蒸发坩埚和蒸发设备制造技术

本申请公开了一种蒸发坩埚，包括坩埚主体(1)和连接到坩埚主体(1)的多个喷嘴(2)。多个喷嘴(2)中的每一个在远离坩埚主体(1)的一侧上具有开口。多个喷嘴(2)包括在多个喷嘴(2)的第一边缘(E1)上的第一喷嘴(2A)。第一喷嘴(2A)在接近第一边缘(E1)的一侧上相对于坩埚主体(1)的表面的第一高度(H1)大于在远离第一边缘(E1)的一侧上相对于坩埚主体(1)的表面(S)的第二高度(H2)。

Evaporation Crucible and Evaporation Equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蒸发坩埚和蒸发设备
本专利技术涉及一种蒸发坩埚和蒸发设备。
技术介绍
在制作有机发光二极管(OLED)的过程中，使用蒸发坩埚将有机发光材料蒸发到基板上。具体地，将有机发光材料置于具有加热源的蒸发坩埚内。当向加热源施加动力时，有机发光材料蒸发或升华成为蒸汽。蒸发的或升华的蒸汽在到达蒸发坩埚的顶部上的基板时凝结。有机发光材料被沉积在基板上。
技术实现思路
在一个方面中，本专利技术提供了一种蒸发坩埚，包括：坩埚主体；以及连接到所述坩埚主体的多个喷嘴，每个喷嘴在远离所述坩埚主体的一侧上具有开口；其中所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第一边缘上的第一喷嘴；并且所述第一喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第一高度大于在远离所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第二高度。可选地，所述第一喷嘴具有第一开口；并且所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在约5度至约85度的范围内。可选地，所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第二边缘上的第二喷嘴，所述第二边缘与所述第一边缘相对；并且所述第二喷嘴在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第三高度大于在远离所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第四高度。可选地，所述第二喷嘴具有第二开口；并且所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在约5度至约85度的范围内。可选地，所述第三高度与所述第一高度实质上相同；并且所述第四高度与所述第二高度实质上相同。可选地，所述第一开口的平面和所述第二开口的平面朝向彼此倾斜，使得所述第一开口的平面与所述第二开口的平面在所述第一开口和所述第二开口的接近所述坩埚主体的一侧上相交；与所述第一开口的平面正交的平面和与所述第二开口的平面正交的平面实质上相互平行；所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在约5度至约85度的范围内；所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在约5度至约85度的范围内；并且所述第一角度和所述第二角度实质上相同。可选地，所述多个喷嘴包括在所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的至少第三喷嘴；所述第三喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上和在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面具有实质上相同的第五高度；所述第二高度、所述第四高度和所述第五高度实质上相同；并且所述第三高度与所述第一高度实质上相同。可选地，所述第三喷嘴具有第三开口；并且所述第三喷嘴沿着所述第三开口的边缘具有实质上均匀的高度。可选地，所述第三喷嘴具有第三开口；并且所述第三开口的平面实质上正交于所述第三喷嘴的中轴。可选地，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的任何喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上和在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面具有实质上相同的第六高度；所述第二高度、所述第四高度和所述第六高度实质上相同；并且所述第三高度与所述第一高度实质上相同。可选地，所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的任何喷嘴的开口的平面实质上正交于其中轴；并且与所述第一开口的平面正交的平面和与所述第二开口的平面正交的平面实质上相互平行，并且实质上平行于所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的各喷嘴的中轴。可选地，所述第一高度是沿着所述第一开口的边缘的最大高度；并且所述第二高度是沿着所述第一开口的边缘的最小高度。可选地，所述第三高度是沿着所述第二开口的边缘的最大高度；并且所述第四高度是沿着所述第二开口的边缘的最小高度。可选地，所述多个喷嘴的中轴实质上相互平行。可选地，所述多个喷嘴中的每一个具有正交于其中轴的截面；并且所述多个喷嘴中的每一个的截面具有实质上相同的面积。可选地，所述多个喷嘴中的每一个包括单个开口。可选地，所述多个喷嘴中的每一个在所述坩埚主体上的投影具有实质上相同的形状和实质上相同的面积。可选地，所述多个喷嘴中的每一个在所述坩埚主体上的投影具有圆形形状。在另一方面中，本专利技术提供了一种蒸发设备，包括本文所述的蒸发坩埚。可选地，所述蒸发设备还包括壳体；以及所述壳体中的运送设备；其中所述运送设备在所述蒸发坩埚上方并且构造为支承用于对从所述蒸发坩埚的多个喷嘴蒸发的蒸汽进行接收的基板；所述多个喷嘴实质上沿着第一方向布置；并且所述运送设备构造为在实质上垂直于所述第一方向的方向上移动所述基板。附图说明以下附图仅为根据所公开的各个实施例的用于例示目的的示例，并不意在限制本专利技术的范围。以下附图仅为根据所公开的各个实施例的用于例示目的的示例，并不意在限制本专利技术的范围。图1是示出从喷嘴的出口离开的气态有机材料的分布图案的示意图。图2是示出传统蒸发坩埚的结构的示意图。图3是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发坩埚的结构的示意图。图4是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。图5是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。图6是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴和第二喷嘴的结构的示意图。图7是示出根据本公开的一些实施例中的第三喷嘴的结构的示意图。图8是示出根据本公开的一些实施例中的第一喷嘴、第二喷嘴和多个第三喷嘴的结构的示意图。图9是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发坩埚的结构的示意图。图10是示出根据本公开的一些实施例中的蒸发设备的结构的示意图。具体实施方式现在将参照附图更具体地描述本公开。应当注意，本文呈现的一些实施例的以下描述仅出于例示和说明的目的。其不意在是详尽的或限于所公开的精确形式。来自于喷嘴的气态有机材料的分布遵循麦克斯韦-玻尔兹曼分布函数。图1是示出从喷嘴的出口离开的气态有机材料的分布图案的示意图。参照图1，喷嘴开口处的有机材料的量表示为I0。可以根据等式I＝I0cosnθ来计算以相对于坩埚主体的表面的角度θ分布的有机材料的量I。因此，可以通过计算n值来估计沉积膜的厚度和蒸发的效率。n值还部分地取决于喷嘴开口的尺寸和喷嘴的高度。当喷嘴的高度保持相同时，开口的尺寸越大，n值越小。当开口的尺寸保持相同时，喷嘴的高度越大，n值越大。n值越小，分布的范围越宽。n值越大，分布的范围越窄。在一个示例中，在表1中示出了n值与开口的尺寸之间的相互关系。喷嘴的高度保持为15mm。表1.n值与开口的尺寸之间的相互关系在另一示例中，在表2中示出了n值与喷嘴的高度之间的相互关系。开口的直径保持为10mm。表2.n值与喷嘴的高度之间的相互关系图2是示出传统蒸发坩埚的结构的示意图。参照图2，传统蒸发坩埚包括坩埚主体1和连接到坩埚主体1的多个喷嘴2。传统蒸发坩埚中的多个喷嘴2具有基本上相同的形状、大小和定向。多个喷嘴2中的每一个的入口连接到坩埚主体1的内部。多个喷嘴2中的每一个的出口穿过坩埚主体的顶部上的开口。一些实施例中的坩埚主体包括材料室1A和加热器1B。通过加热材料室1A，有机材料(例如有机发光材料)蒸发成气态有机材料。气态有机材料进入多个喷嘴2中的每一个的入口，并离开多个喷嘴2中的每一个的出口。从多个喷嘴2中的每一个的出口离开的气态有机材料沉积到置于蒸发坩埚的顶部上的基板3的表面上。如图2所示，在基板3上的A与B之间的区域中，沉积在基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸发坩埚，包括：坩埚主体；以及连接到所述坩埚主体的多个喷嘴，每个喷嘴在远离所述坩埚主体的一侧上具有开口；其中所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第一边缘上的第一喷嘴；并且所述第一喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第一高度大于在远离所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第二高度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种蒸发坩埚，包括：坩埚主体；以及连接到所述坩埚主体的多个喷嘴，每个喷嘴在远离所述坩埚主体的一侧上具有开口；其中所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第一边缘上的第一喷嘴；并且所述第一喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第一高度大于在远离所述第一边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第二高度。2.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述第一喷嘴具有第一开口；并且所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在约5度至约85度的范围内。3.根据权利要求1所述的蒸发坩埚，其中，所述多个喷嘴包括在所述多个喷嘴的第二边缘上的第二喷嘴，所述第二边缘与所述第一边缘相对；并且所述第二喷嘴在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第三高度大于在远离所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面的第四高度。4.根据权利要求3所述的蒸发坩埚，其中，所述第二喷嘴具有第二开口；并且所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在约5度至约85度的范围内。5.根据权利要求3所述的蒸发坩埚，其中，所述第三高度与所述第一高度实质上相同；并且所述第四高度与所述第二高度实质上相同。6.根据权利要求3所述的蒸发坩埚，其中，所述第一开口的平面和所述第二开口的平面朝向彼此倾斜，使得所述第一开口的平面与所述第二开口的平面在所述第一开口和所述第二开口的接近所述坩埚主体的一侧上相交；与所述第一开口的平面正交的平面和与所述第二开口的平面正交的平面实质上相互平行；所述第一开口的平面相对于与所述第一喷嘴的中轴正交的所述第一喷嘴的截面倾斜第一角度，所述第一角度在约5度至约85度的范围内；所述第二开口的平面相对于与所述第二喷嘴的中轴正交的所述第二喷嘴的截面倾斜第二角度，所述第二角度在约5度至约85度的范围内；并且所述第一角度和所述第二角度实质上相同。7.根据权利要求3所述的蒸发坩埚，其中，所述多个喷嘴包括在所述第一喷嘴与所述第二喷嘴之间的至少第三喷嘴；所述第三喷嘴在接近所述第一边缘的一侧上和在接近所述第二边缘的一侧上相对于所述坩埚主体的表面具有实质上相同的第五高度；所述第二高度、所述第四高度和所述第五高度实质上相同；并且所述第三高度与所述第一高度实质...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建鹏，梁逸南，嵇凤丽，罗昶，杨忠英，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11