光电转换元件及其制造方法技术

本申请的一个方案的光电转换元件的制造方法包含下述工序：准备基体的工序，所述基体包含：具有主表面的半导体基板、位于所述主表面的上方的第一电极、位于所述主表面的上方且一维或二维地排列的多个第二电极、和至少覆盖所述多个第二电极的光电转换膜；在所述光电转换膜上形成掩模层的工序，所述掩模层包含覆盖所述光电转换膜中的俯视时与所述多个第二电极重叠的部分的被覆部、并且具有导电性；和通过将所述基体和所述掩模层浸渍到蚀刻剂中从而将所述光电转换膜的一部分除去的工序。

Photoelectric Converter and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
光电转换元件及其制造方法
本申请涉及光电转换元件及其制造方法。
技术介绍
已知在半导体基板的上方配置有光电转换部的摄像装置。这种结构也被称为层叠型，例如，日本特开2006-032714号公报、日本特开2011-228648号公报、日本特开2015-056554号公报和日本特开2003-234460号公报公开了在半导体基板的上方具有光电转换膜的摄像装置。在层叠型的结构中，在支撑光电转换部的半导体基板上设有用于信号读出的CCD(电荷耦合器件；ChargeCoupledDevice)电路或CMOS(互补金属氧化物半导体；ComplementaryMetalOxideSemiconductor)电路。根据层叠型的结构，因为承担光电转换的部分位于半导体基板的上方，因而容易得到高开口率。另外，还可得到即使在就Si而言不显示吸收的近红外区域也能具有灵敏度(感度)的优点。为了参考起见，将日本特开2006-032714号公报、日本特开2011-228648号公报、日本特开2015-056554号公报和日本特开2003-234460号公报的全部公开内容援引到本说明书中。作为用于形成光电转换膜的材料，典型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电转换元件的制造方法，其包含下述工序：准备基体的工序，所述基体包含：具有主表面的半导体基板、位于所述主表面的上方的第一电极、位于所述主表面的上方且一维或二维地排列的多个第二电极、和至少覆盖所述多个第二电极的光电转换膜；在所述光电转换膜上形成掩模层的工序，所述掩模层包含覆盖所述光电转换膜中的俯视时与所述多个第二电极重叠的部分的被覆部、并且具有导电性；和通过将所述基体和所述掩模层浸渍到蚀刻剂中从而将所述光电转换膜的一部分除去的工序。

【技术特征摘要】
2018.02.26 JP 2018-0318991.一种光电转换元件的制造方法，其包含下述工序：准备基体的工序，所述基体包含：具有主表面的半导体基板、位于所述主表面的上方的第一电极、位于所述主表面的上方且一维或二维地排列的多个第二电极、和至少覆盖所述多个第二电极的光电转换膜；在所述光电转换膜上形成掩模层的工序，所述掩模层包含覆盖所述光电转换膜中的俯视时与所述多个第二电极重叠的部分的被覆部、并且具有导电性；和通过将所述基体和所述掩模层浸渍到蚀刻剂中从而将所述光电转换膜的一部分除去的工序。2.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中，所述形成掩模层的工序包含使用有机材料来形成所述掩模层的工序，所述将光电转换膜的一部分除去的工序中的所述掩模层的蚀刻速率低于所述将光电转换膜的一部分除去的工序中的所述光电转换膜的蚀刻速率。3.根据权利要求2所述的光电转换元件的制造方法，其中，所述有机材料为光电转换材料。4.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中，所述形成掩模层的工序包含使用氧化物半导体材料来形成所述掩模层的工序。5.根据权利要求2所述的光电转换元件的制造方法，其中，在所述将光电转换膜的一部分除去的工序后，进一步包含形成透光性的第三电极的工序，所述透光性的第三电极覆盖所述被覆部、并且将所述被覆部与所述第一电极电连接。6.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其中，所述形成掩模层的工序包含使用透明导电性材料来形成所述掩模层的工序。7.根据权利要求6所述的光电转换元件的制造方法，其中，在所述将光电转换膜的一部分除去的工序后，进一步包含形成第三电极的工序，所述第三电极将所述被覆部与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：平出雅哉，中田学，能泽克弥，井上恭典，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP