【技术实现步骤摘要】
一种基于双效种子生长法的钙钛矿光伏薄膜制备方法
本专利技术属于太阳能电池
,涉及一种钙钛矿型太阳能电池制备技术,特别是涉及一种基于双效种子生长法的钙钛矿光伏薄膜制备方法。
技术介绍
钙钛矿太阳能电池因其高效的光电转换效率、低廉的制造成本以及可低温制造的巨大潜力,被认为是最有前途的新型太阳能电池之一。从2009年钙钛矿太阳能电池第一次被提出,发展到如今,其光电转换效率从最初的3.8%提升至23.7%。钙钛矿太阳能电池能够在如此短的时间内迅猛发展,归功于其使用钙钛矿型(ABX3)有机金属卤化物半导体(A:CH3NH3+;CH3(NH2)2+;Cs+,B:Pb2+;Sn2+;Ge2+,X:Cl-;Br-;I-;SCN-)作为吸光材料。在高效率钙钛矿太阳能电池领域,CH3NH3PbI3(MAPbI3)是最常用的光伏层材料。虽然MAPbI3基钙钛矿太阳能电池的效率能够达到20%,但是其与水、氧气接触时会发生分解。同时光照稳定性以及热稳定性也是钙钛矿太阳能电池实现产业化急需解决的问题。通过器件封装工艺,能够极大地避免钙钛矿材料与水、氧气的接触,有效地缓解了钙钛矿的水、氧 ...
【技术保护点】
1.一种基于双效种子生长法的钙钛矿光伏薄膜制备方法,其特征在于:采用两步沉积法制备钙钛矿光伏薄膜,首先在PbI2前驱体溶液中加入晶种溶液,引入晶核与Cs
【技术特征摘要】
1.一种基于双效种子生长法的钙钛矿光伏薄膜制备方法,其特征在于:采用两步沉积法制备钙钛矿光伏薄膜,首先在PbI2前驱体溶液中加入晶种溶液,引入晶核与Cs+,制得PbI2层,然后在PbI2层上沉积FAI/MAI溶液加热退火得到钙钛矿光伏薄膜。2.如权利要求1所述的钙钛矿光伏薄膜制备方法,其特征在于:具体包括以下步骤:步骤(1)在基底上旋涂含有CsPbX3种子溶液的PbI2前驱体溶液;步骤(2)加热退火得到PbI2层;步骤(3)在PbI2层上旋涂FAI/MAI溶液;步骤(4)加热退火得到钙钛矿光伏薄膜。3.根据权利要求2所述的钙钛矿光伏薄膜制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述的CsPbX3种子溶液的溶剂为DMF/DMSO混合溶剂,该DMF/DMSO混合溶剂中DMF溶剂体积比为0%~80%,CsPbX3种子溶液的浓度为0.3M~3M。4.根据权利要求2所述的钙钛矿光伏薄膜制备方法,其特征在于:步骤(1)中,所述的CsPbX3种子溶液的组分中,X为Cl、Br和I中的至少一种。5.根据权利要求2所述的钙钛矿光伏薄膜制备方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵兴中,汪少夫,刘钰旻,
申请(专利权)人:武汉大学,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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