流量控制器并往真空炉内通入200-250SCCM的氩气，以使得真空炉内部的真空度上升至0.4-0.8Pa；c2、将偏压电源的电压设定为100-150V，并开启Ti柱靶中频电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：施正彪，郑国宝，
申请(专利权)人：精研东莞科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44