太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法技术

本发明专利技术提供在制造时无困难的、具有得到改善的光电转换效率的太阳能单电池。太阳能单电池(1)为背面接合型的太阳能单电池，包括：半导体衬底(10)，其具有光入射的受光面(20)和背对受光面(20)的背面(30)；n型半导体层(13n)，其配置于背面(30)的一部分之上；和p型半导体层(12p)，其配置于背面(30)的没有配置n型半导体层(13n)的部分之上。并且，受光面(20)具有包括多个凸部(22)的凹凸结构(21)，背面(30)具有包括多个凸部(32)的凹凸结构(31)，在将半导体衬底(10)沿着厚度方向截断的截面中，凹凸结构(31)的凸部(32)的倾斜角(θ2)比凹凸结构(31)的凸部(22)的倾斜角(θ1)小。

Manufacturing Method of Solar Single Cell and Solar Single Cell

【技术实现步骤摘要】
太阳能单电池和太阳能单电池的制造方法
本专利技术涉及背面接合型的太阳能单电池和该太阳能单电池的制造方法。
技术介绍
现有技术中，作为将光能转换为电能得光电转换装置，太阳能单电池的开发正在逐步发展。太阳能单电池能够将无尽的太阳光直接转换为电，且与通过化石燃料进行发电相比环境负担小且清洁，所以作为新的能源而备受期待。专利文献1中公开了作为光电转换效率得到改善的太阳能单电池的背面接合型的太阳能单电池。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-101151号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题近年，在背面接合型的太阳能单电池中，期待进一步改善光电转换效率。此外，期待能够容易地制作太阳能单电池。于是，本专利技术的目的在于提供在制造时无困难的、具有得到改善的光电转换效率的太阳能单电池和该太阳能单电池的制造方法。用于解决课题的方法为了达到上述目的，本专利技术的一个方式的太阳能单电池为背面接合型的太阳能单电池，包括：半导体，其具有光入射的受光面和背对上述受光面的背面；n型半导体层，其配置于上述背面的一部分之上；和p型半导体层，其配置于上述背面的没有配置上述n型半导体层的部分之上，上述受光面具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背面接合型的太阳能单电池，其特征在于，包括：半导体，其具有光入射的受光面和背对所述受光面的背面；n型半导体层，其配置于所述背面的一部分之上；和p型半导体层，其配置于所述背面的没有配置所述n型半导体层的部分之上，所述受光面具有包括多个第一凸部的第一凹凸结构，所述背面具有包括多个第二凸部的第二凹凸结构，在将所述半导体衬底沿着厚度方向截断的截面中，所述第二凹凸结构的所述第二凸部的倾斜角比所述第一凹凸结构的所述第一凸部的倾斜角小。

【技术特征摘要】
2018.02.27 JP 2018-0330441.一种背面接合型的太阳能单电池，其特征在于，包括：半导体，其具有光入射的受光面和背对所述受光面的背面；n型半导体层，其配置于所述背面的一部分之上；和p型半导体层，其配置于所述背面的没有配置所述n型半导体层的部分之上，所述受光面具有包括多个第一凸部的第一凹凸结构，所述背面具有包括多个第二凸部的第二凹凸结构，在将所述半导体衬底沿着厚度方向截断的截面中，所述第二凹凸结构的所述第二凸部的倾斜角比所述第一凹凸结构的所述第一凸部的倾斜角小。2.如权利要求1所述的太阳能单电池，其特征在于：所述第二凸部的所述倾斜角小于54.7°。3.如权利要求1或2所述的太阳能单电池，其特征在于：所述第二凸部的相邻的顶部间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高滨豪，井手大辅，吉村直记，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP