【技术实现步骤摘要】
双芯片电源电路的供电方法和双芯片电源电路
本专利技术涉及电力电子
，具体涉及一种双芯片电源电路的供电方法和双芯片电源电路。
技术介绍
在高压工艺中，只有MOS管的DRAIN端可以承受高压(约700V)，而MOS管的其他端以及其他器件都只能承受低压(约50V以内)。如图1所示，为BUCK降压电路，虚线框中为采用高压工艺的芯片，包括MOS管Q1和驱动控制电路，其中开关节点SW为该芯片的参考地GND。驱动控制电路通过输出分压电阻R1和R2来采样输出电压Vo。在续流二极管D1关断，MOS管Q1导通的时候，SW的电压等于输入电压，反馈电压FB上采样得到的电压为输出电压和输入电压之差；只有当在续流二极管D1导通，MOS管Q1关断的时候，SW的电压等于输出电压的低电位端，反馈电压FB上采样得到的电压为输出电压。因此当输出负载电流状态在MOS管Q1导通的时候出现变化，驱动控制电路是不能检测到输出电压的变化，等待MOS管Q1再次关断后才能检测并通过驱动控制电路调节输出电压Vo回到设定的电压值。这种方式无法快速响应输出电压的变化。特别是在轻载空载工作频率很低的条件下，Q1的关断...
【技术保护点】
1.双芯片电源电路的供电方法，其特征在于：所述双芯片电源电路包括电感、导通元件、第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括控制电路和供电电路，所述第二芯片包括第一开关管和驱动控制电路，所述驱动控制电路连接到第一开关管的控制端；所述输出端的低电压端为所述第一芯片的控制电路的参考地；所述电感和所述导通元件的公共端为所述第二芯片的驱动控制电路的参考地；包括以下步骤：S001：启动时，所述驱动控制电路控制所述电源电路工作在开环状态；S002：检测所述供电电路的输出电压是否大于第一阈值；如果小于第一阈值，则返回步骤S001，如果大于等于第一阈值，则进入步骤S003；S003：当所述供电电路...
【技术特征摘要】
1.双芯片电源电路的供电方法，其特征在于：所述双芯片电源电路包括电感、导通元件、第一芯片和第二芯片，所述第一芯片包括控制电路和供电电路，所述第二芯片包括第一开关管和驱动控制电路，所述驱动控制电路连接到第一开关管的控制端；所述输出端的低电压端为所述第一芯片的控制电路的参考地；所述电感和所述导通元件的公共端为所述第二芯片的驱动控制电路的参考地；包括以下步骤：S001：启动时，所述驱动控制电路控制所述电源电路工作在开环状态；S002：检测所述供电电路的输出电压是否大于第一阈值；如果小于第一阈值，则返回步骤S001，如果大于等于第一阈值，则进入步骤S003；S003：当所述供电电路的输出电压大于等于第一阈值，所述供电电路给所述控制电路供电，所述第二芯片的驱动控制电路接收所述第一芯片的输出电压，所述电源电路工作在闭环状态。2.根据权利要求1所述的双芯片电源电路的供电方法，其特征在于：电源电路的输出端通过所述供电电路给所述控制电路供电。3.根据权利要求1所述的双芯片电源电路的供电方法，其特征在于：在步骤S001中，所述电源电路处于最大工作频率或者为限制工作频率或者为限制电感电流峰值。4.根据权利要求1所述的双芯片电源电路的供电方法，其特征在于：在步骤S003中，当所述供电电路的输出电压大于第一阈值时，所述第一芯片的控制电路给所述第二芯片的驱动控制电路发送表征供电电路输出电压建立的信号，所述驱动控制电路接收到所述表征供电电路输出电压建立的信号后，开始受控于所述第一芯片的控制电路。5.根据权利要求1所述的双芯片电源电路的供电方法，其特征在于：在步骤S002中，当所述电源电路工作在开环状态的时间大于第一时间或者在步骤S003中，当电源电路工作在闭环工作状态时，所述供电电路的输出电压低于第二阈值，则所述驱动控制电路控制电源电路工作在保护状态，当所述供电电路的输出电压大于所述第一阈值，则退出保护状态，进入闭环状态。6.根据权利要求5所述的双芯片电源电路的供电方法，其特征在于：所述保护状态为电源电路的开关频率低于第一开关频率或者为电源电路停止开...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙昊，周逊伟，
申请(专利权)人：杰华特微电子杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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