【技术实现步骤摘要】
一种开关控制电路及其控制方法
本专利技术主要涉及一种电子电路,尤其涉及一种控制开关器件的控制电路及控制方法。
技术介绍
通常情况下,应用于开关电源电路中的可控半导体开关通过开关占空比的变化来控制电压的转换。我们知道,可控半导体开关具有阈值电压。当控制电压高于阈值电压时,可控半导体开关导通,当控制电压低于阈值电压时,可控半导体开关关断。随着半导体技术的发展,可控半导体开关的阈值电压越来越低。在实际半导体电路中,半导体开关及其他电路元件通常具有寄生电感、寄生电容等寄生器件影响其开关特性。图1示出了常见的半桥电路10的电路结构。所述半桥电路10包括串联耦接的高边功率开关管PM1和低边功率开关管PM2。高边驱动信号PWM_H和低边驱动信号PWM_L互补,并且通过开关控制电路来分别控制高边功率开关管PM1和低边功率开关管PM2的交替通断。如图1所示,当高边功率开关管PM1的栅源电压Vgsh跳变为高电平时,高边功率开关管PM1导通,此时低边功率开关管PM2应保持关断,开关电压Vsw随即拉高,该电压通过低边功率开关管PM2的漏栅电容Cgd_L耦合至低边功率开关管PM2的栅极,导 ...
【技术保护点】
1.一种开关控制电路,包括:逻辑电路,接收高边驱动信号和低边驱动信号,并基于高边驱动信号和低边驱动信号,输出高边自举电容控制信号组和低边自举电容控制信号组;高边自举电容控制电路,耦接在高边电源和高边参考地之间,接收高边自举电容控制信号组,输出高边控制信号提供至高边功率开关管的控制端;高边自举电容,具有第一端和第二端,所述第一端耦接至高边功率开关管的控制端,所述第二端耦接至高边自举电容控制电路;低边自举电容控制电路,耦接在低边电源和低边参考地之间,接收低边自举电容控制信号组,输出低边控制信号提供至低边功率开关管的控制端;以及低边自举电容,具有第一端和第二端,所述第一端耦接至低 ...
【技术特征摘要】
1.一种开关控制电路,包括:逻辑电路,接收高边驱动信号和低边驱动信号,并基于高边驱动信号和低边驱动信号,输出高边自举电容控制信号组和低边自举电容控制信号组;高边自举电容控制电路,耦接在高边电源和高边参考地之间,接收高边自举电容控制信号组,输出高边控制信号提供至高边功率开关管的控制端;高边自举电容,具有第一端和第二端,所述第一端耦接至高边功率开关管的控制端,所述第二端耦接至高边自举电容控制电路;低边自举电容控制电路,耦接在低边电源和低边参考地之间,接收低边自举电容控制信号组,输出低边控制信号提供至低边功率开关管的控制端;以及低边自举电容,具有第一端和第二端,所述第一端耦接至低边功率开关管的控制端,所述第二端耦接至低边自举电容控制电路。2.如权利要求1所述的开关控制电路,其中,所述高边自举电容控制信号组包括第一开关信号、第二开关信号、第三开关信号和第四开关信号,所述高边自举电容控制电路包括:第一开关,耦接在高边电源和高边自举电容的第二端之间,其控制端接收第一开关信号;第二开关,耦接在高边自举电容的第二端和高边参考地之间,其控制端接收第二开关信号;第一电流源电路,耦接在高边电源和高边自举电容的第二端之间,其控制端接收第三开关信号;第四开关,耦接在高边自举电容的第一端和高边参考地之间,其控制端接收第四开关信号;以及第一箝位电路,与高边自举电容并联,用于箝位高边自举电容两端的电压。3.如权利要求1所述的开关控制电路,其中,所述低边自举电容控制信号组包括第五开关信号、第六开关信号、第七开关信号和第八开关信号,所述低边自举电容控制电路包括:第五开关,耦接在低边电源和低边自举电容的第二端之间,其控制端接收第五开关信号;第六开关,耦接在低边自举电容的第二端和低边参考地之间,其控制端接收第六开关信号;第二电流源电路,耦接在低边电源和低边自举电容的第二端之间,其控制端接收第七开关信号;第八开关,耦接在低边自举电容的第一端和低边参考地之间,其控制端接收第八开关信号;以及第二箝位电路,与低边自举电容并联,用于箝位低边自举电容两端的电压。4.如权利要求2所述的开关控制电路,其中,所述第一电流源电路包括第三开关,或包括串联的电阻和第三开关,其中,所述第三开关接收第三开关信号。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:邝乃兴,
申请(专利权)人:成都芯源系统有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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