【技术实现步骤摘要】
一种芯片电源过压及反接保护电路及方法
本专利技术实施例涉及集成电路
，具体涉及一种芯片电源过压及反接保护电路及方法。
技术介绍
任何集成电路芯片均有正常工作电源电压范围，其通常由芯片制造工艺决定。超过正常电源电压范围或电源正负极反接，均可能对芯片造成永久损坏。在实际使用过程中，由于环境影响或人为失误，电源过压和反接时有发生。比如在汽车电子中，发动机点火过程系统提供的5V电源经常会瞬间升高到12V甚至更高。为了保护集成电路，要求集成电路具有电源电压过压及反接保护功能。目前集成电路电源过压及反接保护电路功能由外部分立元件实现。随着对模块小型化的需求，很多应用要求集成电路内置过压及反接保护电路，同时作为电源输入端，保护电路不能影响集成电路电源管脚的ESD性能。随着对低功耗电路的需求，特别是传感器等应用的增加，还要求过压及反接保护电路除了提供保护以外，在正常工作状态下，自身还要具有低功耗的特点。
技术实现思路
为此，本专利技术实施例提供一种芯片电源过压及反接保护电路及方法，实现在芯片电源电压过高或反接时对芯片内部电路的保护，正常工作时功耗低。为了实现上述目的，本专利技术...
【技术保护点】
1.一种芯片电源过压及反接保护电路，包括电源端VDDE、电源端VDDA、电源端VDDD和电线接地端，其特征在于，还包括反向电压保护电路、ESD保护电路和正向过压保护电路；所述反向电压保护电路包括高压PMOS管M1、齐纳二极管D1、电阻R1和电阻R2；所述高压PMOS管M1的栅极与电阻R1的正极和齐纳二极管D1的阳极相连，高压PMOS管M1的源极与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的正极相连，高压PMOS管M1的漏极与电源端VDDE相连；所述ESD保护电路包括高压NMOS管M2，所述高压NMOS管M2的栅极和源极分别与所述电线接地端相连，高压NMOS管M2的漏极与所述高压PMOS...
【技术特征摘要】
1.一种芯片电源过压及反接保护电路，包括电源端VDDE、电源端VDDA、电源端VDDD和电线接地端，其特征在于，还包括反向电压保护电路、ESD保护电路和正向过压保护电路；所述反向电压保护电路包括高压PMOS管M1、齐纳二极管D1、电阻R1和电阻R2；所述高压PMOS管M1的栅极与电阻R1的正极和齐纳二极管D1的阳极相连，高压PMOS管M1的源极与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的正极相连，高压PMOS管M1的漏极与电源端VDDE相连；所述ESD保护电路包括高压NMOS管M2，所述高压NMOS管M2的栅极和源极分别与所述电线接地端相连，高压NMOS管M2的漏极与所述高压PMOS管M1的源极相连；所述正向过压保护电路包括高压PMOS管M3、高压PMOS管M4、高压PMOS管M5、齐纳二极管D2、电阻R3、电阻R4、电阻R5和电阻R6，所述高压PMOS管M3的栅极与电阻R3的负极和齐纳二极管D2的阴极相连，高压PMOS管M3的源极与电阻R3的正极相连，高压PMOS管M3的漏极与电阻R4的正极相连；高压PMOS管M4的栅极与电阻R4的正极相连，高压PMOS管M4的源极与高压PMOS管M3的源极相连，高压PMOS管M4的漏极与所述电源端VDDA相连；高压PMOS管M5的栅极与电阻R4的正极相连，高压PMOS管M5的源极与高压PMOS管M3的源极相连，高压PMOS管M5的漏极与所述电源端VDDD相连。2.根据权利要求1所述的一种芯片电源过压及反接保护电路，其特征在于，所述齐纳二极管D1的阳极与高压PMOS管M1的栅极和电阻R1的正极相连，齐纳二极管D1的阴极与高压PMOS管M1的源极和电阻R2的正极相连。3.根据权利要求1所述的一种芯片电源过压及反接保护电路，...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄爱华，
申请(专利权)人：上海趣致网络科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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