一种提高套刻精度的对准标识设计方法技术

本发明专利技术提供一种提高套刻精度的对准标识设计方法，包括：前一层光刻层的对准标识放置于第一位置；当层曝光时，将对准标识放置于第二位置，同时将第一位置曝开，之后将曝开的第一位置填充金属；第三层曝光时，将对准标识放回所述第一位置，同时将第二位置曝开，之后将曝开的第二位置填充金属；后续层曝光时的对准标识位置设计依次类推。本发明专利技术的对准标识的位置摆放及前后层堆叠的设计可以有效减少对准标识的摆放空间，同时使对准标识底层薄膜更加稳定，因此可以提高套刻精度的稳定性，有利于日常跑货的维护及套刻精度的提高。此外，本发明专利技术的对准标识设计还有利于对套刻精度进行预测，节省新产品试跑时间，提高生产能力。

A Design Method of Alignment Marking for Improving Overlaying Accuracy

【技术实现步骤摘要】
一种提高套刻精度的对准标识设计方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种提高套刻精度的对准标识设计方法。
技术介绍
光刻机的对准系统负责把掩模上的图形(当层)和圆晶上已有图形(前层)对准，以保证曝光后图形之间的准确套刻。在实际光刻工艺中，这种对准操作需要进行两次。第一次是粗对准，即在圆晶上选取一个区域中的两个对准标识和掩模版上的两个对准标识对准。第二步是精细对准，一般是选取多个曝光区域中的对准标识分别和掩模版上的标识对准，计算出修正量。能在对准激光照射下产生衍射的周期性图形都可以用作对准标识，除此之外，对准标识的设计还必须满足以下条件：第一，圆晶上的对准标识必须不容易被工艺破坏；第二，便于放置在掩模版上，不影响器件；第三，能有效地被对准光学系统探测到，并提供最大的信号强度。曝光显影后存留在光刻胶上的图形(当层)必须与圆晶衬底上已有的图形(前层)对准，这样才能保证器件各部分之间连接正确。圆晶上当前层与前层之间的相对位置称为套刻误差(overlay)，套刻误差定量地描述了当前的图形相对于前层图形沿X和Y方向的偏差，以及这种偏差在圆晶表面的分布，是监测光刻工艺好坏的一个关键指标。如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、前一层光刻层的对准标识放置于第一位置；步骤二、当层曝光时，将所述对准标识放置于第二位置，同时将所述第一位置曝开，之后将曝开的所述第一位置填充金属；步骤三、第三层曝光时，将所述对准标识放回所述第一位置，同时将所述第二位置曝开，之后将曝开的所述第二位置填充金属；步骤四、后续层曝光时的所述对准标识位置设计依照步骤一至步骤三依次类推。

【技术特征摘要】
1.一种提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、前一层光刻层的对准标识放置于第一位置；步骤二、当层曝光时，将所述对准标识放置于第二位置，同时将所述第一位置曝开，之后将曝开的所述第一位置填充金属；步骤三、第三层曝光时，将所述对准标识放回所述第一位置，同时将所述第二位置曝开，之后将曝开的所述第二位置填充金属；步骤四、后续层曝光时的所述对准标识位置设计依照步骤一至步骤三依次类推。2.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：步骤二至步骤四在所述第一位置和所述第二位置填充的金属为铜。3.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准标识设计方法，其特征在于：步骤二中将所述对准标识放置于与所述第一位置临近的第二位置。4.根据权利要求1所述的提高套刻精度的对准...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖璐璐，钱睿，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31