一种轴向二极管的加工工艺制造技术

技术编号:22003390 阅读:63 留言:0更新日期:2019-08-31 06:17
一种轴向二极管的加工工艺。本发明专利技术涉及二极管加工领域,尤其涉及一种轴向二极管的加工工艺。提供了一种通过使用焊锡丝及压焊整形,完成整个组装焊接的轴向二极管的加工工艺。本发明专利技术在工作中,首先将下引线经过隧道式加热轨道后将引线加热至工艺温度,使用焊锡丝输料;焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后,经整形杆整形固晶,将芯片放置在下锡层上,下压冷却;然后将上引线经隧道式加热轨道加热至工艺温度,使用焊锡丝输料;焊锡丝受引线温度导热熔化成液态后,经整形杆整形后将焊接完成的上引线反向组装,下压冷却后完成整个组装焊接过程。本发明专利技术节省了人力,方便可靠。

A Processing Technology of Axial Diode

【技术实现步骤摘要】
一种轴向二极管的加工工艺
本专利技术涉及二极管加工领域,尤其涉及一种轴向二极管的加工工艺。
技术介绍
轴向二极管在制造过程中使用焊片、助焊剂配合来实现引线、芯片之间的连接,传统工艺利用石墨船作为载体,将引线装填入石墨船中,分为上、下模,需要在引线与焊片接触端刷助焊剂、人工组装焊片、固晶、合模、隧道炉焊接完成整个组装焊接;生产流程冗长、人力依赖性高,且常出现焊接不良等导致报废的情况。
技术实现思路
本专利技术针对以上问题,提供了一种通过使用焊锡丝及压焊整形,完成整个组装焊接的轴向二极管的加工工艺。本专利技术的技术方案为:包括以下步骤:S1、下引线组装:将下引线置于下隧道式轨道内加热,使用焊锡丝输料至下引线的钉头,待熔化后,通过整形杆整形形成下锡层;S2、芯片组装:将芯片置于下锡层,下压后冷却;S3、上引线组装:将上引线置于上隧道式轨道内加热,使用焊锡丝输料至上引线的钉头,待熔化后,通过整形杆整形形成上锡层;S4、上、下引线压焊,将上隧道式轨道内的上引线置于下隧道式轨道内的下引线的上方,上引线上的上锡层接触芯片,下压后冷却;S5、完成。所述下引线的钉头和上引线的钉头上分别设有若干容置槽,所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种轴向二极管的加工工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、下引线组装:将下引线置于下隧道式轨道内加热,使用焊锡丝输料至下引线的钉头,待熔化后,通过整形杆整形形成下锡层;S2、芯片组装:将芯片置于下锡层,下压后冷却;S3、上引线组装:将上引线置于上隧道式轨道内加热,使用焊锡丝输料至上引线的钉头,待熔化后,通过整形杆整形形成上锡层;S4、上、下引线压焊,将上隧道式轨道内的上引线置于下隧道式轨道内的下引线的上方,上引线上的上锡层接触芯片,下压后冷却;S5、完成。

【技术特征摘要】
1.一种轴向二极管的加工工艺,其特征在于,包括以下步骤:S1、下引线组装:将下引线置于下隧道式轨道内加热,使用焊锡丝输料至下引线的钉头,待熔化后,通过整形杆整形形成下锡层;S2、芯片组装:将芯片置于下锡层,下压后冷却;S3、上引线组装:将上引线置于上隧道式轨道内加热,使用焊锡丝输料至上引线的钉头,待熔化后,通过整形杆整形形成上锡层;S4、上、下引线压焊,将上隧道式轨道内的上引线置于下隧道式轨道内的下引线的...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈斌王毅
申请(专利权)人:扬州扬杰电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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